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Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

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Beijing Synchrotron Radiation Facility 2001年第2期 187-193,页

作者：郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海200433 中国科学院高能物理研究所北京100039

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品... 详细信息

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

关键词：同步辐射X射线反射法薄层异质结构锗 Ge 半导体材料表面偏析分子束外延晶体薄膜生长

三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)

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发光学报 2008年第5期29卷 789-794页

作者：廖辉陈伟华李丁李睿贾全杰杨志坚张国义胡晓东北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心北京100871 中国科学院高能所北京100039

GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。利用原子力显微... 详细信息

GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。利用原子力显微镜表征了样品的(001)面;通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的(002)面作ω/2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量;利用X射线衍射对InGaN/GaN和AlInGaN/GaN这两种量子阱的(002)、(101)、(102)、(103)、(104)、(105)和(201)面做ω扫描,进而得到其摇摆曲线。最后利用PL谱研究了它们的光学性能。通过这些显微结构的分析和研究,揭示了InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构宏观性质不同的结构因素。

关键词： AlInGaN InGaN 量子阱原子力显微镜

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固体薄膜、超薄膜X射线测量结构表征

北京同步辐射装置年报 2002年第1期 145-147页

作者：蒋最敏郑文莉贾全杰姜晓明复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 高能物理所国家同步辐射实验室，北京100039

Microstructure of Epitaxial Er2O3 Thin Film on Oxidized Si （111） Substrate

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Chinese Physics Letters 2007年第6期24卷 1649-1652页

作者：薛宪营王玉柱贾全杰王勇陈雨姜晓明朱燕艳蒋最敏 Institute of High Energy Physics Chinese Academy of Sciences Beijing 100049 Surface Physics Laboratory Fudan University Shanghai 200433

Er2O3 thin films are grown on oxidized Si （111） substrates by molecular beam epitaxy. The sample grown under optimized condition is characterized in its microstructure, surface morphology and thickness using grazing incidence x-ray diffraction （GIXRD）, atomic force morphology and x-ray reflectivity. GIXRD measurements reveal that the Er2O3 thin film is a mosaic of single-crystal domains. The interplanar spacing d in-plane residual strain tensor ell and the strain relaxation degree ε are calculated. The Poisson ratio μ obtained by conventional x-ray diffraction is in good agreement with that of the bulk Er2O3. In-plane strains in three sets of planes, i.e. （440）, （404）, and （044）, are isotropic.

关键词： ATOMIC-LAYER DEPOSITION ERBIUM OXIDE-FILMS GROWTH SI(100) SILICON SI(001)

Microstructural stability of NiO-containing spin valves annealed at room temperature

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Chinese Physics C 2009年第11期33卷 944-948页

作者：张爱梅蔡宏灵翟章印杜军吴小山贾全杰 College of Science Hohai University Lab of Solid State Microstructures Department of Physics Nanjing University BSRF Institute of High Energy Physics CAS

Microstructure of NiO-containing Co/Cu/Co spin valves （CCC-SV） annealed at room temperature for nearly four years has been studied by synchrotron radiation X-ray diffraction. With the annealing time expanding, the thickness of each sub-layer remains nearly unchanged while the interface roughness varies obviously compared with that of samples without annealing. The roughness at the interface of NiO/Co decreases with the annealing time increasing for both of the samples with NiO layer on the top （TSV） and under the bottom （BSV） of CCC-SV. On the other hand, the roughness at Co/Cu interface increases with the annealing time expanding for BSV while it decreases for TSV. These results indicate that the structure of TSV is more stable than that of BSV.

关键词： interface roughness X-ray reflectivity spin valves

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衍射增强成像中的折射角与边界可见度

高能物理与核物理 2007年第10期31卷 982-989页

作者：陈雨贾全杰黎刚王玉柱薛宪营姜晓明陈志华潘琳李红艳中国科学院高能物理研究所北京100049 中日友好医院中日友好临床医学研究所分子化学研究室北京100029

X射线衍射增强成像技术可以精确得到样品内部结构的折射角信息,对提高轻元素物质的成像衬度有着重要的意义.本文对楔型和圆形两种模型样品进行了DEI实验的研究,对3种不同能量的X射线均精确得到了样品的折射角信息,与理论计算值吻合的很... 详细信息

X射线衍射增强成像技术可以精确得到样品内部结构的折射角信息,对提高轻元素物质的成像衬度有着重要的意义.本文对楔型和圆形两种模型样品进行了DEI实验的研究,对3种不同能量的X射线均精确得到了样品的折射角信息,与理论计算值吻合的很好.利用边界可见度(Edge Visibility)对楔形样品进行了定量的分析.结果表明,对于特定折射角的界面,能精确计算其最佳可见度的位置,并与实验结果吻合的较好.最后对一块实际医学肿瘤样品边界处的可见度进行了定量的研究,讨论了获得最佳成像衬度的条件.

