检索结果-南通市图书馆

上海深紫外自由电子激光波荡器的端部磁结构设计

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强激光与粒子束 2005年第10期17卷 1585-1589页

作者：蔡根旺贾启卡中国科学技术大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029

针对固定间隙的上海深紫外自由电子激光(SDUV-FEL)混合型波荡器的端部,用Rad ia程序进行了模拟计算。在端部不加任何电磁线圈补偿的情况下,通过减小端部磁铁、磁极的体积和变动端部磁极位置的方法对波荡器磁场进行了优化,优化以后波荡... 详细信息

针对固定间隙的上海深紫外自由电子激光(SDUV-FEL)混合型波荡器的端部,用Rad ia程序进行了模拟计算。在端部不加任何电磁线圈补偿的情况下,通过减小端部磁铁、磁极的体积和变动端部磁极位置的方法对波荡器磁场进行了优化,优化以后波荡器横向磁场的边缘场强度降到5×10-4T(距离端部磁块边缘10 mm处),边缘场波形没有了明显突起,优化后的横向磁场的一次积分曲线和二次积分曲线都有很大改善,端口处的一次积分值、二次积分值接近于零。

关键词：混合型波荡器端部设计边缘场自由电子激光

高速流水线A/D转换器的采样保持电路设计研究

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高速流水线A/D转换器的采样保持电路设计研究

作者：蔡根旺西安电子科技大学

学位级别：硕士

流水线ADC具有功耗低、芯片面积小的优点而成为现今高速ADC的主流选择之一。采样保持（S/H）电路通常作为流水线ADC的前端电路，主要作用是为了使信号在采样时不发生偏斜，采样保持电路是流水线ADC最重要的模块之一，它的速度和精度直... 详细信息

流水线ADC具有功耗低、芯片面积小的优点而成为现今高速ADC的主流选择之一。采样保持（S/H）电路通常作为流水线ADC的前端电路，主要作用是为了使信号在采样时不发生偏斜，采样保持电路是流水线ADC最重要的模块之一，它的速度和精度直接影响整个系统的性能。本论文基于SMIC0.35um3.3V工艺，设计了一款应用于14位100MS/s流水线ADC的采样保持电路。论文讨论了流水线ADC的结构和采样保持电路的基本理论，分析了采样保持电路在采样模式和保持模式下的误差来源，并给出了解决方法。为了选择一款适合于本设计的运算放大器，论文还分析了几种不同结构的运算放大器。根据流水线ADC的指标要求设计了一款电容翻转式结构的采样保持电路，该电路包含增益增强型运算放大器、栅压自举开关和时钟产生电路等几个模块。论文采用Cadence Spectre仿真器对所设计的采样保持电路进行仿真，并将输出结果导入Matlab做快速傅里叶变换（FFT）。结果显示：在采样频率为100MS/s,输入信号频率为9.99756MHz，幅度为2Vpp时，采样保持电路的信噪失真比（SNDR）为79.3dB，无杂散动态范围（SFDR）为96.5dB。结果表明，设计的采样保持电路能够满足14位100MS/s流水线ADC的系统要求。

关键词：流水线A/D转换器采样保持增益增强型运放栅压自举

射频磁控溅射法制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数研究

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人工晶体学报 2023年第2期52卷 271-280页

作者：张俊峰孙再征孔腾飞蔡根旺李亚平胡莎樊志琴河南工业大学理学院郑州450001

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得... 详细信息

采用射频(RF)磁控溅射法在石英衬底上制备了MoS_(2)薄膜。通过正交试验研究了溅射时间、溅射温度、氩气流量和溅射功率对MoS_(2)薄膜结构的影响。通过XRD、Raman、XPS、EDS和SEM对MoS_(2)薄膜的结晶度、薄膜厚度和表面形貌进行分析,得到了制备MoS_(2)薄膜的最佳工艺参数。发现溅射温度较高或较低结晶度都很差,在较低的溅射温度下样品的XRD衍射峰不明显。而当温度为250℃时,样品的XRD衍射峰较多,结晶度较好。根据正交试验法得出溅射温度对MoS_(2)的结晶效果起着至关重要的作用,其次是氩气流量。当溅射温度为250℃,氩气流量为6 mL/min,溅射时间为30 min,溅射功率为300 W或400 W时,MoS_(2)膜的结晶度较好。在这个条件下制备的膜较厚,但为以后的实验指明了方向。保持溅射温度、溅射功率和氩气流量不变,通过减少时间成功制备了厚度为58.9 nm的薄膜。

关键词： MoS_(2)薄膜射频磁控溅射二维材料正交试验法工艺参数

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利用电介质柱共振器实现电磁响应模式可转变的电磁超介质

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物理学报 2011年第5期60卷 290-297页

作者：丁佩周强胡伟琴蔡根旺梁二军郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州450052 郑州航空工业管理学院数理系郑州450015

本文利用电磁场数值计算方法研究了横截面具有不同长宽比例的电介质柱的电磁共振模式,发现横截面长宽比例影响电介质柱共振模式的激发顺序.截面长宽比小于2.2时,首先激发磁共振模式;而长宽比大于2.2时,磁共振模式在第二个共振被激发;作... 详细信息

本文利用电磁场数值计算方法研究了横截面具有不同长宽比例的电介质柱的电磁共振模式,发现横截面长宽比例影响电介质柱共振模式的激发顺序.截面长宽比小于2.2时,首先激发磁共振模式;而长宽比大于2.2时,磁共振模式在第二个共振被激发;作为转折点,截面长宽比例约为2.2的电介质柱不能激发磁共振模式.结果还表明改变电磁波入射方向可以调节长方形截面的电介质柱的磁共振发生的频率位置,实现偏振可控的电磁响应,这为新颖的电介质电磁超介质的设计与研究提供有价值的信息.

