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ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征

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ZnSe薄膜化学反应助热壁外延生长及性能表征

作者：白大伟西北工业大学

学位级别：硕士

ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以及该波段相应的光学非线性材料，在光发射器件、非线性光电器件和红外器件等方面有着广泛的应用... 详细信息

ZnSe作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，具有禁带宽、直接带隙跃迁，激子束缚能大，光、电性能优良等优点，这使其成为蓝绿色发光、激光以及该波段相应的光学非线性材料，在光发射器件、非线性光电器件和红外器件等方面有着广泛的应用。目前ZnSe体单晶的制备技术尚不成熟，使用更多的是ZnSe薄膜和多晶。本文主要对ZnSe薄膜制备、结构和性能进行了研究。 ZnSe薄膜的制备采用化学反应助热壁外延法，通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH)Cl引入到热壁外延系统中，以二元素单质Zn和Se为原料，直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜。采用SEM、AFM、EDS、XRD和PL谱等技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。研究结果表明，热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色，Zn(NH)Cl的存在使得Zn(g)和Se(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应，从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。在以Zn(NH)Cl为输运剂或者反应促进剂，以单质Zn和Se为原料生长ZaSe晶体时，为了得到最优的生长条件，对Zn—Se—Zn(NH)Cl系统进行热力学分析，通过计算反应达到平衡状态时，Zn-Se-Zn(NH)Cl系统中存在的各气相组分的分压随温度和输运剂浓度的变化，确定了最适合的气相生长工艺。计算表明，在Zn-Se-Zn(NH)Cl气相反应系统中，存在一个特征温度范围，此特征温度为1647-1729K左右，并且与输运剂浓度无关。当生长温度在此特征温度范围时，所生长的ZnSe晶体严格符合化学计量比1:1，高于或低于特征温度范围将得到富Zn或富Se的晶体。

关键词： ZnSe薄膜热壁外延 Zn(NH4)3Cl5 分压

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水库建设选址方案的决策分析

控制与决策 1991年第5期6卷 366-370页

作者：易允文白大伟中国科学院沈阳自动化研究所 110003 New Mexico Institute of Technology

水库建设方案的评价,涉及投入和效益两方面。投入包括资金和工期等,称为“输入”:效益包括工农业用水增加、防洪能力强增等。称为“输出”。分析这种多输入,多输出的系统,应用数据包络分析方法是非常有效的。

关键词：水库选址决策分析

CSCW环境下博士CAD系统中的并发控制机制研究

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计算机工程与设计 2008年第23期29卷 6118-6120,6123页

作者：白大伟史维峰西北大学信息科学与技术学院陕西西安710127

在多人操作的CAD系统中,能否保证多个操作者之间的协调操作是一个关键问题,并发操作控制在此显得尤为重要。依据并发操作的特点提出了并发操作控制机制的设计准则,阐述了基于语义的并发操作控制机制中利用嵌套事务来解决图档事务并发控... 详细信息

在多人操作的CAD系统中,能否保证多个操作者之间的协调操作是一个关键问题,并发操作控制在此显得尤为重要。依据并发操作的特点提出了并发操作控制机制的设计准则,阐述了基于语义的并发操作控制机制中利用嵌套事务来解决图档事务并发控制中存在的问题并且结合实际给出了博士CAD系统中并发控制的系统模型。

关键词：并发控制事务处理协同 CSCW CAD

ZnO@SiO_2核壳量子点的制备及其荧光性能的研究

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光学学报 2015年第8期35卷 199-207页

作者：黄文艺魏慧丹史智鹏白大伟马蓝宇李利军广西科技大学生物与化学工程学院广西糖资源绿色加工重点实验室广西柳州545006

用一种操作简单、反应条件温和的方法制备了分散性好的超微小Zn O@Si O2核壳量子点透明溶液,利用透射电子显微镜（TEM）、紫外吸收光谱（UV）、荧光光谱（FL）、纳米粒度和ZETA电位分析仪等技术对所制备纳米粒子的粒径大小、吸收光谱、... 详细信息

用一种操作简单、反应条件温和的方法制备了分散性好的超微小Zn O@Si O2核壳量子点透明溶液,利用透射电子显微镜（TEM）、紫外吸收光谱（UV）、荧光光谱（FL）、纳米粒度和ZETA电位分析仪等技术对所制备纳米粒子的粒径大小、吸收光谱、发光性质进行表征。结果表明,Zn O@Si O2核壳量子点平均粒径在3~5 nm,在紫外灯下发出黄绿色荧光,紫外最大吸收在330 nm左右,可以发射出510 nm的荧光。同时,系统地考察了p H值、温度、不同金属阳离子以及不同阴离子对量子点荧光强度的影响。实验结果表明：当p H≤7时,量子点荧光完全猝灭;当p H〉7时,量子点荧光强度随着p H值的增加而增强,当p H为9.0时,荧光强度达到最大,然后随着p H值的升高荧光略有降低。量子点随着温度的升高荧光强度逐渐降低,当温度达到50℃以上荧光完全猝灭。一价金属离子对量子点荧光强度基本没有影响,二价金属离子对量子点荧光削弱程度的大小顺序为Fe2＋〉Mn2＋〉Cu2＋〉Pb2＋〉Co2＋〉Ba2＋〉Mg2＋,三价金属离子对量子点荧光削弱程度的大小顺序为Fe3＋〉Cr3＋〉Bi3＋〉Al3＋。其中,Fe3＋、Fe2＋、Bi3＋、Cr3＋、Mn2＋等金属离子对量子点的荧光有猝灭作用,PO43-、HPO42-、H2PO4-等离子对量子点荧光稍有增加作用,HCO3-、CO32-、CH3COO-、SO32-等阴离子对量子点的荧光有削弱甚至猝灭的作用,Cl-、SO42-、NO3-等离子对量子点荧光几乎没有影响。

