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微波处理对大米储藏过程中脂质变化的影响

食品科学 2024年第4期45卷 247-256页

作者：曹汝鸽武小晖黄文达天津科技大学食品科学与工程学院食品营养与安全国家重点实验室天津300457 天津凯涛奇食品有限公司天津301799

为揭示微波处理前后大米储藏过程中脂类的变化规律,本实验对不同品种大米(津稻919、超北2号和稻花香2号)进行微波处理(850 W,50 s),并于不同条件下储藏3个月,评价其脂肪酶、脂肪氧化酶、过氧化物酶、过氧化氢酶活力,脂肪酸值、过氧化值... 详细信息

为揭示微波处理前后大米储藏过程中脂类的变化规律,本实验对不同品种大米(津稻919、超北2号和稻花香2号)进行微波处理(850 W,50 s),并于不同条件下储藏3个月,评价其脂肪酶、脂肪氧化酶、过氧化物酶、过氧化氢酶活力,脂肪酸值、过氧化值、羰基值、水分分布及挥发性成分的变化。结果表明:微波处理可以有效降低大米的水分活度,改变大米籽粒微观结构,灭活各脂肪酶。微波处理后储藏期间津稻919、超北2号和稻花香2号大米脂肪酶、脂肪氧化酶、过氧化物酶、过氧化氢酶活性分别平均下降了54.03%、71.11%、95.94%和46.04%。即使在37℃高温储藏90 d时,不同品种大米脂肪酸值、过氧化值和羰基值增加依然不明显,分别增加了0.716~1.436 mg/100 g、2.859~6.734 mmol/kg和3.697~5.308 mmol/kg。说明微波处理能有效钝化大米各脂肪酶活性,减少大米脂质水解氧化过程游离脂肪酸和氢过氧化物的产生,进而降低挥发性醛酮类物质的生成量,大大延缓大米储藏过程中的品质劣变。

关键词：大米微波处理储藏脂肪酶脂肪氧化

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舒尼替尼致不良反应文献分析

中国新药杂志 2024年第5期33卷 514-520页

作者：吕梦汝田丽娟沈阳药科大学工商管理学院沈阳110016

目的:分析舒尼替尼所致药品不良反应(ADR),为其临床安全用药提供参考。方法:检索2006—2021年6个中英文数据库关于舒尼替尼致不良反应的文献报道,提取相关数据,并进行统计分析。结果:共纳入文献147篇,涉及156例患者,283例次不良事件。... 详细信息

目的:分析舒尼替尼所致药品不良反应(ADR),为其临床安全用药提供参考。方法:检索2006—2021年6个中英文数据库关于舒尼替尼致不良反应的文献报道,提取相关数据,并进行统计分析。结果:共纳入文献147篇,涉及156例患者,283例次不良事件。不良反应发生在给药31~180 d的比率最高,ADR累及器官/系统以血液及淋巴系统(17.67%)、胃肠系统(15.55%)、皮肤及皮下组织类(10.60%)为主。结论:舒尼替尼所致的不良反应累及全身多个器官/系统,不乏严重致死病例。在临床用药期间应定期监测患者情况,在发生不良反应时及时减少或停止给药,以降低临床用药风险。

关键词：舒尼替尼不良反应文献分析

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可重构毫米波波束扫描平面天线研究

可重构毫米波波束扫描平面天线研究

作者：吴虹汝电子科技大学

学位级别：硕士

论轻歌剧《蝙蝠》中罗莎琳德的演唱分析及角色塑造

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论轻歌剧《蝙蝠》中罗莎琳德的演唱分析及角色塑造

作者：罗方汝西安音乐学院

学位级别：硕士

眼眶骨折伴间接外伤性视神经病变患者眼底视网膜厚度和血管密度的定量分析

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眼眶骨折伴间接外伤性视神经病变患者眼底视网膜厚度和血管密度的...