关键词：衍射增强成像折射角边界可见度最佳边界可见度

Observation of lateral long range order in superconducting FeTe thin films

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Chinese Physics B 2010年第8期19卷 18-23页

作者：李位勇韩烨王焕华曹立新贾全杰陈雨姜晓明董成许波赵柏儒 National Laboratory for Superconductivity Institute of Physics and Beijing National Laboratory for Condensed Matter PhysicsChinese Academy of Sciences Institute of High Energy Physics Chinese Academy of Sciences

We find that the superconductivity in the thin films of the formerly believed non-superconducting parent compound FeTe is accompanied by an emergence of second order with a correlation length of 742 nm and 258 nm at 10 K and 300 K, respectively. The structural phase transition found in iron pnictide superconductors, in non-superconducting FeTe bulk samples, and in FeSe superconducting thin films is not observed in the superconducting FeTe thin films. The interplay between superconductivity and long range order may suggest the crucial role of competition between electronic localization and itinerancy which leads to strong quantum fluctuations in the FeTe system.

关键词： superconducting materials surface phase transitions and critical phenomena superconducting films x-ray determination of structures

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液氮冷却劳厄晶体单色器的热力耦合研究

低温与超导 2022年第5期50卷 47-51页

作者：王佳怡高立丹贾全杰杨一鸣程虎洪振中国科学院高能物理研究所北京100049

针对高能同步辐射光源工程材料线站研制的劳厄晶体单色器上受光压弯晶体光学元件,利用有限元方法模拟计算了具有各向异性和低温材料非线性的硅晶体的压弯面形和热变形,计算结果显示硅晶体精确三维点云体载荷的最高温低于面吸收并且体吸... 详细信息

针对高能同步辐射光源工程材料线站研制的劳厄晶体单色器上受光压弯晶体光学元件,利用有限元方法模拟计算了具有各向异性和低温材料非线性的硅晶体的压弯面形和热变形,计算结果显示硅晶体精确三维点云体载荷的最高温低于面吸收并且体吸收的热变形呈现出非对称性,同时精确给出了压弯和热变形导致晶体变形数据,为束线后续衍射动力学追迹模拟评估对光斑性能的影响提供更加真实可靠的保证。

关键词：劳厄单色器体吸收压弯热变形

光学透视测量玻璃纤维增强复合材料板离面应变场分布

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实验力学 2015年第1期30卷 73-81页

作者：周延周贾全杰刘羽飞刘运红吴智新白玉磊章云广东工业大学自动化学院广东广州510006

本文通过激光波数扫描干涉测量系统和方法,透视测量商用玻璃纤维增强复合材料板前、后表面的离面应变场分布。实验中分别对有缺陷和无缺陷的商用玻璃纤维增强复合材料样品进行了离面位移场测量和平均轴向正应变场分布计算。无缺陷样品... 详细信息

本文通过激光波数扫描干涉测量系统和方法,透视测量商用玻璃纤维增强复合材料板前、后表面的离面应变场分布。实验中分别对有缺陷和无缺陷的商用玻璃纤维增强复合材料样品进行了离面位移场测量和平均轴向正应变场分布计算。无缺陷样品的离面位移场及压缩应变场分布均匀连续,随加载呈现递增压缩变化;有缺陷样品的缺陷周围的离面位移场分布变化无规则,其压缩正应变分布以缺陷孔洞为中心,加载量越大,孔洞周围其压缩正应变值较小的区域越大,压缩正应变集中在远离孔洞的边缘区域,随加载量变化压缩应变场分布无线性规律。实验结果证明,激光波数扫描干涉测量系统和方法准确可靠,它为玻璃纤维增强复合材料板的力学性能测量提供了一个新技术平台。

关键词：玻璃纤维增强复合材料透视测量离面位移场应变场缺陷检测