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T10钢深冷处理的组织和力学性能

材料热处理学报 2014年第11期35卷 51-55页

作者：孙莹于庆波闵昊徐州工程学院机电工程学院江苏徐州221008

将T10钢分别进行了淬火+回火(常规热处理)和淬火+回火+深冷处理的对比实验,对两种不同热处理工艺后的试样进行了OM、SEM观察,力学性能检测及摩擦磨损实验。结果表明,在相同条件下经24 h深冷处理后的T10钢硬度提高了2.1 HRC,体积磨损量下... 详细信息

将T10钢分别进行了淬火+回火(常规热处理)和淬火+回火+深冷处理的对比实验,对两种不同热处理工艺后的试样进行了OM、SEM观察,力学性能检测及摩擦磨损实验。结果表明,在相同条件下经24 h深冷处理后的T10钢硬度提高了2.1 HRC,体积磨损量下降76.7%,同时冲击韧性也得到改善。XRD研究表明,与常规热处理相比,深冷处理24 h后试样残留奥氏体含量降低了38.2%。深冷处理后T10钢性能显著提高的原因是深冷处理促进细小弥散的碳化物从马氏体中析出以及残留奥氏体含量的降低。

关键词：深冷处理耐磨性残留奥氏体马氏体

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标准数字CMOS工艺正交压控振荡器设计

湖南大学学报（自然科学版） 2015年第8期42卷 94-99页

作者：潘达杉黄金明冯勇闵昊专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学上海上海高性能集成电路设计中心上海201204

正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦... 详细信息

正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字CMOS工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12GHz,频率调节范围为10%,1M频偏处的相位噪声为-112dBc,相位误差小于0.39°.

关键词： QVCO phase noise CMOS工艺

技术创新导向型校内创业苗圃系统构建探索-复旦大学IC创新工场培育模式分析

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中国大学教学 2017年第10期 38-41页

作者：林青闵昊复旦大学微电子学院复旦大学创新创业学院

IC创新工场是复旦大学面向集成电路专业领域建设的校内创业苗圃,在构建中尝试了许多新的举措:开放共享的资源深植在学校优势学科和国家重点实验室中;将创新创业教育过程与学校师资、国家设备资源和企业市场需求深度融合;全力解放对创业... 详细信息

IC创新工场是复旦大学面向集成电路专业领域建设的校内创业苗圃,在构建中尝试了许多新的举措:开放共享的资源深植在学校优势学科和国家重点实验室中;将创新创业教育过程与学校师资、国家设备资源和企业市场需求深度融合;全力解放对创业团队的股权束缚并大幅降低创新门槛和试错成本。在培育过程中充分利用学校技术创新优势,注重支持项目的创意实现、创新验证和创业整合。

关键词：创新工场创业苗圃集成电路创新实践系统构建

密集散射粒子的辐射传输和冰雪遥感的数值特征

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计算物理 1992年第A2期9卷 793-796页

作者：金亚秋闵昊复旦大学电子工程系上海200433

本文讨论一层密集随机分布的球形散射粒子矢量辐射传输方程的数值求解方法。得到冰雪遥感中辐射亮度温度和各物理参数之间的定量的函数关系,并与实验数据取得很好的一致。

关键词：遥感冰晶散射辐射转移数值计算

一种新体系结构、带Java功能的32位嵌入式微处理器设计

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小型微型计算机系统 2005年第1期26卷 90-95页

作者：徐科忻凌朱柯嘉闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

针对嵌入式系统设计了一个带 Java功能的 32位嵌入式微处理器 ,具有两种工作模式 ,支持本地 RISC指令集和 Java字节码两套指令系统 ,并能够在两种状态之间进行无缝的切换 .与现有的同类微处理器比较 ,性能有较大提高 .

关键词：嵌入式精简指令计算机流水线通用寄存器组 Java cache 堆栈折叠前推

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无线射频通信中改进式功放数字预失真技术

复旦学报（自然科学版） 2010年第1期49卷 126-131页

作者：刘宗明谈熙闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

提出了一种用于无线射频通信系统中补偿由于高功率放大器引起的非线性失真的改进式的基带查找表预失真方法.查找表预失真方法是基于对高功率放大器的非线性特性进行训练,由训练得到的功放非线性参数对功放进行线性化校正,以达到预失真... 详细信息

提出了一种用于无线射频通信系统中补偿由于高功率放大器引起的非线性失真的改进式的基带查找表预失真方法.查找表预失真方法是基于对高功率放大器的非线性特性进行训练,由训练得到的功放非线性参数对功放进行线性化校正,以达到预失真补偿的效果.由计算机仿真结果和实测结果表明,该方法具有稳定性高、收敛速度快、补偿算法简单、硬件开销较少、补偿效果较好等优点.

关键词： RFID 高功率放大器数字基带预失真查找表 ACP

放射状双pn结抑制片上电感衬底损耗(英文)

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Journal of Semiconductors 2005年第7期26卷 1328-1333页

作者：菅洪彦唐珏唐长文何捷闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏... 详细信息

使用标准CMOS工艺,在放射状的n阱上面扩散p+,使垂直和水平方向形成双pn结,将此结放在电感的底部用来抑制衬底损耗.提出并实验证明了该结构形成的高阻区厚度不是垂直pn结耗尽层的厚度,而是最低层的pn结的深度.首次通过接地的p+扩散层屏蔽电感到衬底电场,水平和垂直pn结耗尽层厚度随着pn结反向偏压升高改变衬底有效的高阻区厚度,电感品质因数跟随高阻区厚度升降,有效地证明了pn结衬底隔离可以降低电感的衬底电流造成的损耗.

关键词：片上电感放射状双pn结涡流衬底损耗

深亚微米Sigma-Delta ADC设计方法研究

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固体电子学研究与进展 2007年第1期27卷 63-68页

作者：詹陈长王勇周晓方闵昊周电复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

通过一个0.18μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程,与传统流程相比,在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法... 详细信息

通过一个0.18μm CMOS工艺、低功耗Sigma-Delta ADC调制器(SDM)部分的设计研究,提出了一种深亚微米下混合信号处理系统的设计方法,论述了从系统级行为验证到电路级验证的设计流程,与传统流程相比,在行为级验证中采用了SIMULINK建模方法,在电路级的验证中,提出了从宏模型验证到晶体管级细电路验证这样一种新颖的设计方案,其中所提出的宏模型以6.5%的仿真时间获得97.5%的仿真精度,晶体管级电路以此指标设计,确保其一次验证通过,提高了系统设计效率。

关键词：深亚微米 Sigma—Delta 模数转换器混合信号宏模型设计方法

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CMOS工艺下的温度检测电路的设计

固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 231-234页

作者：陈良生洪志良闵昊李联复旦大学信息科学与工程学院微电子系上海200433

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100... 详细信息

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。

关键词：互补金属氧化物半导体温度检测集成电路设计