作者：卢沛汝南昌大学

学位级别：硕士

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华尔兹练习对中年女性平衡能力的影响研究

华尔兹练习对中年女性平衡能力的影响研究

作者：徐思汝武汉体育学院

学位级别：硕士

随着人们对身体素质的关注,中年女性健康问题已成为社会热点之一。虽然中年不是平衡能力发展的关键时期,但这一时期平衡能力的锻炼对即将进入老年阶段的女性至关重要。较好的平衡能力可以增强女性的身体灵活性、反应速度和协调性,减少... 详细信息

随着人们对身体素质的关注,中年女性健康问题已成为社会热点之一。虽然中年不是平衡能力发展的关键时期,但这一时期平衡能力的锻炼对即将进入老年阶段的女性至关重要。较好的平衡能力可以增强女性的身体灵活性、反应速度和协调性,减少意外摔倒的风险。进行华尔兹舞蹈训练能够在频繁的舞步和身体动作中促进对前庭中枢的刺激,以增强平衡能力。华尔兹舞节奏适中,动作优美,适合没有舞蹈基础的中年女性练习。本文以研究华尔兹练习对中年女性平衡能力是否有影响为目的,将参加华尔兹练习和不进行干预的中年女性分为实验组与对照组,在实验前、六周实验后、十二周实验后分别进行了三次测试,分析比较两组受试者实验前后动态及静态平衡能力间的差异性,并探讨华尔兹练习中具体舞蹈动作对中年女性平衡能力产生的影响,为进行该练习能提高中年女性的平衡能力提供理论和实践依据。为确保研究过程的严谨性与科学性,本研究采用文献资料法、专家访谈法与问卷调查法系统整理并归纳了适宜中年女性进行测试的平衡指标和华尔兹舞蹈动作以展开实验,实验数据采用了独立样本T检验,配对样本T检验进行分析。研究结果:(1)实验干预前,测量实验组与对照组中年女性的年龄、身高、体重及各项平衡能力指标无显著性差异,P值均大于0.05(P>0.05),符合实验要求。(2)6周单人华尔兹干预训练后,实验组与对照组巴宾斯基-魏尔二氏实验、强化Romberg检查法成绩具有显著性差异,两项指标p值小于0.05(P0.05);实验组6周实验前后闭目原地踏步、巴宾斯基-魏尔二氏实验、闭眼单脚站立(左足)、强化Romberg检查法平衡能力指标有显著差异,P值小于0.05(P0.05)。(3)12周单人华尔兹干预训练后,实验组与对照组各项平衡指标有显著性差异,P值均小于0.05(P0.05)。研究结论:(1)实验组经过十二周华尔兹舞蹈锻炼后,静态平衡成绩与不参加锻炼的对照组中年女性相比有显著提升,证明华尔兹练习可以提高中年女性的静态平衡能力。(2)经常进行华尔兹舞蹈练习的中年女性动态平衡能力与不进行练习的中年女性相比较好,说明华尔兹锻炼可以有效地提高动态平衡能力,增加其稳定性。

关键词：华尔兹平衡能力中年女性

基于多模态MRI同步构建的伪CT生成和靶区分割研究

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基于多模态MRI同步构建的伪CT生成和靶区分割研究

作者：周炫汝南方医科大学

学位级别：硕士

新LPR定价机制下利率冲击对宏观经济波动的影响研究

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新LPR定价机制下利率冲击对宏观经济波动的影响研究

作者：尚柯汝内蒙古财经大学

学位级别：硕士

在我国利率市场化改革进程中,贷款利率上下限的放开具有里程碑意义,但以往商业银行仍以官方的基准利率为基础进行加点,难以实现我国利率的完全市场化。2019年新LPR定价机制的提出很好地弥补了这一不足,LPR是在MLF的基础上进行加点形成的... 详细信息

