检索结果-南通市图书馆

科研管理 1994年第2期15卷 23-26页

作者：王光愿沈令康华晶集团公司中央研究所

本文在案例分析的基础上,重点讨论了建立内部合理运行机制对科技成果转化为生产力的“加速效应”,并对影响科技成果转化为生产力的制约因素进行了扼要的分析和说明.

关键词：案例分析科技成果转化生产力

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有机金属气相外延GaAs的载流子浓度与外延气氛中As/Ga值的关系

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微电子学 1979年第2期 80-97页

作者：沈令康

OMV法非有意掺杂外延GaAs的载流子浓度受外延气氛中As/Ga值的控制。本研究中发现: As/Ga值等于十四左右, N型外延GaAs的迁移率有一个最大值,相应的载流子浓度较低。掺硫N型外延GaAs的载流子浓度随As/Ga值的增加而下降。本文分析了OMV... 详细信息

OMV法非有意掺杂外延GaAs的载流子浓度受外延气氛中As/Ga值的控制。本研究中发现: As/Ga值等于十四左右, N型外延GaAs的迁移率有一个最大值,相应的载流子浓度较低。掺硫N型外延GaAs的载流子浓度随As/Ga值的增加而下降。本文分析了OMV法的外延机构,提出了质量输运控制下的界面反应区部分反应热力学平衡模型,从而导出了Ⅵ族、Ⅱ族以及Ⅳ族元素的掺杂关系式。应用这些关系式能满意地解释OMV法外延GaAs的载流子浓度与As/Ga值的关系,并能说明其他工艺条件(外延温度、生长速率、掺杂量等)对外延GaAs载流子浓度的影响。研究结果已经应用于GaAs FET材料的制备工艺,因而掺S外延GaAs的载流子浓度得到了有效的控制。

关键词：载流子浓度外延层载流子密度 GaAs 气相外延有机金属

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烷基金属——氢化物法同质砷化镓气相外延

微电子学 1980年第3期 1-13页

作者：蒋晋义沈令康

前言用Ga-AsCl-H系统已制备了总电离杂质浓度为～10cm~3的高纯GaAs外延层,但是卤化物系统控制困难,重复性差,不能完全满足器件和电路发展的需要。1968年,Manasevit等首先报道用有机金属化学气相淀积(MO-CVD)技术制备Ⅲ—Ⅴ族化合物半... 详细信息

前言用Ga-AsCl-H系统已制备了总电离杂质浓度为～10cm~3的高纯GaAs外延层,但是卤化物系统控制困难,重复性差,不能完全满足器件和电路发展的需要。1968年,Manasevit等首先报道用有机金属化学气相淀积(MO-CVD)技术制备Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体外延薄膜。其后,他们对MO-CVD技术的淀积原理和

关键词： GaAs 外延层分配模型指派模型载流子密度载流子浓度电学性质同质金属材料金属

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同质外延硅汽相淀积法的改进

微电子学 1972年第2期16卷 40-45页

作者：李添臣沈令康

硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质... 详细信息

硅外延淀积工艺的重点在于生长突变结和改善外延层的径向厚度和电阻率均匀性。外延层的载流子迁移率和寿命取决于晶体完整性。衬底表面及其晶向对外延淀积有影响。讨论了有利于得到无缺陷的外延硅,有利于集成电路制备,诸如结隔离和介质隔离的方法。最后给出了有关汽相淀积同质外延硅的参考文献。

关键词：汽相淀积杂质分布衬底参考文献晶向均匀性厚度基片晶体学方向外延层同质外延

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MO—CVD外延工艺用高纯氢的制备

微电子学 1983年第1期 21-25页

作者：沈令康蒋晋义

我们建立了露点低达-85℃,氧含量低达0.2ppm的高纯氢制备装置。本文讨论了分子筛和催化剂的活化条件对所制的纯氢纯度的影响,同时还列举了氢气纯度对GaAs和GaAlAs MOCVD外延生长的影响。

