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原子力显微镜观测并切断在Si表面拉直的DNA分子

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科学通报 2003年第7期48卷 682-685页

作者：李辉韩宝善中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100080

DNA具有稳定的线性结构和一定的导电性能, 因而有可能作为纳米导线来构成纳米器件. 为此, 人们已经采用很多方法尝试以DNA为基础单元构成纳米图型. 用原子力显微镜观察自由液流法在Si表面拉直的l-DNA分子, 观察到加二次液流后l-DNA 形... 详细信息

DNA具有稳定的线性结构和一定的导电性能, 因而有可能作为纳米导线来构成纳米器件. 为此, 人们已经采用很多方法尝试以DNA为基础单元构成纳米图型. 用原子力显微镜观察自由液流法在Si表面拉直的l-DNA分子, 观察到加二次液流后l-DNA 形成的悬链线状结构和交叉的DNA网络, 并成功地用原子力显微镜针尖切断在Si表面拉直的l-DNA分子.

关键词： λ—DNA 悬链线状结构原子力显微镜导电性能纳米图型分子切断

原子力显微镜拉伸吸附在金膜表面的短单链DNA分子(英文)

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生物化学与生物物理进展 2005年第12期32卷 1173-1177页

作者：李辉曹恩华韩宝善靳刚中国科学院生物物理研究所北京100101 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100080

对单根DNA分子的操纵和拉伸可以直接研究DNA的弹性等力学性质.首先通过将金沉积到云母表面制备了表面粗糙度小于0.3nm的金膜,然后一段硫代的单链DNA(100bases)吸附到金膜表面.利用原子力显微镜观察不同浓度的DNA吸附在金膜上的表面形貌... 详细信息

对单根DNA分子的操纵和拉伸可以直接研究DNA的弹性等力学性质.首先通过将金沉积到云母表面制备了表面粗糙度小于0.3nm的金膜,然后一段硫代的单链DNA(100bases)吸附到金膜表面.利用原子力显微镜观察不同浓度的DNA吸附在金膜上的表面形貌.进一步用原子力显微镜的力曲线模式拉伸DNA分子,在50%的情况下DNA可以被针尖拉伸,观察到了由于针尖和DNA分子间作用力的不同导致的多种不同力曲线.

关键词：金膜 DNA 原子力显微镜单分子力谱

高碱性pH诱导紫膜片层表面结构变化的原子力显微镜直接观测

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生物化学与生物物理进展 2003年第5期30卷 711-714页

作者：陈德亮李辉韩宝善徐兵胡坤生中国科学院生物物理研究所北京100101 中国科学院物理研究所北京100080

报道了在高碱性pH下 ,紫膜中细菌视紫红质 (BR)表面结构变化的直观信息 .紫外可见光谱实验发现 ,当pH上升到 12 6 ,BR分子上的生色团视黄醛脱落 ,分子完全变性 ;原子力显微镜实验观测到在此pH下 ,紫膜片层的晶格结构瓦解 ,BR分子在紫... 详细信息

报道了在高碱性pH下 ,紫膜中细菌视紫红质 (BR)表面结构变化的直观信息 .紫外可见光谱实验发现 ,当pH上升到 12 6 ,BR分子上的生色团视黄醛脱落 ,分子完全变性 ;原子力显微镜实验观测到在此pH下 ,紫膜片层的晶格结构瓦解 ,BR分子在紫膜上无规则聚集 ,同时出现非特征“岛屿”结构和特征“岛屿”

关键词：高碱性pH 诱导紫膜表面结构原子力显微镜细菌视紫红质质子传递蛋白

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源自软磁畴段的布洛赫线链行为研究

物理 2017年第6期46卷 352-360页

作者：韩宝善中国科学院物理研究所北京100190

在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁... 详细信息

在从1967-1992年连续25年研制固态磁存储器的故事中,中国没有缺席。1970年代初,中国科学院物理研究所磁学室磁泡组11个人从生长基片单晶,制备单晶磁泡薄膜和进行磁泡测量三方面开始磁泡材料的研制。当时文章作者负责测量,设计制作了磁泡测量装置。为了表征磁泡薄膜,发现了含有"一盘"软磁畴段的H图形,并找到了"脉冲偏磁场作用下硬磁泡的形成"的研究课题。这使作者在1980年代初经受住了磁泡下马的冲击,迎来了1983年布洛赫线存储器方案的提出,发觉已具有研究其机理的条件,最终成为该存储器的终结者,并在1991年国际***.杂志第100纪念卷中荣幸地为"China"占了一席之地。从1992年以来,时间又过去了25年,但活生生的磁泡总在,当年报废的磁泡测量装置已经更新。盼望大学生和刚入门的研究者喜欢这台能显示赏心悦目的磁泡畴运动,能生动阐述铁磁学物理基础的研究导向性的物理实验设备。

关键词：石榴石磁泡薄膜磁泡磁泡存储器布洛赫线链布洛赫线存储器

面内场和静态偏磁场作用下条畴和泡畴的稳定性

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物理学报 1991年第12期40卷 2012-2017页

作者：霍素国聂向富韩宝善河北师范大学物理系石家庄050016 中国科学院物理研究所磁学开放研究实验室北京100080

实验研究面内场Hin和静态偏磁场Hb作用下,(111)面磁泡膜内条畴的消失过程。保持H_b恒定,增加Hin,测量条畴消失场H和泡畴消失场Hk与面内场方向β的变化关系。计及立方磁晶各向异性的影响,建立Hin和Hb共同存在时的条畴稳定性理论。定性解... 详细信息

