检索结果-南通市图书馆

高等职业教育推动我国技能转型的瓶颈制约与实践路向

维普期刊数据库博看期刊

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国高教研究 2024年第2期 94-100页

作者：尉淑敏和震北京师范大学教育学部北京100875

在技术、经济、社会等多方因素的影响下,技能需求处于动态变化中,推动技能转型已成为国际社会高度关注的应变举措。工作自动化和技能变革、全球化发展和产业转型、人口变化和社会公平等各方面诉求共同推动着我国的技能转型。高等职业教... 详细信息

在技术、经济、社会等多方因素的影响下,技能需求处于动态变化中,推动技能转型已成为国际社会高度关注的应变举措。工作自动化和技能变革、全球化发展和产业转型、人口变化和社会公平等各方面诉求共同推动着我国的技能转型。高等职业教育作为实现技能有效供给的重要载体,在推动我国技能转型的过程中存在着技能培养目标上导向性不强、技能培养过程中适应性不足、技能培养制度中公平性失衡、技能培养评价上系统性缺失等问题。基于此提出高等职业教育推动技能转型的实践路向:细化人才培养目标,建立标准更新机制;调整专业教学内容,对接产业发展需求;优化教育资源配置,推动教育机会均等;强化技能核心地位,开展多元系统评价。

关键词：高等职业教育技能转型技能需求技能培养

铁镍金属化合物的超快速制备及其电催化析氧性能的研究

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

铁镍金属化合物的超快速制备及其电催化析氧性能的研究

作者：虞淑敏成都大学

学位级别：硕士

随着社会的不断进步和可持续发展的需求增加,人类对可再生能源的追求日益增加。在可再生能源中,氢能因其高热值和绿色环保等特性而被认为是未来理想的清洁能源。目前,通过电解水来制备氢气是一种具有前景的方法。电解水过程涉及到阳极... 详细信息

随着社会的不断进步和可持续发展的需求增加,人类对可再生能源的追求日益增加。在可再生能源中,氢能因其高热值和绿色环保等特性而被认为是未来理想的清洁能源。目前,通过电解水来制备氢气是一种具有前景的方法。电解水过程涉及到阳极的析氧反应（OER）和阴极的析氢反应（HER）两个半反应,而高效廉价的催化剂可以大幅降低电解水过程中的能耗。贵金属基催化材料因为存在资源的稀缺性以及高昂的成本问题在很大程度上限制了其规模化应用,然而,过渡金属基催化剂因其良好的物理和化学特性以及优良的催化性能而备受关注。开发和研究过渡金属基催化剂有助于解决贵金属资源稀缺和成本高的问题。然而,传统电催化材料的制备手段通常需要长时间的高温退火过程及严苛的反应条件,影响生产成本和材料活性。因此,亟需开发简单,快速的新方法以改善电催化材料的制备工艺,优化其电催化性能。本论文主要以微波法为制备策略,超快速合成以碳纳米管为载体,铁基/镍基为主体的电催化剂,并详细研究其在电解水析氧反应中的应用。具体的研究工作如下:（1）通过一种超快速、节能的制备策略(微波辅助碳纳米管（CNT）诱导有机金属化合物快速原位热解),以获得Fe/C非均相材料（被碳包覆层包裹的Fe/FeC颗粒）。在快速制备过程中,碳包覆层的厚度可以通过改变金属源中碳的含量和形式来调节。以乙酰丙酮铁为金属源的Fe/FeC-A@CNT具有独特的Fe/C非均相,由中等厚度的碳层包裹的Fe/FeC小颗粒,能获得最佳的电子穿透效果。源于表面碳包覆层和内部Fe/FeC纳米颗粒耦合的电子穿透效应能有效提高催化剂的活性和稳定性。因此,Fe/FeC-A@CNT显示出高效的OER催化活性,达到10 m A cm的电流密度只需292mV的低过电位,并具有持久的稳定性。（2）采取微波法超快速制备了负载于碳纳米管表面的镍铁双金属化合物OER催化剂。Ni-Fe@CNT-W中形成了许多小尺寸的镍铁双金属化合物颗粒,且均匀分布在碳纳米管表面,不仅可以提高催化材料的导电性,而且还能增大其活性面积,暴露更多的有效活性位点,从而表现出优异的析氧催化性能。与其余三种制备方法得到的催化材料相比,在碱性电解液中,微波法制备得到的Ni-Fe@CNT-W仅需要较小过电位（303 mV）即可达到100 mV cm的电流密度,Tafel斜率为47 mV dec,同时具有长期稳定性。

关键词：镍铁化合物超快速制备析氧反应电催化

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

两种电化学发光新传感检测方法研究

两种电化学发光新传感检测方法研究

作者：于淑敏山东师范大学

学位级别：硕士

电化学发光（ECL）是一种电化学和化学发光强强结合的分析技术,具有设备简单、灵敏度高等优点,但是ECL分析方法的选择性取决于传感策略的巧妙设计。在无标记ECL传感器中,分子印迹聚合物（MIP）技术虽然可以显著提高其选择性,但各种干扰... 详细信息

