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检索条件"作者=陈云良"
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新医改背景下政府公共医疗服务义务研究
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湖南师范大学社会科学学报 2012年 第1期41卷 18-22页
作者: 陈云良 何聪聪 中南大学法学院
政府的医疗服务义务不是天然产生的,而是随着保障公民权利的需要形成的。我国政府的公共医疗服务义务主要来源于宪法、国际条约和政府公共服务政策的相关规定。要实现医改方案中人人享有基本的医疗服务的目标,政府应当通过公立医院提供... 详细信息
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ZnSe-ZnTe应变层超晶格的分子束外延生长及特性分析
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Journal of Semiconductors 1991年 第10期12卷 583-587页
作者: 沈爱东 崔捷 陈云良 徐梁 王海龙 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800
运用MBE/FWIII设备成功地生长了高质量的ZnSe-ZnTe应变层超晶格.对材料的特性进行了俄歇电子能谱、低角度X射线衍射、光荧光及拉曼光谱等分析测试.并首次观测到ZnSe层内6个LO声子限制模.
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临终医疗的人权法理——“尊严死”概念与边界的思考
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人权 2021年 第3期 110-127页
作者: 陈云良 陈伟伟 中南大学医疗卫生法研究中心 中南大学法学院
尊严死是人的生命尊严在临终医疗语境下的体现,但在其概念的发展上却异化为一种单一的死亡方式,且常与安乐死概念相混淆,重新阐述尊严死之内涵具有理论和现实的紧迫性。尊严死是尊严的主体性价值反映于临终情境之中,其以平等、自由、德... 详细信息
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基于环对称掺气的液体射流泵试验研究
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排灌机械工程学报 2022年 第3期40卷 223-229页
作者: 李梦秋 陈云良 华有明 徐永 四川大学水力学与山区河流开发保护国家重点实验室 四川成都610065
为改善液体射流泵性能,提出了在喉管处环对称掺气的方法.通过射流泵水力试验,研究了不同掺气条件下各流量比工况的基本性能及空化特征.试验表明:喉管适量掺气后,未达到极限流量比工况时压力比总体略有提升,效率变化率增值为0.3%~4.9%,... 详细信息
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分子束外延Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe超晶格的拉曼光谱
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光学学报 1995年 第6期15卷 693-695页
作者: 叶海 陈云良 李爱莲 王海龙 中国科学院上海光学精密机械研究所
运用分子束外延(MBE)技术成功地生长出Zn1-xCdxSe/ZnSe超晶格,并对不同的样品进行了拉曼散射光谱的测试。获得了多达5级的ZnSe的LO声子峰和ZnSe的TO声子峰;同时还在频移为144cm-1、370c... 详细信息
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立轴旋涡多圈螺旋流场特性研究
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四川大学学报(工程科学版) 2007年 第1期39卷 13-17页
作者: 陈云良 伍超 叶茂 陈建叶 陈宗娜 四川大学水力学与山区河流开发保护国家重点实验室 四川成都610065 四川大学水利水电学院 四川成都610065
为描述进水口前立轴旋涡多圈螺旋的流场特性,运用数值模拟、试验研究和理论公式3种方法。其中,数模采用VOF法追踪自由水面,试验中用有色颜料作为示踪介质,3个方向速度的理论公式中增加了随轴向的变化。结果表明,在轴对称条件下,对数模... 详细信息
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过水围堰溢洪的全域三维数值模拟
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四川大学学报(工程科学版) 2009年 第6期41卷 28-35页
作者: 陈云良 张林 张锦堂 张亮 伍超 王波 四川大学水力学与山区河流开发保护国家重点实验室 四川成都610065 四川大学水利水电学院 四川成都610065 中国水电顾问集团西北勘测设计研究院 陕西西安710065
过水围堰由于涉及范围广、边界复杂,溢洪的全域三维数值模拟还较为欠缺。为实现物理模型与数值计算的互补,采用紊流模型对上、下游过水围堰及基坑,包括部分河道进行了三维数值模拟。给出典型工况围堰的泄流能力,消能平台水气两相流特性... 详细信息
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Ⅱ—Ⅵ族宽带隙半导体的分子束外延
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量子电子学 1992年 第4期9卷 382-386页
作者: 徐梁 陈云良 王海龙 中国科学院上海光学精密机械研究所 201800
我们用分子束外延法已生长出了ZnSe、ZnTe单晶薄层。外延层的生长速率基本上由分子束流量和衬底温度决定。本文讨论了这种二元化合物的生长速率,包括衬底温度、结晶性及分子束强度,并和实验结果作了比较分析。所获得的生长速率与衬底温... 详细信息
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法的模糊性初论
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岳麓法学评论 2000年 第1期 9-14页
作者: 陈云良 湖南省政法管理干部学院
法永远是模糊的,法的模糊性是其绝对属性,法的确定性只在相对意义上存在。法的模糊性是指法律所具有的归属不完全的属性,它是与法的普遍性相伴生的基本技术特征。对法的模糊性现象,可以用模糊理论来研究,本文认为可以用模糊数学方法对... 详细信息
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Li掺杂p型ZnSe的分子束外延生长
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科学通报 1993年 第1期38卷 27-29页
作者: 陈云良 崔捷 沈爱东 屠玉珍 王海龙 中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800
宽带隙的Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnSe,室温带隙为2.7eV,是研制高效蓝色发光器件最有潜在用途的材料。要用ZnSe材料制作高质量的结型器件,关键在于外延薄膜时有意掺入一定量的杂质,使这种材料具有人为控制的导电类型。宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物都... 详细信息
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