检索结果-南通市图书馆

Journal of Semiconductors 2001年第7期22卷 837-840页

作者：贾玉斌陈良惠李玉璋中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心北京100083

The mechanical and electric characteristics of a cantilever beam micro opto mechanical switch are studied theoretically,with which the dependence of the flexion on the applied voltage is derived,as well as the formula of the threshold *** applied voltage,having no connection with the width of the beam,is in inverse proportion to the square of the beam's *** deflection at the beam's tip cannot exceed 1/3 of the distance between two adjacent *** results are the basis of the switch design and development.

关键词： MEMS optical switch cantilever beam threshold voltage

MOVPE InGaAs/InP双异质结激光器

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高技术通讯 1993年第3期 16-17页

作者：段树坤李晶黄杰熊飞克徐遵图郑婉华徐俊英陈良惠中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室

采用LP-MOVPE技术,研制出InGaAs/InP双异质结宽接触和质子轰击条形激光器。宽接触室温阈电流密度为1.6kA/cm;。质子轰击条宽为8μm,腔长为320μm时,室温阈电流为180mA。

关键词：双异质结激光器 InGaAs/InP MOVPE

用MBE在非平面衬底上生长的掩埋脊形多量子线列阵

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Journal of Semiconductors 1993年第7期14卷 456-459,T001页

作者：钱毅徐俊英徐遵图张敬明肖建伟陈良惠王启明周小川蒋健钟战天中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京100083 中国科学院表面物理实验室北京100080

本文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理... 详细信息

本文在国际上首次报道,在用常规光刻技术和化学腐蚀技术制备的非平面GaAs衬底上,利用一次分子束外延技术研制成功掩埋脊形GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子线列阵结构。电镜及常规光致发光和微区光致发光测量给出了二维量子限制的证据,理论分析和数值计算也表明了横向载流子限制的有效尺寸是在量子尺寸范围之内。

关键词：量子线阵列分子束外延量子器件

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

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激光与红外 2005年第8期35卷 593-595页

作者：孙永伟张秀兰杨国华叶晓军陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的... 详细信息

以硅作为砷化镓分子束外延(MBE)生长中的n型掺杂剂,为了确定硅的掺杂浓度,在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层,每一层中进行不同浓度的Si掺杂,然后用电化学C-V的方法确定各层中的载流子浓度,一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面,使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。

关键词：分子束外延MBE 硅掺杂砷化镓电化学C—V

抓住时机紧急布署纳米量子结构、量子器件及其集成技术的基础研究

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微纳电子技术 2003年第1期40卷 4-5页

作者：黄昆郑厚植甘子钊王启明王迅陈良惠

着重强调了纳米技术研究在量子物理领域中的重要性;建议不仅应该重视在较短的时间内就可以容易地产生影响的应用领域的研究,而且应该对基础理论研究给予更大的重视,因为基础研究通常能够带来理论和基本原理方面新的发现和突破,从而带给... 详细信息

着重强调了纳米技术研究在量子物理领域中的重要性;建议不仅应该重视在较短的时间内就可以容易地产生影响的应用领域的研究,而且应该对基础理论研究给予更大的重视,因为基础研究通常能够带来理论和基本原理方面新的发现和突破,从而带给人类新的变革。

关键词：纳米量子结构量子器件集成技术基础研究

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21世纪的纳米技术

物理通报 2001年第6期22卷 1-2页

作者：黄昆郑厚植甘子钊王启明王迅陈良惠中国科学院

在新旧世纪交替之际,纳米科技异军突起,受到全世界的关注。世界各主要国家均把纳米科技当作在未来最有可能取得突破的科学和工程领域。美国为此制定了《国家纳米技术战略》,前总统克林顿还在加州理工大学发表了一篇脍炙人口的演讲,呼吁... 详细信息

在新旧世纪交替之际,纳米科技异军突起,受到全世界的关注。世界各主要国家均把纳米科技当作在未来最有可能取得突破的科学和工程领域。美国为此制定了《国家纳米技术战略》,前总统克林顿还在加州理工大学发表了一篇脍炙人口的演讲,呼吁美国国会给国家纳米技术计划拨款4.97亿美元。

关键词： 21世纪纳米技术纳米量子结构量子器件

128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面阵列

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Journal of Semiconductors 2005年第10期26卷 2044-2047页

作者：苏艳梅种明张艳冰胡小燕孙永伟赵伟陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083 中国电子科技集团第十一研究所(华北光电所) 北京100015 中科光电有限公司北京100083

研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率... 详细信息

研制了128×160元GaAs/AlGaAs多量子阱红外焦平面阵列,它是目前国内报道的最大像元数的量子阱红外焦平面阵列.77K时,器件的平均黑体响应率Rv=2.81×107V/W,平均峰值探测率Dλ=1.28×1010cm·W-1·Hz1/2,峰值波长λp=8.1μm,器件的盲元率为1.22%.

关键词：红外探测器量子阱焦平面阵列

InGaAsP/InP二维半导体光子晶体激光器的研究

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红外与激光工程 2007年第Z1期36卷 283-287页

作者：郑婉华任刚邢名欣杜晓宇王科陈良惠中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室北京100083

光子晶体具有调控光子的能力,而光子晶体激光器的实现则证实了这种调控能力。描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究,主要介绍了点缺陷型光子晶体微腔激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用... 详细信息

光子晶体具有调控光子的能力,而光子晶体激光器的实现则证实了这种调控能力。描述了基于InGaAsP/InP材料的二维半导体光子晶体激光器的研究,主要介绍了点缺陷型光子晶体微腔激光器的理论设计、模拟分析及与器件性能的比较。理论上采用平面波展开法和三维有限时域差分法,分析了通过采用调整点缺陷腔的最近临空气孔的尺寸,可以提高光学微腔的品质因子Q,从而提高激光器的工作性能,降低激光器的激射阈值,实验中研制了不同近邻孔径尺寸的激光器,观测到激光器激射阈值降低的现象,实验结果与理论模拟相一致,除此之外,还实现了光子晶体三角形腔和H2腔激光器的激射。

关键词：光子晶体激光器有限时域差分品质因子

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

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Journal of Semiconductors 2005年第11期26卷 2213-2217页

作者：徐云郭良曹青宋国峰甘巧强杨国华李玉璋陈良惠中国科学院半导体研究所北京100083

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95... 详细信息

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658·4nm.器件的内损耗为4·1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.

关键词：半导体激光器 AlGaInP可见光激光器应变量子阱