检索结果-南通市图书馆

Adaptive IF selection and IQ mismatch compensation in a low-IF GSM receiver

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Journal of Semiconductors 2012年第6期33卷 71-78页

作者：张成王丽芳谈熙闵昊 State Key Laboratory of ASIC & System Fudan University

This paper presents an algorithm that can adaptively select the intermediate frequency（IF） and compensate the IQ mismatch according to the power ratio of the adjacent channel interference to the desired signal in a low-IF GSM *** IF can be adaptively selected between 100 and 130 *** result shows an improvement of phase error from 6.78°to 3.23°.Also a least mean squares（LMS） based IQ mismatch compensation algorithm is applied to improve image rejection ratio（IRR） for the desired signal along with strong adjacent channel *** IRR is improved from 29.1 to 44.3 dB in *** design is verified in a low-IF GSM receiver fabricated in SMIC 0.13μm RF CMOS process with a working voltage of 1.2 V.

关键词： low-IF adaptive selection phase error IRR LMS algorithm power ratio

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

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Journal of Semiconductors 2005年第4期26卷 775-780页

作者：韩益锋李强闵昊谢文录复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海华虹集成电路有限责任公司上海201203

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电... 详细信息

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered0.35μmCMOS工艺流片,电源电压为1.2～2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.

关键词：射频识别电子标签振荡器低电压低功耗

国产自主超高频射频识别标签芯片的研发与应用

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警察技术 2017年第3期 13-16页

作者：闵昊上海坤锐电子科技有限公司

对比GB29768和国际标准ISO 18000-6C,分析了GB29768针对我国国情的协议改进和优势,并着重介绍了RFID标签的安全协议。在此基础上,详细介绍了一款基于自主协议的国产自主超高频射频识别标签芯片,并给出了设计这款芯片的关键技术。

关键词：自主研发 RFID技术 GB29768RFID标签芯片安全协议

High-precision high-sensitivity clock recovery circuit for a mobile payment application

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Journal of Semiconductors 2011年第5期32卷 111-116页

作者：孙立崇任文亮闫娜闵昊 State Key Laboratory of ASIC & System Fudan University Quanray Electronics Co. Ltd.

This paper presents a fully integrated carrier clock recovery circuit for a mobile payment application. The architecture is based on a sampling-detection module and a charge pump phase locked loop. Compared with clock recovery in conventional 13.56 MHz transponders, this circuit can recover a high-precision consecutive carrier clock from the on/off keying （OOK） signal sent by interrogators. Fabricated by a SMIC 0.18-μm EEPROM CMOS process, this chip works from a single power supply as low as 1.5 V. Measurement results show that this circuit provides 0.34% frequency deviation and 8 mV sensitivity.

关键词： clock recovery mobile payment PLL OOK RFID

一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路(英文)

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Journal of Semiconductors 2008年第3期29卷 433-437页

作者：车文毅闫娜杨玉庆闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室及AUTO-ID实验室上海201203

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在-40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功... 详细信息

提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在-40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计中,提出了一些新的电路结构来降低系统功耗,其中包括一种零静态功耗的上电复位电路和一种新的稳压电路.该射频/模拟前端电路采用不带肖特基二极管0.18μm CMOS EEPROM工艺流片实现,它与数字基带、EEPROM一起实现了一个完整的标签芯片.测试结果表明,该芯片的最低电源电压要求为0.75V.在该最低电压下,射频/模拟前端电路的总电流为4.6μA.

关键词：射频识别技术标签低电压低功耗温度补偿

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智能卡领域的一大技术进步——双界面卡

安防科技 2003年第6期 34-35页

作者：闵昊

1 关于双界面卡随着世界各地信息技术和经济的飞速发展,人们之间的经济和信息交流越来越频繁,同时人们也一直在寻找各种便捷的交流媒介,从早期的磁卡到后来的存储卡、逻辑加密卡以及现在很多领域中正在使用的接触式CPU卡(智能卡)。目... 详细信息

1 关于双界面卡随着世界各地信息技术和经济的飞速发展,人们之间的经济和信息交流越来越频繁,同时人们也一直在寻找各种便捷的交流媒介,从早期的磁卡到后来的存储卡、逻辑加密卡以及现在很多领域中正在使用的接触式CPU卡(智能卡)。目前智能卡在我们的生活中发挥着不可替代的作用,但是在接触式智能卡的进一步普及过程中却存在很多障碍:接触式智能卡与卡机具间的磨损,大大缩短了其使用寿命;接触不良会导致传输数据出错;大流量的场所,由于存在插拔卡的

关键词：双界面卡芯片智能卡非接触式卡领域

一种适用于射频电子标签的超低功耗嵌入式EEPROM(英文)

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Journal of Semiconductors 2006年第6期27卷 994-998页

作者：闫娜谈熙赵涤燹闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 autoid实验室上海201203

采用Chartered0.35μmEEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EE PROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦... 详细信息

采用Chartered0.35μmEEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EE PROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.

关键词：射频识别 EEPROM 存储器电荷泵敏感放大器低功耗

应用于软件无线电接收机中的无源下变频混频器

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 147-151,184页

作者：孟德超张成周春媛闫娜谈熙闵昊复旦大学专用集成电路重点实验室上海201203

设计了一个应用于软件无线电接收机中的宽带无源下变频混频器,采用SMIC 0.13μm RF工艺实现,芯片面积0.42 mm2。测试结果表明:在1.2 V电源电压下消耗了9 mA电流,工作频段0.9～2.2 GHz,电压转换增益17 dB,IIP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,... 详细信息

设计了一个应用于软件无线电接收机中的宽带无源下变频混频器,采用SMIC 0.13μm RF工艺实现,芯片面积0.42 mm2。测试结果表明:在1.2 V电源电压下消耗了9 mA电流,工作频段0.9～2.2 GHz,电压转换增益17 dB,IIP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5～18.1 dB,1/f噪声转角频率36～58 kHz。

关键词：宽带无源下变频混频器软件无线电接收机互补金属氧化物半导体

CMOS电感电容压控振荡器中对称噪声滤波技术的研究

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微电子学与计算机 2007年第5期24卷 41-44页

作者：杨丰林闵昊沈绪榜复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 西安微电子技术研究所陕西西安710054

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器的对称噪声滤波技术。仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB。应用对称噪声滤波技术设计一个4.8GHz压控振荡器,在0.25μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏离载波1MHz时... 详细信息

提出一种基于CMOS电感电容压控振荡器的对称噪声滤波技术。仿真结果表明,对称噪声滤波技术能够在相同的功耗下改善相位噪声6dB。应用对称噪声滤波技术设计一个4.8GHz压控振荡器,在0.25μm CMOS工艺上制造,测试结果表明在偏离载波1MHz时相位噪声为-123.66dBc/Hz,整个振荡器的功耗仅为12mW,与同类型的压控振荡器比较,取得很好的PFTN指标。

关键词：射频集成电路压控振荡器相位噪声噪声滤波