检索结果-南通市图书馆

表面活性剂在集成电路多层布线CMP工艺中的应用研究

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润滑与密封 2024年第1期49卷 155-162页

作者：占妮牛新环闫晗罗付屈明慧刘江皓邹毅达周建伟河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表... 详细信息

随着集成电路(IC)特征尺寸不断缩小,集成电路多层布线加工精度面临更高的要求,而化学机械抛光(CMP)凭借化学腐蚀和机械磨削的耦合协同作用,成为实现晶圆局部和全局平坦化的唯一可靠技术。抛光液作为CMP工艺中关键要素之一,其主要成分表面活性剂的选择以及含量会严重影响晶圆的表面质量。介绍表面活性剂的特性及其类型,回顾近年来国内外表面活性剂在集成电路多层布线相关材料CMP中的应用及作用机制,归纳总结得出表面活性剂在CMP过程中可以起到缓蚀保护、增强润湿、分散磨料、去除晶圆表面残留污染等多种作用,具有广泛的应用领域。同时,对表面活性剂在CMP中的应用前景进行了展望。

关键词：表面活性剂化学机械抛光多层布线集成电路抛光液

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半导体材料CMP过程中磨料的研究进展

微纳电子技术 2024年第1期61卷 21-34页

作者：何潮牛新环刘江皓占妮邹毅达董常鑫李鑫杰河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130 河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心天津300130 河北省微电子专用材料与器件工程中心天津300130

对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性... 详细信息

对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。

关键词：化学机械抛光(CMP) 抛光性能磨料去除速率表面质量

CMP抛光液中SiO_(2)磨料分散稳定性的研究进展

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微纳电子技术 2024年第2期61卷 25-35页

作者：程佳宝石芸慧牛新环刘江皓邹毅达占妮何潮董常鑫李鑫杰河北工业大学电子信息工程学院天津300130 天津市电子材料与器件重点实验室天津300130

对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过... 详细信息

对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过分析Zeta电位绝对值的范围、凝胶时间的长短、粒径随时间的变化和接触角等,总结了小粒径(35 nm左右)SiO_(2)磨料在抛光液中的分散机理,同时探讨了弱碱性环境对磨料Zeta电位的影响,阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对磨料表面的作用机理和复配使用的效果,以及表面疏水化或亲水化改性对磨料分散稳定性的影响。最后对该领域未来的发展方向进行了展望。

关键词：化学机械抛光(CMP) SiO_(2)磨料表面活性剂分散稳定性 pH值

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运动构件碰撞分离的辨识及其再次碰撞研究

兵工学报 1992年第3期13卷 74-79页

作者：黄伟邹毅达华东工学院

在已有的系统动力有限元方程基础上,通过引入碰撞分离和再次碰撞的辨识准则,进一步研究了运动构件间的碰撞问题。首次提出了分析运动构件多次碰撞问题的一种数值计算方法,为深入研究自动武器闭锁机构运动构件的强度与寿命问题,提供了一... 详细信息

在已有的系统动力有限元方程基础上,通过引入碰撞分离和再次碰撞的辨识准则,进一步研究了运动构件间的碰撞问题。首次提出了分析运动构件多次碰撞问题的一种数值计算方法,为深入研究自动武器闭锁机构运动构件的强度与寿命问题,提供了一条分析途径。实例表明,本文结果有足够的精确性。

关键词：自动武器碰撞辨识闭锁机构

winkler地基上弹性圆薄板受刚体撞击的动力响应

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爆炸与冲击 1992年第3期12卷 239-246页

作者：黄伟邹毅达华东工学院南京210014

本文针对工程实际中所遇到的撞击问题,在事先仅知撞击体初始速度的条件下,研究分析了半无限粘弹性Winkler地基上的弹性圆薄板受刚体撞击的动力响应问题,推导出了关于撞击力F(t)的非线性Volterra积分方程,给出了薄板位移响应W(r,θ,t)的... 详细信息

本文针对工程实际中所遇到的撞击问题,在事先仅知撞击体初始速度的条件下,研究分析了半无限粘弹性Winkler地基上的弹性圆薄板受刚体撞击的动力响应问题,推导出了关于撞击力F(t)的非线性Volterra积分方程,给出了薄板位移响应W(r,θ,t)的一般表达式,并给出了相应的数值求解方法。作为实例,本文对周边固定的弹性圆薄板在圆心处受刚球撞击问题进行了分析计算,并对某些参数的影响进行了讨论。

关键词：撞击粘弹性地基动力响应圆板

受撞击Winkler基支弹性板的撞击力计算及其动力响应分析

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计算物理 1994年第2期11卷 134-140页

作者：黄伟邹毅达南京理工大学

研究了半无限线性粘弹性Ｗｉｎｋｌｅｒ基础上的任意形状弹性板受低速物体撞击的动力响应分析问题，在仅知撞击体初始运动速度的条件下，推导出了关于撞击力Ｆ（ｔ）的的非线性Ｖｏｌｔｅｒｒａ积分方程，得出了板的横向位移响应Ｗ（ｘ... 详细信息

研究了半无限线性粘弹性Ｗｉｎｋｌｅｒ基础上的任意形状弹性板受低速物体撞击的动力响应分析问题，在仅知撞击体初始运动速度的条件下，推导出了关于撞击力Ｆ（ｔ）的的非线性Ｖｏｌｔｅｒｒａ积分方程，得出了板的横向位移响应Ｗ（ｘ，ｙ，ｔ）的一般表达式，并给出了一种求解计算的数值方法。计算了四边简支弹性方板和周边固定弹性圆板在中心受刚球横向撞击问题，并对结果进行了讨论。

关键词：撞击动力响应弹性板 Winkler基础