关键词：物理光学氧化锌荧光稳定性猝灭

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矿井防灭火技术措施研究

矿业装备 2020年第5期 86-87页

作者：白大伟山西兴县华润联盛车家庄煤业有限公司山西吕梁033600

矿井井下空间狭窄,疏散空间有限,一旦发生火灾,将会带来巨大的经济损失和人员伤亡,需要得到足够的重视,采取有效措施做好防灭火工作。本文结合具体案例,对矿井防灭火技术措施进行了研究和讨论,希望能够为煤矿安全生产提供保障。

关键词：矿井防灭火防灭火工作煤矿安全生产矿井井下采取有效措施具体案例人员伤亡经济损失

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

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人工晶体学报 2007年第1期36卷 57-61,65页

作者：白大伟李焕勇介万奇李培森赵海涛西北工业大学材料科学与工程学院西安710072

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM... 详细信息

本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比。研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响。采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性。研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜。ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族化合物 ZnSe薄膜化学促进热壁外延法

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南山煤矿致突水源井封堵的实践

江西煤炭科技 2023年第2期 140-142,152页

作者：白大伟山西中阳华润联盛南山煤业有限公司山西吕梁033401

由于武家山水源井打穿奥灰水含水层,井水通过10#煤层采空区引发南山煤矿回风巷出现透水事故。基于此,南山煤矿采取了两种封堵方案,经实践得出采用下放套管,骨料阻水,最后注浆封堵的方案,将适宜的骨料通过骨料添加器连续推入89 mm套管及8... 详细信息

由于武家山水源井打穿奥灰水含水层,井水通过10#煤层采空区引发南山煤矿回风巷出现透水事故。基于此,南山煤矿采取了两种封堵方案,经实践得出采用下放套管,骨料阻水,最后注浆封堵的方案,将适宜的骨料通过骨料添加器连续推入89 mm套管及89 mm与180 mm套管之间,通过孔底的泵压和水压的共同作用,部分骨料将流向241 m处的泄压口处,将泄压通道用骨料逐渐封堵,封堵后向孔内注入水泥浆液,实现了水源井源头的彻底封堵。

关键词：矿井突水水源井注浆堵水

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牵引车制动系统挂车回路控制形式浅析

汽车实用技术 2014年第1期11卷 78-80页

作者：白大伟安徽江淮汽车股份有限公司安徽合肥230601

本文通过对比两种国内常用的牵引车制动系统挂车回路的控制原理、控制手柄旋转角度对挂车控制阀输出压力的影响等方面,分析两种控制方式的各自特点,也为今后牵引列车的制动系统设计提供分析模型。

关键词：牵引车控制形式串联并联

没食子酸分子印迹聚合物电化学传感器的制备及研究

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分析科学学报 2015年第4期31卷 465-469页

作者：张雷李利军白大伟程昊李彦青崔福海赵斌胡延广西科技大学生物与化学工程系广西柳州545006

利用分子印迹技术，以没食子酸为模板分子，甲基丙烯酸为功能单体，采用自由基热聚合的方式制备了分子印迹聚合物，并用于电极的修饰，成功研制了没食子酸分子印迹电化学传感器。以K3[Fe（CN）6]做探针，通过循环伏安法及方波伏安法，... 详细信息

利用分子印迹技术，以没食子酸为模板分子，甲基丙烯酸为功能单体，采用自由基热聚合的方式制备了分子印迹聚合物，并用于电极的修饰，成功研制了没食子酸分子印迹电化学传感器。以K3[Fe（CN）6]做探针，通过循环伏安法及方波伏安法，考察了该传感器对没食子酸的响应特性，建立了没食子酸的间接电化学分析方法。结果表明，该方法具有较高的选择性和重现性，没食子酸在4．69×10^-6～2．14×10^-5mol／L浓度范围内与其氧化峰电流差△Ip。呈良好的线性关系，检出限为6．41×10^-7mol／L。将该传感器用于六味地黄丸中没食子酸含量的测定，回收率范围为95．1％～104．8％。

关键词：分子印迹聚合物电化学传感器没食子酸伏安法