在我国利率市场化改革进程中,贷款利率上下限的放开具有里程碑意义,但以往商业银行仍以官方的基准利率为基础进行加点,难以实现我国利率的完全市场化。2019年新LPR定价机制的提出很好地弥补了这一不足,LPR是在MLF的基础上进行加点形成的,能够反映银行的两部门报价机制,具有较强的市场化特征。新LPR定价机制对利率的传导方式和效率产生了一定的影响,而我国的货币政策已基本由数量型调控转为价格型,在价格型货币政策中利率传导尤为关键,故新LPR机制会间接影响我国宏观经济的波动。此外,预期变化对宏观经济波动也产生了重要影响,预期变化会影响经济体制的稳定性。如果公众普遍预期未来的经济环境将发生较大的变化,则可能会调整自己的经济行为,例如减少消费、增加储蓄、延迟投资等,从而导致经济活动的放缓。这种调整可能会导致经济增长的下降和失业率的上升。同时,预期变化也可能会影响到企业的投资决策和雇佣计划,进一步影响经济的运行和发展。本文首先对利率冲击对宏观经济波动的影响、利率市场化与LPR改革对利率传导效率的影响、利率市场化与LPR改革对宏观经济波动的影响等相关文献进行了梳理并围绕相关理论展开了系统研究。其次,在构建了包含预期到的利率冲击的MSDSGE模型的基础上,利用2001年1月至2023年9月的中国宏观经济数据对LPR改革前后预期到的利率冲击和未预期到的利率冲击对宏观经济波动的影响展开了模拟分析。为了保证理论模型的准确性和可靠性,本文进一步使用模型进行实证检验。考虑到理论模型的时变性,本文同样选取具有时变特性的TVP-VAR模型进行检验,并采用与MS-DSGE模型相同的口径和观测变量。结果显示理论模型中产出和通货膨胀的脉冲响应形态与实证检验结果基本一致,这说明理论模型能够较好地解释实际经济中的变动,也验证了理论研究结果的可靠性。本文的研究结论为:第一,新LPR机制的实施对促进我国货币政策传导,及时有效地调控宏观经济具有重要意义。在新LPR推出后的市场化阶段中,我国主要宏观经济变量的波动幅度较大,宏观层面上调控效果明显。第二,预期到的利率冲击和未预期到的利率冲击对产出、通胀等主要宏观经济变量的影响机理相似。与未预期到的利率冲击相比,预期到的利率冲击使得宏观经济变量具有较小的波动幅度。具体而言,消费和投资在面对预期到的利率冲击时的波动幅度比未预期到的利率冲击时下降约50%,产出、通胀和劳动在面对预期到的利率冲击时的波动幅度比未预期到的利率冲击时下降约20%。第三,新LPR机制的提出对预期到的利率冲击和未预期到的利率冲击均产生影响。在新LPR推出后的收官阶段中,预期到的利率冲击和未预期到的利率冲击对宏观经济变量的影响效应均增大。此外,新LPR机制的推出会使得宏观经济变量面对预期到的利率冲击时比未预期到的利率冲击情况下的波动幅度下降更多,下降幅度大于在市场培育阶段中的下降幅度。

关键词：新LPR机制 MS-DSGE模型 TVP-VAR模型利率冲击预期管理

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Cu3P及其复合材料的阻变性能研究

Cu3P及其复合材料的阻变性能研究

作者：陈蔓汝杭州电子科技大学

学位级别：硕士

忆阻器因具有非易失性、高集成度、高读写速度、低功耗和多级存储等诸多优点而得到越来越多人的关注。目前,忆阻器在材料选择、制备工艺、机理研究等方面都有一定的研究进展,但高性能材料的缺乏仍阻碍它的实际应用。因此,迫切需要获得... 详细信息