实验研究面内场Hin和静态偏磁场Hb作用下,(111)面磁泡膜内条畴的消失过程。保持H_b恒定,增加Hin,测量条畴消失场H和泡畴消失场Hk与面内场方向β的变化关系。计及立方磁晶各向异性的影响,建立Hin和Hb共同存在时的条畴稳定性理论。定性解释了实验的主要特点。导出黑、白条畴同时消失时的角度 β=1/3(2nπ±arc cos│3/2^(1/2)MsHb/K_1│) (n=0,±1,±2,…)与实验基本符合。

关键词：磁晶磁泡条畴泡畴稳定性

各向同性富铁FePt纳米晶薄膜的形成及其磁性

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稀有金属材料与工程 2002年第3期31卷 213-216页

作者：王亦忠张茂才乔祎韩宝善张臻蓉梁冰青王荫君沈保根中国科学院三环新材料研究开发公司北京100080 北京科技大学新金属材料国家重点实验室北京100083 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室北京100080

采用直流溅射多层膜结合退火技术 ,制备了不同富铁量的各向同性Fe Pt纳米晶永磁薄膜。对这些永磁薄膜的研究表明 :在 5 0 0℃退火 3min～ 10min得到的所有不同富Fe量的Fe Pt永磁薄膜是各向同性的 ;它们的磁滞回线都显现单相的硬磁行为 ... 详细信息

采用直流溅射多层膜结合退火技术 ,制备了不同富铁量的各向同性Fe Pt纳米晶永磁薄膜。对这些永磁薄膜的研究表明 :在 5 0 0℃退火 3min～ 10min得到的所有不同富Fe量的Fe Pt永磁薄膜是各向同性的 ;它们的磁滞回线都显现单相的硬磁行为 ;所有的薄膜显示出剩磁增强效应 ,其剩磁随富Fe含量的增加而增大。磁力显微镜观测表明 ,在热退磁状态下Fe Pt薄膜显现出不规则的横跨数个晶粒的岛状畴 ,其大小是平均晶粒尺寸的 7倍～ 10倍。

关键词：薄膜纳米晶矫顽力交换耦合多层膜永磁性

Pt_(1-x)Cu_x/Co多层膜的结构和磁性

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物理学报 1998年第2期47卷 325-332页

作者：马平平郑鹉王艾玲崔利亚王荫君韩宝善陈金昌首都师范大学物理系冶金工业部钢铁研究总院中国科学院物理研究所

系统地研究了Ｐｔ１－ｘＣｕｘ／Ｃｏ多层膜的结构与磁性．除了特定的ｘ＝０１０—０１５区间外，在Ｃｕ浓度区间ｘ＝００４—０３０内，随着中介Ｐｔ层内Ｃｕ浓度的增加，导致各向异性Ｋｕ和剩余磁化强度Ｍｒ⊥的单调下降．这... 详细信息

系统地研究了Ｐｔ１－ｘＣｕｘ／Ｃｏ多层膜的结构与磁性．除了特定的ｘ＝０１０—０１５区间外，在Ｃｕ浓度区间ｘ＝００４—０３０内，随着中介Ｐｔ层内Ｃｕ浓度的增加，导致各向异性Ｋｕ和剩余磁化强度Ｍｒ⊥的单调下降．这可能是由于Ｃｕ原子在Ｐｔ层中的无序造成的，使Ｐｔ的晶面场对称性发生局域畸变，从而引起上述参数的下降．在特定区域内，可能是形成了ＰｔＣｕ合金的有序相，此时晶场对Ｃｏ原子的作用就像只有Ｐｔ原子一样．

关键词：多层膜膜结构磁性铂/钴铂铜/钴磁光多层膜

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三类硬磁畴的形成及静态特性

物理学报 1990年第2期39卷 296-301页

作者：聂向富唐贵德牛秀德韩宝善河北师范大学物理系石家庄050016 上海交通大学物理系上海200030 中国科学院物理研究所北京100080

本文提出畴壁中含有大量VBL的石榴石磁泡材料的三类硬磁畴的分类标准,描述了它们的形成方法和静态特性,并示出典型照片。从形成条件可以合理地推论,畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。

关键词：磁泡材料硬磁畴静态特性

温度对垂直布洛赫线链解体临界面内磁场区间的影响

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物理学报 1994年第8期43卷 1360-1364页

作者：霍素国韩宝善李伯臧河北师范大学物理系中国科学院物理研究所

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度和（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁... 详细信息

实验研究了温度对液相外延石榴石磁泡薄膜中条状普通硬磁畴壁内的垂直布洛赫线（ＶＢＬ）链解体临界面内磁场区间的影响。发现存在一对特征温度和（前者比后者略低但均高于室温），在从室温到的每个温度Ｔ下，使ＶＢＬ逐渐消失的面内磁场Ｈ＿ｉｐ都分布于一个与Ｔ有关的区间内，称为临界面内磁场区间：时，ＶＢＬ链保持不变，时，随着Ｈ＿ｉＰ的增加，越来越多的ＶＢＬ消失，时，所有ＶＢＬ都消失。及均随Ｔ的升高而下降，前二者分别于降为零。比随Ｔ的升高而开高，在低温段（包括室温）升高缓慢且约为附近急剧升高且至，时趋于∞。对以上结果做了理论分析。

关键词：布洛赫线链解体温度磁泡