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MOCVD外延的（010）β-Ga2O3中原位寄生微结构界面与缺陷形成机制研究
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Science China Materials 2025年
作者： 宋先强 何云龙 王湛 陆小力 孙静 周颖 刘洋 范佳桐 何晓宁 郑雪峰 马晓华 郝跃 State Key Laboratory of Wide-Bandgap Semiconductor Devices and Integrated Technology National Engineering Research Center of Wide Band-Gap SemiconductorSchool of MicroelectronicsXidian University School of Electronic Engineering Xi'an University of Posts&Telecommunications Guangzhou Institute of Technology Xidian University Shaanxi Semiconductor Industry Association
在本文中,我们在MOCVD外延生长的（010） β-Ga2O3薄膜中的界面缺陷形貌结构及形成机理进行了系统分析.通过观测发现了一种丘状表面缺陷,该缺陷呈多边形,并沿[001]方向呈现出脊状凸起.透射电子显微（TEM）微观分析表明,多边形丘状缺陷...
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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