检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 1992年第7期13卷 417-422,T001页

作者：朱祖华王硕勤丁纯丁桂兰吴小萍陈良惠浙江大学信息电子系杭州310008 中国科学院半导体研究所北京100083

利用连续波电光检测法首次成功地对AlGaAs/GaAs半导体激光器中的电场分布进行了测量.测量结果直接表征了器件注入电流扩展和载流子限制特性. 本文简要地描述了方法的原理和实验装置,给出了典型的测量结果并对其进行了讨论.

关键词：半导体激光器电场分布检测 CWE

光子晶体60度弯折波导的模式分析及其在低损耗弯折波导设计中的应用

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光子晶体60度弯折波导的模式分析及其在低损耗弯折波导设计中的应...

4.2K注氮Ga1-xAlxAs（x=0.2-0.8）的光致发光研究

第十六届全国半导体物理学术会议

作者：任刚郑婉华张冶金刑名欣杜晓宇王科陈良惠中国科学院半导体研究所

＜正＞光子晶体波导作为一种新颖的光波导器件,具有低损耗和易于集成等优点,近年来受到广泛关注。而光子品体弯折波导是实现光子集成的关键单元器件之一。但是在波导弯折处,光波会由于波欠的突变和导波模式的火配而有很大的损耗,使得弯... 详细信息

＜正＞光子晶体波导作为一种新颖的光波导器件,具有低损耗和易于集成等优点,近年来受到广泛关注。而光子品体弯折波导是实现光子集成的关键单元器件之一。但是在波导弯折处,光波会由于波欠的突变和导波模式的火配而有很大的损耗,使得弯折波导的透射谱宽减小,透射率降低。人们为了实现低损耗和宽透射频谱的弯折波导,提出过种种方法,其中比较典型的包括在弯折处引入开放

关键词：光子晶体弯折波导

来源： cnki会议评论

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cnki会议

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Journal of Semiconductors 1982年第6期 474-481页

作者：弓继书,徐仲英,徐俊英,李玉璋,陈良惠,石忠诚,杜宝勋中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所

本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga1-xAlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga1-xAlxAs中获得约 1018/cm3的氮浓度.实验观察到由于注氮在X导带极小值下面形成的等电子束缚态相关的氮发射带及其声子边带.在4.2K下... 详细信息

本文通过光致发光手段研究了4.2K下Ga1-xAlxAs中等电子杂质氮的发光行为.利用离子注入及适当退火在 Ga1-xAlxAs中获得约 1018/cm3的氮浓度.实验观察到由于注氮在X导带极小值下面形成的等电子束缚态相关的氮发射带及其声子边带.在4.2K下观察到随退火温度上升及氮浓度增加形成的氮峰增长.测定了氮能级位置随铝组分x的变化关系.同时测量了不同组分原始样品的带边峰位置,初步确定了4.2K下带边能量随组分x变化的经验公式.利用两能谷近似计算了氮束缚能级的位置,理论与实验有较好的符合.对比GaAs1-xPx:N的结果,对由于电负性差异和晶格畸变而引起的氮等电子杂质势随x的变化作了讨论.

关键词：光致发光 x=0.2-0.8 注氮光致发光谱 x x)Al_xAs 声子边带 Ga Al

Fabrication of Windowed Very-Small-Aperture Laser Diodes

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Journal of Semiconductors 2003年第11期24卷 1145-1148页

作者：康香宁徐云宋国峰叶晓军陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083

A windowed very small aperture laser (VSAL) source for use in high resolution near field optical data storage is *** windowed regions are introduced to avoid shorting the pn junction with metal coating and suppress the COD *** facilitates producing VSAL by simplified technology and improves the laser performance.A VSAL with 400nm small aperture is demonstrated by focused ion beam (FIB) and the output power is 0 3mW at 31mA.

关键词： very small aperture laser optical near field ridge waveguide focused ion beam

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GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

Journal of Semiconductors 1989年第10期10卷 788-793页

作者：张永航孔梅影陈良惠王启明中国科学院半导体研究所

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm^2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波... 详细信息

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm^2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.

关键词：分子束外延量子阱半导体激光器

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AlGaAs/GaAs多量子阱激光器

中国激光 1990年第S1期17卷 84-87页

作者：徐俊英李立康张敬明曾安傅方正陈良惠曾一平孙殿照孔梅影中国科学院半导体研究所 100083

本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm^2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度特性(温度从-35℃到... 详细信息

本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm^2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度特性(温度从-35℃到+30℃范围内,T_o=361℃)。

关键词：分子束外延量子阱激光器 AlGaAs/GaAs

808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵

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高技术通讯 1994年第1期4卷 9-12页

作者：肖建伟杨国文徐俊英徐遵图张敬明庄芳婕李秉臣毕可奎郑婉华陈良惠中国科学院半导体研究所

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１... 详细信息

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。

关键词：量子阱激光器锁相列阵

大功率及高转换效率2.1μm GaInSb/AlGaAsSb量子阱激光器

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大功率及高转换效率2.1μm GaInSb/AlGaAsSb量子阱激光器