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高阻硅单晶欧姆接触的研究

应用科学学报 1988年第3期 227-232页

作者：陈存礼陈正夫陈毅平钟信群上海市环境监测中心上海电子器材厂南京大学

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过3... 详细信息

本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合电火花技术,简捷地分别使高达20000Ωcm的p型硅和4000Ωcm的n型硅都能得到良好的欧姆接触特性,并且在经过30次从300K到77K往返循环后仍保持线性的I-V特性.本文通过对不同温度的I—V特性、接触电阻率和离子探针的测量,结合金属对硅接触的接触电阻率与掺杂浓度的关系计算,讨论了欧姆接触的形成和载流子输运的特征.本方法已成功地用于高阻硅材料杂质补偿度和载流子迁移率的测量.

关键词：欧姆接触高硼合金高阻硅接触电阻率单晶晶形电流输运

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黄浦江上游优先控制有机物的筛选

环境监测管理与技术 1996年第5期8卷 13-15页

作者：王向明万方杨银锁陈正夫上海市环境监测中心珠海醋酸纤维有发公司质检部同济大学环境工程国家重点实验室

参考国内外同行有关先控制物的筛选方法，通过黄浦江上游饮用水源保护区内水质的污染现状分析，确立黄浦江上游水源保护区内优先控制污染物的筛选原则和筛选程序。

关键词：优先控制筛选水污染黄浦江上游有机污染物

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恶臭物质变化规律初探

恶臭物质变化规律初探

第二届全国恶臭污染测试及控制技术研讨会

作者：陈正夫王向明山祖慈周亚康同济大学污染控制与资源化国家重点实验室上海市环境监测中心

恶臭物质的变化形式主要有光降解、微生物降解和化学转化三种形式,各自遵循一定的规律。这些变化的规律已经在恶臭污染的治理中得到应用。

关键词：光降解微生物降解化学转化应用

来源： cnki会议评论

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GC/MS在环境水域监测中的应用及进展

环境监测管理与技术 1993年第4期5卷 14-17页

作者：于晓兵陈正夫林子森楼成林王向明 Finnigan-MAT质谱公司 100081 上海同济大学环境工程学院 200092 上海复旦大学 200433 上海环境监测中心 200030

介绍了GS/MS在水域中的油污染、农药和难挥发性有机物监测方面的应用及进展.对超临界流体萃取分离复杂环境中PAH、PCB的新技术作了综述.

关键词：水质监测进展 GC/MS 环境水域

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高阻N型硅的欧姆接触

电子学报 1986年第3期 120-122页

作者：陈存礼陈正夫陈毅平钟信群上海电子器材厂南京大学物理系

用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接触的接触电阻率和掺杂浓度的关系,并与实验作了比较。本方法已... 详细信息

用银头烙铁直接把InAuSbNi合金(91:7:1:1)涂敷在硅片上,再经450℃的热处理,在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接触的接触电阻率和掺杂浓度的关系,并与实验作了比较。本方法已成功地用于杂质补偿度的测量。

关键词：欧姆接触掺杂浓度 cm Ni 金属金属材料接触电阻率高阻

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如何降低水中VOC分析的检测限

环境监测管理与技术 1999年第4期11卷 15-19页

作者：王向明陈正夫王玲利胡耀铭邵波上海市环境监测中心同济大学污染控制与资源化研究国家重点实验室复旦大学分析测试中心

环境中挥发性有机污染物（ＶＯＣ）的存在很复杂，随着ＶＯＣ治理技术的进步，环境水中ＶＯＣ浓度有不断降低的趋势，要求ＶＯＣ分析具有更低的检测限。通过对环境水前处理过程采用优化吹扫捕集条件来扩大试样量、选择高灵敏度的检测器... 详细信息

环境中挥发性有机污染物（ＶＯＣ）的存在很复杂，随着ＶＯＣ治理技术的进步，环境水中ＶＯＣ浓度有不断降低的趋势，要求ＶＯＣ分析具有更低的检测限。通过对环境水前处理过程采用优化吹扫捕集条件来扩大试样量、选择高灵敏度的检测器以及降低前处理过程的空白值、提纯分析用水；优化ＶＯＣ色谱分离条件，确保色谱峰良好分离来降低试样和空白值的标准偏差的研究。

关键词：检测极限有机污染物挥发性水质分析

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控制造纸废水对水源污染的调查报告

环境监测管理与技术 1997年第4期9卷 15-17页

作者：陈正夫王向明楼成林马礼敦朱明华同济大学污染控制与资源化国家重点实验室上海市环境监测中心复旦大学分析测试中心华东理工大学化学系

采用常规综合指标结合ＧＣ／ＭＳ技术对某造纸厂造纸废水的产生、治理和排放情况进行了调查与分析，讨论了控制造纸废水对水源污染的措施。

关键词：造纸废水水污染污染控制调查

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用电火花技术制作P型高阻硅的欧姆接触

南京大学学报(自然科学) 1987年第4期 665-671页

作者：陈存礼陈正夫汪庆法张建宇陈毅平钟信群上海电子器材厂上海有色金属研究所上海市环境监测中心南京大学物理系

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在 P 型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm 的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探... 详细信息

检测高阳硅单晶材料的杂质补偿度和迁移率时,必须要有良好的欧姆接触。本文提出用银头烙铁将多元合金(InBAlNi)涂敷在 P 型硅片上,经电火花放电技术可对电阻率高达1000Ωcm 的样品制成欧姆接触。通过电流电压特性、接触电阻率和离子探针的测量,讨论了欧姆接触的机理和载流子输运的特征。电火花技术使多元合金与高阻 P 型硅样品在电容器放电的瞬间所产生的高能量作用下,交界面处的硅与合金相互熔融,冷却时,电活性受主元素又以高浓度析出,使原来的高阻硅变为 P~+,形成了欧姆接触。不同温度的接触电阻率测量,结合与掺杂浓度关系的计算表明,穿过金属与半导体硅接触的电流输运是热离子场发射机理,载流子隧穿势垒是主要的输运过程。

关键词：高阻硅欧姆接触接触电阻率电火花放电技术热离子场发射载流子输运隧穿势垒

分析高纯SiHCl3中硼时为什么可不加络合剂

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理化检验.化学分册 1983年第1期 53-53页

作者：陈正夫上海电子器材厂

SiHCl3经精馏提纯可作为半导体多晶硅的原料。为确保硅的质量,必须对精馏料中杂质硼进行分析和控制。通常试样在氮气保护下挥发掉基体使硼得到富集,然后用化学光谱法测定。资料介绍挥发时为防止硼的损失,要求加络合剂三苯基氯甲烷或乙... 详细信息

SiHCl3经精馏提纯可作为半导体多晶硅的原料。为确保硅的质量,必须对精馏料中杂质硼进行分析和控制。通常试样在氮气保护下挥发掉基体使硼得到富集,然后用化学光谱法测定。资料介绍挥发时为防止硼的损失,要求加络合剂三苯基氯甲烷或乙腈。我们在试验中发现:不加络合剂并不影响测定结果,见表1。其原因从下面二个方面进行讨论:

关键词：络合剂三苯基苯基氯氯甲烷三芳基氯代烃空白值 SiHCl3 富集条件