检索结果-南通市图书馆

PtTi阻挡层对AuTi／AuGe：Ni／GaAs系统热稳定性及欧姆接触特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 81-84页

作者：蒋幼泉南京电子器件研究所

用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了ＰｔＴｉ阻挡层与ＡｎＴｉ／ＡｕＧｅ：Ｎｉ／ＧａＡｓ系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明，系统在２５０℃以下热处理是稳定的，它具有良好的欧姆接触特性；在更高的温度下，发现阻挡... 详细信息

用俄歇电子能谱和电阻测试法研究了ＰｔＴｉ阻挡层与ＡｎＴｉ／ＡｕＧｅ：Ｎｉ／ＧａＡｓ系统热稳定性的影响及欧姆接触特性的退化。结果表明，系统在２５０℃以下热处理是稳定的，它具有良好的欧姆接触特性；在更高的温度下，发现阻挡层下面的Ｔｉ扩散穿过接触层并消耗接触层的ＧａＡｓ，在欧姆接触层下形成Ｔｉ－Ｇａ－Ａｓ／ＧａＡｓ接触。接触电阻Ｒｃ迅速增加，由原始的几欧增大到几百欧。在３２０℃热处理时，系统的欧姆接触消失变成整流接触特性。这是由于系统存在着非理想配比界面区而造成的。

关键词： AuTi/AuGe 欧姆接触俄歇电子能谱

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

C波段4W砷化镓功率场效应晶体管

固体电子学研究与进展 1995年第1期15卷 6-10页

作者：蒋幼泉陈堂胜李祖华陈克金盛文伟南京电子器件研究所

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ... 详细信息

介绍了Ｃ波段４Ｗ砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些新工艺，给出器件性能。在５．３ＧＨＺ下，器件１ｄＢ压缩点的输出功率≥４Ｗ，增益为６．５～７．５ｄＢ，功率附加效率≥３５％。这种ＦＥＴ的多芯片运用具有优良的功率合成效率。

关键词：砷化镓离子注入功率场效应晶体管

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

S波段单片低噪声放大器

东南大学学报（自然科学版） 2004年第1期34卷 5-9页

作者：彭龙新李建平蒋幼泉魏同立东南大学微电子中心南京210096 南京电子器件研究所南京210016

S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行... 详细信息

S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。

关键词：赝配高电子迁移率晶体管微波单片集成电路单片低噪声放大器静电

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

1～7GHz全单片低噪声放大器

固体电子学研究与进展 2003年第3期23卷 296-300页

作者：彭龙新蒋幼泉林金庭魏同立东南大学微电子中心南京210096 南京电子器件研究所南京210016

一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As... 详细信息

一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As工艺制作而成 ,所有电路元器件皆集成在 3 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。经测量 ,在频率 1～ 7GHz的范围内 ,放大器增益大于 2 0 d B,带内增益波动小于± 0 .75 d B,噪声系数 NF<2 .5d B,输入输出驻波 VSWR约 2 .0 ,1分贝压缩点输出功率大于 1 4d Bm。文中介绍了放大器的设计原理和工艺过程 ,并给出了测量结果。测量结果与设计符合得很好。最后值得指出的是 76mm Ga As圆片的成品率高 ,性能一致性好。

关键词：低噪声反馈放大器微波单片集成电路宽带膺配高电子迁移率晶体管设计原理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多栅GaAs MESFET开关

固体电子学研究与进展 2004年第2期24卷 212-214,248页

作者：洪倩陈新宇郝西萍陈继义蒋幼泉李拂晓南京电子器件研究所南京210016

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL1 3 d B,VSWR1 0 W。... 详细信息

论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL1 3 d B,VSWR1 0 W。开关芯片面积小、成品率高、封装成本低 ,适宜批量生产 ,并已在手机上试装成功。

关键词：多栅开关金属半导体场效应晶体管砷化镓

SF_6和CHF_3混合气体各向异性刻蚀WN研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 188-191页

作者：庸安明王佃利蒋幼泉南京电子器件研究所南京210016

提出了在SF6/CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法,通过对各工艺参数(功率、压力、流量配比等)对WN刻蚀钻蚀量影响的研究,优化了工艺参数,获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0.1μm的WN各向异性刻蚀条件,使BVEBO成品率由85%提高到95%,... 详细信息

提出了在SF6/CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法,通过对各工艺参数(功率、压力、流量配比等)对WN刻蚀钻蚀量影响的研究,优化了工艺参数,获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0.1μm的WN各向异性刻蚀条件,使BVEBO成品率由85%提高到95%,从而提升了芯片生产成品率。

关键词：六氟化硫反应离子刻蚀氮化钨各向异性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

P型GaAs欧姆接触的制作

固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 427-430页

作者：杨立杰李拂晓蒋幼泉陈新宇南京电子器件研究所南京210016

在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接... 详细信息

在以Be作为离子源离子注入形成的P型GaAs衬底上分别使用Ti/Pt/Au和Cr/Pt/Au多层金属作为欧姆接触金属,并对比合金前后的差别。结果表明,使用Ti/Pt/Au作为欧姆接触金属效果更好,合金对于降低欧姆接触电阻率效果明显,合金后Ti/Pt/Au的接触电阻率可达到3.08×10-5Ω.cm2。

关键词： P型欧姆接触砷化镓合金接触电阻率

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Si腐蚀工艺的优化

固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 197-200页

作者：吕勇王佃利盛国兴蒋幼泉南京电子器件研究所南京210016

腐蚀Si时工艺顺序不同,得到的Si片表面状态也不同,导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究,获得了优化的腐蚀Si工艺条件,得到了平整的Si表面,从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。

关键词：硅缺陷腐蚀

手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 2002年第1期22卷 49-52页

作者：钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良南京电子器件研究所 210016

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面... 详细信息

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。

关键词：离子注入包封退火双层介质 SPDT开关手机砷化镓