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具有稳定环路带宽功能的多模分数频率综合器

西安电子科技大学学报 2013年第5期40卷 119-123,193页

作者：冯焱罗阳陈贵灿西安交通大学电信学院陕西西安710049 西安华讯微电子有限公司陕西西安710075

针对多模式频率综合器在模式转换中的稳定性问题,提出了一种以分频比校正电荷泵电流来稳定环路带宽的方法,使系统在各个模式下环路带宽的变化均保持在很小的范围内.该电荷泵校正电路应用于一个多模式分数频率综合器,该频率综合器在3个... 详细信息

针对多模式频率综合器在模式转换中的稳定性问题,提出了一种以分频比校正电荷泵电流来稳定环路带宽的方法,使系统在各个模式下环路带宽的变化均保持在很小的范围内.该电荷泵校正电路应用于一个多模式分数频率综合器,该频率综合器在3个定位系统的7个模式下均能稳定可靠工作.仿真结果表明：在7种模式下,归一化环路带宽ICP KVCO/ωVCO的变化范围为-3.3％～3.3％.该频率综合器在每种模式下的带内相位噪声均小于-93 dBc/Hz,在带外频偏1MHz处,相位噪声均小于-119 dBc/Hz.各个模式锁定时间均小于24 μs,在1.8V电源电压下,功耗为15.21 mW.

关键词：全球定位系统分数频率综合器环路带宽相位噪声

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一种宽带双采样ΣΔ调制器结构及其系统仿真

系统仿真学报 2009年第6期21卷 1706-1709页

作者：杨骁陈贵灿程军西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

提出了一种适合于宽带应用的单环高阶双采样ΣΔ调制器系统结构。该结构采用双采样技术,在不提高系统时钟频率的条件下,可使系统的过采样率增至原来的两倍。提出了一种新的实现噪声传递函数fs/2处零点的双采样电路,使得该系统结构能够... 详细信息

提出了一种适合于宽带应用的单环高阶双采样ΣΔ调制器系统结构。该结构采用双采样技术,在不提高系统时钟频率的条件下,可使系统的过采样率增至原来的两倍。提出了一种新的实现噪声传递函数fs/2处零点的双采样电路,使得该系统结构能够灵活实现优化了的噪声传递函数和信号传递函数。采用SIMULINK对包含了电容失配的调制器进行了建模和仿真,仿真结果表明该结构能有效地抑制采样支路失配引起的折叠噪声,提高了调制器的性能。

关键词：双采样过采样率 ΣΔ调制器量化噪声

多带OFDM超宽带射频接收机的系统建模与仿真

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系统仿真学报 2009年第9期21卷 2473-2477页

作者：张鸿陈贵灿陈亮西安交通大学微电子学系西安710049

准确可靠的系统建模和仿真可对多带OFDM(MB-OFDM)超宽带(UWB)无线通信系统中射频接收机的设计提供有效的指导。分析了MB-OFDMUWB系统对射频接收机的要求,在此基础上计算确定了射频接收机的噪声系数、线性度、接收机增益范围等总体指标... 详细信息

准确可靠的系统建模和仿真可对多带OFDM(MB-OFDM)超宽带(UWB)无线通信系统中射频接收机的设计提供有效的指导。分析了MB-OFDMUWB系统对射频接收机的要求,在此基础上计算确定了射频接收机的噪声系数、线性度、接收机增益范围等总体指标。射频接收机采用低成本、低功耗的零中频结构。在AgilentADS仿真环境下建立了射频接收机的模型,并通过计算和仿真确定了各子模块电路的技术指标。建立了整个MB-OFDMUWB通信系统的仿真平台,用数模混合仿真的方法验证了射频接收机模型的正确性。这对指导射频接收机芯片的设计有重要的意义。

关键词：多带OFDM 超宽带接收机系统建模仿真

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一种新型两通道时间交织高阶ΣΔ调制器

西安电子科技大学学报 2009年第2期36卷 359-365页

作者：杨骁陈贵灿程军张鸿西安交通大学电子与信息工程学院陕西西安710049

为了减小两通道时间交织ΣΔ调制器中系数失配引起的折叠噪声以及降低调制器实现电路的复杂程度,提出了一种新的两通道时间交织高阶ΣΔ调制器.在传统调制器的噪声传递函数(NTF)中增加一个z为-1的零点,减小了NTF在高频处的幅值,从而减... 详细信息

为了减小两通道时间交织ΣΔ调制器中系数失配引起的折叠噪声以及降低调制器实现电路的复杂程度,提出了一种新的两通道时间交织高阶ΣΔ调制器.在传统调制器的噪声传递函数(NTF)中增加一个z为-1的零点,减小了NTF在高频处的幅值,从而减小了折叠到信号带宽内的噪声.以一个传统单通道单环4阶4位前馈分布型ΣΔ调制器结构为原型,运用块数字滤波器基本原理以及时域等效的方法,得到了其两通道时间交织结构的实现电路.该调制器电路前3级的两个通道能够共享运算放大器,减小了有源元器件的数目.对包含了系数失配的调制器进行了建模和仿真,仿真结果表明,该两通道时间交织高阶调制器能够有效地抑制折叠噪声,提高了调制器的性能.

