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对数跳跃加法器的算法及结构设计

电子学报 2003年第8期31卷 1186-1189页

作者：贾嵩刘飞刘凌陈中建吉利久北京大学微电子研究院北京100871

本文介绍一种新型加法器结构———对数跳跃加法器 ,该结构结合进位跳跃加法器和树形超前进位加法器算法 ,将跳跃进位分组内的进位链改成二叉树形超前进位结构 ,组内的路径延迟同操作数长度呈对数关系 ,因而结合了传统进位跳跃结构面积... 详细信息

本文介绍一种新型加法器结构———对数跳跃加法器 ,该结构结合进位跳跃加法器和树形超前进位加法器算法 ,将跳跃进位分组内的进位链改成二叉树形超前进位结构 ,组内的路径延迟同操作数长度呈对数关系 ,因而结合了传统进位跳跃结构面积小、功耗低的特点和ELM树形CLA在速度方面的优势 .在结构设计中应用Ling′s算法设计进位结合结构 ,在不增加关键路径延迟的前提下 ,将初始进位嵌入到进位链 .32位对数跳跃加法器的最大扇出为 5 ,关键路径为 8级逻辑门延迟 ,结构规整 ,易于集成 .spectre电路仿真结果表明 ,在 0 2 5 μmCMOS工艺下 ,32位加法器的关键路径延迟为 76 0ps,10 0MHz工作频率下功耗为 5 2mW .

关键词：加法器对数跳跃结构设计进位结合

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新一代存储技术：阻变存储器

北京大学学报（自然科学版） 2011年第3期47卷 565-572页

作者：王源贾嵩甘学温北京大学微电子学研究院教育部微电子器件与电路重点实验室北京100871

阻变存储器具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低、有利于提高集成密度等诸多优点,受到广泛的关注。作者论述了RRAM的基本结构和工作原理,并介绍了三维集成和多值存储等RRAM新型技术。

关键词：不挥发性存储器阻变存储器电阻可逆转换三维集成多值存储

基于多级放大结构的高速低功耗时间数字转换器设计

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北京大学学报（自然科学版） 2018年第2期54卷 299-306页

作者：范传奇贾嵩王振宇严伟吴泽波北京大学软件与微电子学院北京100871 教育部微电子器件和电路重点实验室北京大学信息科学技术学院北京100871

提出一种多级放大时间数字转换器新型结构。该结构由粗测和细测组成,粗测部分利用延时链得到小于一个延时单元的关键余量,并设计了面积小、功耗低的关键余量选择逻辑。细测部分,利用两倍时间放大器和过半判断器从高位到低位依次产生4位... 详细信息

提出一种多级放大时间数字转换器新型结构。该结构由粗测和细测组成,粗测部分利用延时链得到小于一个延时单元的关键余量,并设计了面积小、功耗低的关键余量选择逻辑。细测部分,利用两倍时间放大器和过半判断器从高位到低位依次产生4位二进制码。在SMIC 65 nm工艺下仿真,新型结构的分辨率为1.44ps,量程为736 ps,转换速度可达470 MS/s,在100 MHz频率下,平均功耗仅为1.3 m W。对两倍时间放大器设计了校准电路,提高了抵抗PVT的能力,得到良好的积分非线性。

关键词：时间数字转换器时间放大器高速低功耗

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硅藻土素面砖的制备及性能研究

硅藻土素面砖的制备及性能研究

作者：贾嵩阳沈阳理工大学

学位级别：硕士

硅藻土是一种重要的非金属天然矿物原料，具有多微孔、吸附性强、性能稳定、质轻、无毒无害等特点，以硅藻土为原料的装修材料具有保温、隔热、不燃、调节湿度、净化空气等优点，因此，在建筑材料领域开发和利用硅藻土对推进节能环保的... 详细信息

硅藻土是一种重要的非金属天然矿物原料，具有多微孔、吸附性强、性能稳定、质轻、无毒无害等特点，以硅藻土为原料的装修材料具有保温、隔热、不燃、调节湿度、净化空气等优点，因此，在建筑材料领域开发和利用硅藻土对推进节能环保的现代建筑装饰产业发展具有深远意义。我国硅藻土资源丰富，总储量居世界第二位，但其中多数品级较低，目前尚未得到充分利用，如何有效利用这些低品级的硅藻土资源具有重要的现实和实际意义，也是本课题研究的主要内容。本试验研究以二级、三级硅藻土原土为材料，采用单因素试验方法，研究制备硅藻土素面砖的最优技术，其产品的质量指标参考日本硅藻页岩同类产品指标;在此基础上研究多功能硅藻土素面砖的制备技术。本项研究采取干法细磨、标准筛分级等方法，将二、三级硅藻土原土制成一定粒度及粒度分布的精土，模压成型、马弗炉焙烧，万能压力机检测试样的力学性能，吸湿性能测定仪检测吸水性能。研究探讨了硅藻土精土粒度、坯体混合原料加水量、模压成型压力、成型保压时间、坯体粘结剂种类及用量、砖坯焙烧温度、焙烧时间等因素对硅藻土素面砖力学性能、光催化和释放负离子等性能的影响。研究结果表明，当硅藻精土粒度为15μm左右、坯体混合原料含水量为10%，粘结剂为水玻璃且其用量为1%、模压成型压力为2.5MPa，保压时间为25s、砖坯焙烧温度1100℃、焙烧时间2小时的条件下，二、三级硅藻原土都可以制成理想的硅藻土素面砖，其抗折强度达到或稍优于日本硅藻页岩素面砖;二级硅藻原土制成的素面砖吸放湿性能达到日本硅藻页岩素面砖的吸湿指标，吸水率为37.6531%，三级土为基体的素面砖吸水率为27.0026%，比日本硅藻页岩砖稍差。本试验在获得较好抗折强度和吸湿性能的硅藻土素面砖基础上，研究多功能硅藻土基素面砖的制备技术。借于二氧化钛的光催化性和电气石的释放负氧离子性能，在硅藻土精土中分别加入二氧化钛、电气石功能辅料。分别探讨了功能辅料的加入量等因素对二、三级硅藻原土素面砖抗折强度、吸水率、光催化性能和释放负离子性能的影响，利用分光光度计，在紫外光的照射下，测定了不同二氧化钛加入量的硅藻土素面砖亚甲基蓝溶剂降解性能;检测了电气石作为功能辅料的硅藻土素面砖对孔雀石绿溶液降解效果。研究结果表明，加入二氧化钛之后有一定的光催化性能，但是光催化效果不显著;加入电气石制备出来的硅藻土素面砖具有一定的释放负氧离子性能。