忆阻器因具有非易失性、高集成度、高读写速度、低功耗和多级存储等诸多优点而得到越来越多人的关注。目前,忆阻器在材料选择、制备工艺、机理研究等方面都有一定的研究进展,但高性能材料的缺乏仍阻碍它的实际应用。因此,迫切需要获得性能优良的忆阻器材料。相对于传统忆阻器(介质层是二元金属材料、二维材料、有机材料、新型材料（钙钛矿类）等),基于金属磷化物忆阻器的研究却一直被忽视。因此,本文以探索金属磷化物忆阻器性能的角度出发,制备CuP忆阻器,研究其电学特性、导电机制和阻变机理。同时,又利用液相反应法制备含铜的氧化物或铜的硫化物的CuP/Cu复合材料,研究复合材料忆阻器的电学特性、导电机制或阻变机理,具体研究内容与结果如下:一、本论文首先研究CuP忆阻器的电学特性。研究器件结构、测试条件、介质层厚度、热处理温度和电极材料对器件性能的影响。研究表明:SS/CuP/SS器件的忆阻性能较为优异,具有较小的SET和RESET电压（0.24 V/-0.18 V）和高开关比（210）;通过改变扫描速率、限制电流、激励电压和测试温度等条件分析SS/CuP/SS器件的测试数据,得到适用于测试SS/CuP/SS器件性能的最佳测试参数;介质层厚度影响器件是否表现出忆阻特性,当CuP介质层厚度较薄（30 nm）时,器件表现出纯电阻特性;CuP介质层厚度增大（150 nm和13 um）时,器件表现出忆阻特性。器件阻值随介质层厚度的增加而增大,使器件的操作电压和开关比也随之增大;热处理温度对器件的操作电压有显著影响,经400℃和600℃热处理后的器件具有离散的操作电压,而经500℃热处理后的器件具有稳定且较小的SET和RESET电压（-0.22 V/0.21 V）。最后通过数据分析发现CuP器件的阻变机理与氧化还原反应有关,且不受电极材料的影响。二、通过配置0.1 Mol/L的CoSO溶液,将未处理的CuP/Cu放置在盐溶液中分别浸泡48 h、96 h和192 h,制备含CuO的CuP/Cu复合材料,并制备SS/CuP-CuO/Cu/SS器件,研究该器件的电学特性和阻变机理。研究发现:处理后的器件均表现出双极型忆阻特性,并且器件的开关比和高低阻态阻值均随着溶液处理时间的增加而增大。其中,SS/CuP-CuO/Cu/SS器件（处理192 h）的开关比提高13倍,高阻态阻值增大约30倍,低阻态阻值增大约10倍;SS/CuP-CuO/Cu/SS器件（处理192 h）在不同的限制电流下表现出不同阻值的低阻态,在0.1 V的恒定电压下各低阻态的稳定性超过10～3s,有望实现多级存储;对处理前后的器件施加不同形式的脉冲激励,器件的电导均可以在连续增加或减小的脉冲幅度或宽度作用下逐渐增加或逐渐减小,表现出脉冲幅度可塑性和脉冲宽度可塑性;除此之外,实验结果显示器件的阻变行为发生变化（处理96 h和192 h）,由初始状态下的低阻态转变为高阻态。这是由于介质层内CuO增多,当施加外加电场时,器件高低阻态变化主要以内部氧离子迁移形成氧空位,氧空位连接上下两电极形成导电通道为主,以CuP发生氧化还原反应为辅。为了验证以上结论,将热氧化（50℃和300℃）后获得的CuP-CuO/Cu复合材料制备成SS/CuP-CuO/Cu/SS器件。通过验证测试发现不同方法（液相反应法和热氧化法）引入CuO所得实验结果一致,均观察到器件开关比和高低阻态阻值增大以及器件阻变行为发生变化。三、通过配置0.1 Mol/L的NaS溶液,将未处理的CuP/Cu放置在盐溶液中分别浸泡48 h、96 h和192 h,分别制备含CuS的CuP/Cu复合材料（48 h）和含CuS的CuP/Cu复合材料（96 h和192 h）,制备SS/CuP-CuS/Cu/SS和SS/CuP-CuS/Cu/SS器件。通过比较两种器件的I-V曲线,发现SS/CuP-CuS/Cu/SS器件表现出双极型忆阻特性,具有较小的SET和RESET电压（-0.16 V/0.20 V）和高开关比（88）。SS/CuP-CuS/Cu/SS器件不具有记忆行为,表现出短期迟滞现象。这是由于移动的离子和电子对外加电压的响应不同,在双极发生弛豫,引起化学极化。接着在CuP-CuS/Cu复合材料的基础上叠加CuP制备SS/CuP/CuP-CuS/Cu/SS器件。研究发现SS/CuP/CuP-CuS/Cu/SS器件具有较大的SET和RESET电压（-0.36 V/0.24 V）和低开关比（3）,器件性能变差的原因与CuP介质层和界面电流传输有关。同时,对SS/CuP-CuS/Cu/SS器件和SS/CuP/CuP-CuS/Cu/SS器件的导电机制进行分析。结果表明两种器件的导电机制在LRS均遵循Ohmic传导机制,在HRS发生变化,前者由Child定律和SCL

关键词：忆阻器 Cu3P 阻变机理导电机制复合材料多级存储