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ZnGeP_2晶体近红外吸收特性的研究

无机材料学报 2010年第10期25卷 1029-1033页

作者：夏士兴杨春晖朱崇强马天慧王猛雷作涛徐斌哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶... 详细信息

采用布里奇曼法生长了磷化锗锌晶体,晶体毛坯尺寸达φ20mm×90mm,选取晶体尾部、晶体中部、籽晶端三个部位厚度为4.0mm的抛光晶片作为测试样品.从实验和理论上研究与分析了晶体的近红外吸收特性.实验结果显示:晶体透过率由尾部至近籽晶端逐渐增大,表明晶体近红外吸收由尾部至近籽晶端逐渐减小,这是由于晶体内缺陷密度发生了改变,且晶体内本征点缺陷分布比例不均衡,进而导致晶体的近红外吸收产生差异.理论上计算了磷化锗锌晶体施主缺陷GeZn+和受主缺陷V-Zn的吸收光谱.计算结果表明:受主缺陷V-Zn对磷化锗锌晶体吸收光谱产生的影响大于施主缺陷GeZn+.

关键词：磷化锗锌近红外吸收缺陷密度施主缺陷受主缺陷

用正交实验法优化聚合物单体4,4′-二氨基三苯胺的合成工艺

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高分子材料科学与工程 2007年第5期23卷 68-71,75页

作者：孟祥丽黄玉东雷作涛牛海军哈尔滨工业大学应用化学系黑龙江哈尔滨150001

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4′-二硝基三苯胺(DNTPA)。将中间产物用10%的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4′-二氨基三苯胺(DATPA)。合成总产率为38%。与其它方法相比,该方法原料... 详细信息

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4′-二硝基三苯胺(DNTPA)。将中间产物用10%的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4′-二氨基三苯胺(DATPA)。合成总产率为38%。与其它方法相比,该方法原料便宜易得,纯度较高,产物可作为聚合反应的单体原料。本文用正交实验设计对该合成方法进行了研究,得出了最优化的反应条件。

关键词： 4,4′-二硝基三苯胺 4,4′-二氨基三苯胺合成工艺正交实验

ZnGeP_2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展

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人工晶体学报 2012年第S1期41卷 160-165页

作者：朱崇强雷作涛杨春晖哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001

ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利... 详细信息

ZnGeP2晶体具有非线性系数大和透光波段宽的特点,是目前重要的中红外频率转换介质材料。然而,点缺陷的存在却引起了ZnGeP2晶体的额外光学吸收,影响了其应用发展。本文对ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的研究进展情况做了详细的综述。利用电子顺磁共振技术研究了ZnGeP2晶体中存在的点缺陷类型;结合光学吸收和电子顺磁共振方法分析了ZnGeP2晶体点缺陷影响光学性能的机理;介绍了降低ZnGeP2晶体额外光学吸收的方法;最后,展望了围绕ZnGeP2晶体点缺陷及光学性能将开展的研究方向。

关键词： ZnGeP2晶体点缺陷光学吸收电子顺磁共振

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中远红外及太赫兹波段非线性晶体硒化镓

硅酸盐学报 2017年第10期45卷 1402-1409页

作者：杨春晖马天慧朱崇强雷作涛哈尔滨工业大学化工与化学学院黑龙江工程学院材料与化学工程学院

中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、... 详细信息

中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、掺杂性能及差频产生中远红外及太赫兹辐射方面的最新研究成果,重点介绍了GaSe晶体及掺杂晶体的光学、力学性能,非线性性能及它们在频率转换方面的应用性能。通过全面的分析找出综合性能最优的掺杂晶体种类。

关键词：硒化镓晶体中远红外激光非线性光学材料太赫兹

CdGeAs2晶体的结构、弹性和电子性能的模拟计算和分析(英文)

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硅酸盐学报 2011年第2期39卷 349-354页

作者：朱崇强杨春晖马天慧夏士兴雷作涛哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了... 详细信息

利用基于密度泛函理论的平面波赝势法对CdGeAs2晶体的结构,弹性和电子性能进行了研究。CdGeAs2晶体具有6个独立的弹性常数,利用计算的弹性性能可以判断晶体具有机械稳定性、延性和弹性各向异性等力学特点。通过总的和部分态密度分析了不同能带的贡献成分。计算的结构参数及弹性常数与实验值基本吻合。CdGeAs2晶体具有直接能隙,禁带宽为0.05 eV,并且具有共价特性。此外,通过电子等密度线以及Mulliken键布局表明,Cd–As键的共价性要强于Ge–As键的。

关键词：砷化锗镉晶体密度泛函理论弹性性能电子性能

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磷锗锌晶体生长与缺陷结构

硅酸盐学报 2014年第8期42卷 1082-1086页

作者：雷作涛朱崇强宋梁成杨春晖谷立山哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001 中国科学院长春光学机密机械与物理研究所长春130033

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形... 详细信息

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。

关键词：磷锗锌晶体缺陷结构垂直Bridgman法吸收光谱

高品质ZnGeP_2晶体光参量振荡元件及应用

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人工晶体学报 2014年第4期43卷 1015-1016页

作者：雷作涛朱崇强宋梁成姚宝权杨春晖哈尔滨工业大学化工学院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室哈尔滨150001

在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×（16~30）mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波（3~5μ... 详细信息

在高纯ZnGeP2多晶批量合成基础上,采用垂直布里奇曼法生长出尺寸（40~50）mm×140 mm的高品质单晶。切割出多种6 mm×6 mm×（16~30）mm规格的晶体元件,元件o偏振光2.05μm吸收系数为0.01~0.03cm-1,通过光参量振荡技术实现中波（3~5μm）40 W和远波（8~10μm）3 W的激光输出。

关键词： ZnGeP2晶体垂直布里奇曼法元件光参量振荡

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4,4'-二氨基三苯胺的合成与纯化

有机化学 2007年第5期27卷 682-684页

作者：孟祥丽黄玉东牛海军雷作涛哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4'-二硝基三苯胺(DNTPA).将中间产物用10%(质量分数)的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4'-二氨基三苯胺(DATPA),合成总产率为38%.与其它方法相比,该方... 详细信息

以苯胺和对硝基氯苯为原料,K2CO3作催化剂,合成出了中间产物4,4'-二硝基三苯胺(DNTPA).将中间产物用10%(质量分数)的Pd/C催化剂加氢催化还原,得到纯度为96.6%的目标产物4,4'-二氨基三苯胺(DATPA),合成总产率为38%.与其它方法相比,该方法原料便宜易得,纯度很高,产物可作为反应的单体原料.

关键词： 4,4′-二硝基三苯胺 4 ,4′-二氨基三苯胺合成纯化

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大尺寸GaSe单晶生长和光学性能

硅酸盐学报 2020年第2期48卷 182-186页

作者：马天慧朱崇强雷作涛杨春晖张红晨王慧文黑龙江工程学院材料与化学工程学院哈尔滨150050 哈尔滨工业大学化工与化学学院哈尔滨150001

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小... 详细信息

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。

关键词：硒化镓晶体中远红外激光非线性光学材料太赫兹