关键词：硅藻土素面砖吸湿性制备

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低功耗异或同或电路的设计研究

北京大学学报（自然科学版） 2006年第3期42卷 380-384页

作者：兰景宏王芳吉利久贾嵩北京大学微电子系北京100871

提出了2种传输管实现的新型低功耗异或门结构,UPPL(UnsymmetricalPushPullPassTransistorLogic)结构和CPPL(ComplementaryPushPullPassTransistorLogic)结构,两者均为非互补输入,互补输出,都能够同时产生异或和同或信号,且输出为全摆幅电压。对新结构在0.18μm工艺1.8V电压下进行了hspice仿真,与已有同类电路在速度、功耗和功耗延迟乘积方面进行了比较。UPPL结构和CPPL结构与2003年MohamedElgamel提出的最新设计相比,空负载时,功耗延迟乘积项分别有61.0%和58.4%的降低;扇出为3时,分别有25.3%和45.3%的降低。

关键词：低功耗布尔逻辑异或门界或同或逻辑传输门实现

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FPGA中任务运行空间动态定位算法

计算机应用 2008年第S2期28卷 283-284,290页

作者：杨晓霞贾嵩山东农业大学信息科学与工程学院山东泰安271018 山东省网通公司泰安分公司山东泰安271000

有效地利用现场可编程门阵列(FPGA)的任务运行空间是提高可重构系统性能的重要因素。针对嵌入式实时任务的运行特性,提出一种带有时间维的三维任务空间的动态定位算法。将时间因素与任务运行空间紧密结合,从而有效降低了任务放置算法的... 详细信息

有效地利用现场可编程门阵列(FPGA)的任务运行空间是提高可重构系统性能的重要因素。针对嵌入式实时任务的运行特性,提出一种带有时间维的三维任务空间的动态定位算法。将时间因素与任务运行空间紧密结合,从而有效降低了任务放置算法的时间复杂度。

关键词：现场可编程门阵列动态调度嵌入式实时系统

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栅耦合型静电泄放保护结构设计

物理学报 2007年第12期56卷 7242-7247页

作者：王源贾嵩孙磊张钢刚张兴吉利久北京大学微电子研究院北京100871

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测... 详细信息

提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.

关键词：静电泄放栅耦合金属氧化物半导体场效应管压焊块电容

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带主从式T/H电路的折叠插值A/D转换器

Journal of Semiconductors 2004年第4期25卷 462-467页

作者：刘飞贾嵩卢振庭刘凌吉利久北京大学微电子学研究所北京100871

提出了一种主从式 T/H电路 ,有效解决了折叠 ADC预处理器限制输入信号带宽的问题 ,使预处理电路速度及稳定性得到大幅度改善 ;同时该 T/H结构使用内部差分误差补偿技术 ,在高采样率情况下保持良好的精度 ,有效抑制了电荷注入、时钟馈通... 详细信息

提出了一种主从式 T/H电路 ,有效解决了折叠 ADC预处理器限制输入信号带宽的问题 ,使预处理电路速度及稳定性得到大幅度改善 ;同时该 T/H结构使用内部差分误差补偿技术 ,在高采样率情况下保持良好的精度 ,有效抑制了电荷注入、时钟馈通等问题 .在 1 .2 μm SPDM标准数字 CMOS工艺条件下 ,实现 6 bit CMOS折叠、电流插值 A/D转换器 .仿真结果 :采样频率为 2 5 0 Ms/s时 ,功耗小于 30 0 m W,输入信号带宽约 80 MHz,输入模拟信号和二进制输出码输出之间延迟为 2 .

关键词： ADC CMOS 主从式T/H 折叠电流插值

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隧道场效应晶体管静电放电冲击特性研究

物理学报 2014年第17期63卷 368-375页

作者：王源张立忠曹健陆光易贾嵩张兴北京大学微纳电子学研究院北京100871 微纳电子与集成系统协同创新中心北京100871

随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFE... 详细信息

随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口.

关键词：隧道场效应晶体管(TFET) 静电放电(ESD) 传输线脉冲(TLP) 带带隧穿机理