关键词：电介质电磁超介质共振

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用模拟退火法进行纯永磁波荡器磁块组合优化

强激光与粒子束 2005年第1期17卷 157-160页

作者：陈念何多慧李格贾启卡张鹏飞徐宏亮蔡根旺中国科学技术大学国家同步辐射实验室安徽合肥230029

纯永磁波荡器由多个磁块组成,磁块的剩磁离散性会引起波荡器磁场误差,从而影响储存环工作状态和自发辐射谱质量。在波荡器磁块安装之前,使用模拟退火法对磁块进行组合排序优化,可以使峰值场强误差降低到10-4量级以下,磁场一... 详细信息

纯永磁波荡器由多个磁块组成,磁块的剩磁离散性会引起波荡器磁场误差,从而影响储存环工作状态和自发辐射谱质量。在波荡器磁块安装之前,使用模拟退火法对磁块进行组合排序优化,可以使峰值场强误差降低到10-4量级以下,磁场一次积分降低到10-6T·m量级,二次积分降低到10-6T·m2量级,优化结果不依赖于初始状态的选择。给出优化的详细过程,提出了根据磁块剩磁快速计算波荡器峰值场强误差和积分场的方法。

关键词：波荡器二次积分组合优化磁场场强误差自发辐射模拟退火法快速计算序优化

放电过程对碳纳米管膜场发射性能的影响(英文)

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人工晶体学报 2012年第4期41卷 1102-1106页

作者：樊志琴李瑞蔡根旺张君德王建星河南工业大学理学院郑州450001

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响。通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性... 详细信息

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响。通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性能变化的根源进行研究。结果显示,在放电过程中,碳纳米管膜中sp2碳的含量减少,场发射性能变差。经过分析,我们认为发生这种现象的原因是:发射电子主要是从sp2碳发出的,sp2碳的减少直接影响了发射电子的减少,故其场发射性能降低。

关键词：碳纳米管 MPCVD 场发射拉曼光谱

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衬底对沉积碳纳米管薄膜的影响

人工晶体学报 2007年第4期36卷 894-897,868页

作者：樊志琴李瑞蔡根旺杨培霞程仁志河南工业大学理学院郑州450052

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,分别在不锈钢衬底上和刻线的镍膜上直接沉积了碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了不同衬底对碳纳米管膜生长的影响。结果表明:在一定条件下,可在镍膜上沉积垂直于衬底的高度取向... 详细信息

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,分别在不锈钢衬底上和刻线的镍膜上直接沉积了碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了不同衬底对碳纳米管膜生长的影响。结果表明:在一定条件下,可在镍膜上沉积垂直于衬底的高度取向的碳纳米管,但在不锈钢衬底上却长出取向无序的碳纳米管膜,这说明衬底对碳纳米管的取向生长起着关键作用。

关键词：碳纳米管(CNTs) 镍膜衬底不锈钢衬底拉曼光谱

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最优实验条件下碳纳米管膜的场发射特性

功能材料 2010年第A2期41卷 229-231页

作者：樊志琴蔡根旺李瑞黄浩张君德王建星康广生河南工业大学理学院河南郑州450001

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过正交设计方法综合研究了反应温度、气压、沉积时间、甲烷流量对碳纳米管膜场发射性能的影响。结果表明,不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很... 详细信息

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜。通过正交设计方法综合研究了反应温度、气压、沉积时间、甲烷流量对碳纳米管膜场发射性能的影响。结果表明,不同条件下制备的碳纳米管膜的场发射性能有很大差异,其中起主要作用的是反应温度和气压。保持氢气的流量(100mL/min)不变,温度为700～800℃时,反应室压强为6.5kPa时,场发射性能最好,开启场强仅为0.8V/μm,发射点分布密集、均匀。

关键词：正交设计方法碳纳米管 MPCVD 场发射拉曼光谱

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波荡器磁场误差对其自发辐射的影响模拟研究

核技术 2005年第4期28卷 258-262页

作者：陈念张鹏飞李格徐宏亮李煜辉张善才蔡根旺何多慧中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029

波荡器由多个单磁块组成,磁块不可避免的剩磁离散性和尺寸离散性是引起波荡器磁场误差的根本原因。波荡器磁场误差将影响波荡器自发辐射谱的质量。本文给出一种新的单磁块磁场、波荡器磁场及自发辐射的模拟方法,从单磁块磁场模拟入手,... 详细信息

波荡器由多个单磁块组成,磁块不可避免的剩磁离散性和尺寸离散性是引起波荡器磁场误差的根本原因。波荡器磁场误差将影响波荡器自发辐射谱的质量。本文给出一种新的单磁块磁场、波荡器磁场及自发辐射的模拟方法,从单磁块磁场模拟入手,使用正态分布随机数发生器产生多组不同剩磁或者不同尺寸的单磁块,再由这种方式产生的单磁块组成波荡器,然后计算自发辐射,从而研究波荡器磁场误差对自发辐射的影响。

关键词：波荡器自发辐射磁场误差位相误差