关键词： ΣΔ调制器折叠噪声时间交织块数字滤波器

采用冲激敏感函数的差分LC振荡器相位噪声分析

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西安交通大学学报 2010年第12期44卷 66-70页

作者：刘金华陈贵灿张鸿西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

提出了一种基于冲激敏感函数(ISF)的具有较高预测精度的分析方法,并采用该方法研究了差分交叉耦合电感电容(LC)振荡器的相位噪声特性.首先推导出振荡器中任意噪声源与振荡器相位噪声的函数关系,然后求解出各噪声源所对应的等效ISF,并用... 详细信息

提出了一种基于冲激敏感函数(ISF)的具有较高预测精度的分析方法,并采用该方法研究了差分交叉耦合电感电容(LC)振荡器的相位噪声特性.首先推导出振荡器中任意噪声源与振荡器相位噪声的函数关系,然后求解出各噪声源所对应的等效ISF,并用等效ISF计算出每个噪声源的相位噪声贡献,最终获得整个相位噪声的完整解析式.仿真结果表明,所提方法对谐振槽和差分对管相位噪声贡献预测的相对误差与传统方法一致,分别为1.34%和2.88%,而对尾管噪声预测的相对误差与传统方法相比从20.4%下降到5.2%.另外,所提方法比传统方法更直观、简捷.

关键词：差分交叉耦合振荡器冲激敏感函数噪声调制函数相位噪声

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一种新型级联ΣΔ调制器系统结构

西安交通大学学报 2008年第12期42卷 1541-1545页

作者：杨骁陈贵灿程军徐晓云西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

针对传统高阶级联ΣΔ调制器结构电路复杂和对运算放大器的增益和线性度要求较高的缺点,提出了一种新型的2-3两级5阶多位量化器级联ΣΔ调制器系统结构.该结构的第1级采用2阶多位量化器的低失真ΣΔ调制器结构,减小了运算放大器的非线... 详细信息

针对传统高阶级联ΣΔ调制器结构电路复杂和对运算放大器的增益和线性度要求较高的缺点,提出了一种新型的2-3两级5阶多位量化器级联ΣΔ调制器系统结构.该结构的第1级采用2阶多位量化器的低失真ΣΔ调制器结构,减小了运算放大器的非线性有限增益对调制器性能的影响.第2级采用信号传递函数等于单位增益的单环3阶ΣΔ调制器,而不是传统级联结构中1阶或2阶ΣΔ调制器,降低了电路的复杂程度.系统仿真结果表明:在最大增益为70 dB的非线性运算放大器增益、±0.2%的随机数模转换误差的非理想条件下,该调制器的最大信号噪声失真比能够达到95 dB.

关键词：级联ΣΔ调制器低失真量化噪声

一种新型高阶两通道时间交织ΣΔ调制器系统结构

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西安交通大学学报 2008年第8期42卷 996-1000页

作者：杨骁陈贵灿程军徐晓云西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

为了减小两通道时间交织ΣΔ调制器中通道之间系数失配引起的折叠噪声,提出了一种新型的高阶两通道时间交织ΣΔ调制器的系统结构.通过在传统噪声传递函数(NTF)中增加一个奈奎斯特频率处的零点,得到了一种新的NTF.新增的零点减小了NTF... 详细信息

为了减小两通道时间交织ΣΔ调制器中通道之间系数失配引起的折叠噪声,提出了一种新型的高阶两通道时间交织ΣΔ调制器的系统结构.通过在传统噪声传递函数(NTF)中增加一个奈奎斯特频率处的零点,得到了一种新的NTF.新增的零点减小了NTF在高频处的幅值,从而能够减小两通道时间交织调制器结构中由于系数失配引起的折叠噪声.以实现新NTF的单通道单环4阶3位前馈分布型ΣΔ调制器结构为原型,利用多抽样率系统和块数字滤波器基本原理,得到其对应的两通道时间交织系统结构.在两个通道的系数存在1%的失配条件下,调制器的信号噪声失真比只降低了3.1 dB,这表明系数失配对该调制器的性能影响很小.

关键词： ∑△调制器时间交织折叠噪声块数字滤波器

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两种新型CMOS带隙基准电路

微电子学与计算机 2003年第7期20卷 67-70页

作者：程军陈贵灿西安交通大学电子与信息学院微电子研究所西安710049

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置... 详细信息

文章介绍了两种CMOS带隙基准电路。它们在传统带隙基准电路的基础上,采用了低压共源共栅电流镜提供偏置电流,降低了功耗,减小了沟道长度调制效应带来的误差并使电路可以工作在较低的电源电压下;采用运放的输出作为共源共栅电流镜的偏置电压,使基准电压不受电源电压变化的影响。其中一种电路,还通过两个串联二极管的原理提高ΔVBE,从而减小了运放失调的影响。仿真结果表明,在工艺偏差、电源电压变化±10%以及温度在-20至125℃范围内变化的情况下,两种CMOS带隙基准的输出电压分别是1.228±0.003V和1.215±0.003V,温度系数仅为33.7ppm/℃和34.1ppm/℃;在电源电压分别大于2V和2.8V时,电源电压的变化对这两种基准的输出电压几乎没有影响;在3.3v电源电压下两个电路的功耗分别小于0.1mW和0.34mW。

关键词： CMOS带隙基准电路电源电压专用集成电路串联二极管