电化学发光（ECL）是一种电化学和化学发光强强结合的分析技术,具有设备简单、灵敏度高等优点,但是ECL分析方法的选择性取决于传感策略的巧妙设计。在无标记ECL传感器中,分子印迹聚合物（MIP）技术虽然可以显著提高其选择性,但各种干扰物质在MIP膜表面的非特异性吸附行为成为进一步提高基于MIP的ECL传感器抗干扰能力的瓶颈。在以ECL发光体为标记物的信号增强型ECL传感器中,由于缺乏具有良好电位分辨的ECL发光体以及电化学激发过程中ECL强度随时间变化的原因,使ECL同时检测多个分析物成为一项挑战性的工作。为此,本论文提出了两种新的ECL检测方法以提升其分析性能。为抑制了非特异性吸附对限制性的不利影响,提出了改进的差分策略可以用于半对数型响应曲线,显著提高了基于MIP的ECL传感器的抗干扰能力。将一种简单灵敏的ECL光谱测量方法用于电位-分辨和光谱-分辨双模的多重免疫测定中。主要研究内容简述如下:1.一种适用于半对数型校准曲线MIP传感器的差分检测方法研究各种干扰物质在MIP膜上的非特异性吸附行为限制了MIP传感器的选择性的进一步提升,虽然使用对应的基于非印迹聚合物（NIP）的传感器作为参考的差分策略可以有效消除这一不利影响,但常规的差分模式却不适用于那些具有非线性校准曲线的MIP的传感器。在本章中我们报道了一种改进的差分策略,可适用于具有半对数校准曲线的MIP传感器,并以ECL多巴胺（DA）传感器验证该策略的可行性。采用g-CN、TiO纳米粒子（NPs）和碳纳米管（CNTs）的混合物修饰的玻璃碳电极（GCE）为信号传感电极。以壳聚糖为成膜剂,在g-CN/TiONPs/CNTs/GCE表面制备了用于DA选择性识别的MIP膜,得MIP@GCE。为了增强基于MIP的DA传感器的抗干扰能力,采用基于MIP@GCE和NIP@GCE的改进的差分信号,它与DA浓度在10 pM～0.10μM范围内有线性关系,检测限为5.6pM。在改进差分模式下,Cu对DA测定的干扰水平仅为正常MIP模式下的9.7%,该差分策略也可用于其它类型的MIP传感器。2.电位-分辨和光谱-分辨双模式ECL同时测定三种癌症生物标志物同时检测多种生物标志物对于癌症的早期诊断至关重要。在本章中我们建立了一种基于电位-分辨和光谱-分辨双模式的ECL检测方法,可以用于3种生物标志物的同时测定。其中,ECL光谱测定使用所在课题组设计的带通滤滤光片阵列转盘,大幅度提高了光谱-分辨模式的检测灵敏度。选用神经特异性烯醇化酶（NSE）、癌胚抗原（CEA）和细胞角蛋白19片段抗原（CYFRA21-1）三种癌症生物标志物作为模型分析物,分别以金纳米粒子/氧化石墨烯/N,N’-二丙酸钠-3,4,9,10-苝二羧酸酰亚胺（AuNPs/GO/PDI）纳米复合材料、CdSe纳米晶体（NCs）和CdTeNCs作为ECL标记物。通过免疫反应在修饰电极表面上同时形成相应的三明治型免疫复合物,以KSO为共反应剂,在一次阴极ECL电位扫描中实现三种肺癌标志物的测定。因为AuNPs/GO/PDI的ECL电位峰位于-0.41～-0.46 V,与CdSeNCs（Ep=-1.44～-1.46 V）和CdTeNCs（Ep=-1.49～-1.51V）的ECL电位完全分离,因此在0～-0.8V范围内采用电位-分辨模式测定NSE。而CdSeNCs的ECL光谱峰(λ=550 nm)与CdTeNCs的ECL光谱峰(λ=750 nm)完全分离,可以用ECL光谱-分辨模式测定CEA和CYFRA21-1。但是,所用三个ECL标记物均能增强O/SO的ECL,所产生的光谱干扰可以通过649 nm通道中的强度信号以光谱-分辨模式进行校正。在优化的条件下,同时定量NSE、CYFRA21-1和CEA,检测限分别为0.86、2.6和0.53 fg mL。

关键词：电化学发光分子印迹聚合物差分策略多组分免疫分析

天然糖缀合物chartreusin及其类似物的合成研究

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

天然糖缀合物chartreusin及其类似物的合成研究

作者：梁淑敏江西师范大学

学位级别：硕士

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

绿篱机用永磁无刷直流电机的设计与控制

绿篱机用永磁无刷直流电机的设计与控制

作者：梁淑敏临沂大学

学位级别：硕士

在线全文

同方学位论文库

学校读者我要写书评

暂无评论

锗锡浓度对硅锗锡合金性能影响的研究

原子与分子物理学报 2025年第5期 169-180页

作者：顾永顺温淑敏内蒙古工业大学理学院

由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命，并且其结构具有较高的热力学稳定性，所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法，构建并计算了本征半... 详细信息

由于SiGeSn合金材料其具有高的载流子迁移率和较长的载流子寿命，并且其结构具有较高的热力学稳定性，所以在光电子领域中是一种具有非常大应用潜力的半导体材料.本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似GGA+U的方法，构建并计算了本征半导体Si96与五组掺杂模型Si92Ge2Sn2、Si88Ge4Sn4、Si84Ge6Sn6、Si80Ge8Sn8、Si76Ge10Sn10的电子结构及光学性质.通过对计算结果的分析可知，Ge,Sn的加入使得Si材料的带隙宽度减小，并且发生了由间接带隙向直接带隙的转变；Ge,Sn浓度最高的SiGeSn合金的形成能相对较高，稳定性相较于Ge,Sn含量低的材料较差；随着Ge,Sn掺杂浓度的提高，电子态密度图显示出越来越明显的杂化现象，并且态密度的峰值主要有Si原子的s轨道提供；Ge,Sn浓度的提高还使得SiGeSn合金的吸收系数在可见光及近红外区域内增加、反射率在可见光及以上波段范围内提高、折射率变低、消光系数曲线向红外区域移动等光学性质变化，表明可以通过调节Ge,Sn浓度来获得合适的光学特性，这为SiGeSn半导体在红外区域光电材料和器件的应用上提供了研究方向.

关键词： SiGeSn 电子特性光学性质