关键词：高纯氢 ppm 氧含量制备装置氢气纯度外延工艺 CVD

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三甲基镓的制备

微电子学 1979年第4期 1-5页

作者：沈令康张敬信第六研究室

金属有机法砷化镓气相外延工艺,国外已广泛用于微波和光电器件材料的制备。国内在微波器件材料的制备上也取得了一定的进展。此外延工艺中通常使用的镓源是TMG(即三甲基镓),三乙基镓,二乙基氯化镓。这三种镓源,国内均无商品。我们在金... 详细信息

金属有机法砷化镓气相外延工艺,国外已广泛用于微波和光电器件材料的制备。国内在微波器件材料的制备上也取得了一定的进展。此外延工艺中通常使用的镓源是TMG(即三甲基镓),三乙基镓,二乙基氯化镓。这三种镓源,国内均无商品。我们在金属有机砷化镓气相外延中使用的镓源是自制的TMG。据文献报导,TMG的制备方法有: Ⅰ 金属镓和二甲基汞加热制备; Ⅱ 氯化镓和二甲基锌加热制备; Ⅲ 氯化镓和三甲基铝加热制备。我们曾采用过方法Ⅰ。用方法Ⅰ制备TMG要使用二甲基汞,二甲基汞系剧毒

关键词：三甲基镓甲基砷化镓金属有机三甲基鎵链烷基砷化物合成系统气相外延镓源碘化 TMA TMG 化学试剂试剂二甲基汞镁粉金属粉末铝粉氯化镓

MO-CVD法汽相生长Ga1-xA1-xAs的初步结果

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微电子学 1982年第1期 15-21页

作者：沈令康蒋晋义

一、引言 MO-CVD技术在制备GaAs多子器件材料方面已经达到实用化的水平。与传统的卤化物CVD、LPE和MBE相比,在制备大面积Ga1-xAlxAs—GaAs异质结构方面,MD-CVD的优越性也是显而易见的。据R、D、Dupuis等报道,用MO-CVD材料已制作了各种Ga... 详细信息

一、引言 MO-CVD技术在制备GaAs多子器件材料方面已经达到实用化的水平。与传统的卤化物CVD、LPE和MBE相比,在制备大面积Ga1-xAlxAs—GaAs异质结构方面,MD-CVD的优越性也是显而易见的。据R、D、Dupuis等报道,用MO-CVD材料已制作了各种Ga1-xAlxAs—GaAs异质结激光器和太阳电池,性能可与LPE材料器件相比。因此,作为一种制备光电子材

关键词： x)As 生长速率气相 TMA TMG MO-CVD Ga x)A CVD 汽相生长晶体生长

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MO-CVD法制备器件质量的GaAs薄膜

稀有金属 1982年第6期 1-4页

作者：沈令康蒋晋义张敬信肖启新 1424所

随着GaAs及有关化合物半导体材料在微波、光电器件及集成电路领域中日益广泛的应用,研究一种更加简单易控、重复性好、适合于工业性生产的GaAs外延技术是十分必要的。Rockwell国际电子研究中心1968年报道的MO-CVD技术,兼有硅外延技术的... 详细信息

随着GaAs及有关化合物半导体材料在微波、光电器件及集成电路领域中日益广泛的应用,研究一种更加简单易控、重复性好、适合于工业性生产的GaAs外延技术是十分必要的。Rockwell国际电子研究中心1968年报道的MO-CVD技术,兼有硅外延技术的工业生产性,GaAs液相外延和分子束外延的优点。十多年来,美、日、苏、英、德、法等国都对此技术进行了研究,并已获得广泛应用。我所从1972年起逐步开展了该技术的研究,至今已能制备器件质量的GaAs薄膜,并于1980年6月通过了部级技术鉴定,本文简要介绍我们的研究结果。

关键词：载流子浓度饱和电流击穿电压载流子密度 MO-CVD CVD GaAs 迁移率器件掺杂剂过渡区衬底基片外延层质量

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液态PbO-Sb2O3渣的热力学性质

金属学报 1966年第2期 226-228页

作者：沈令康韩兆隆赵彭年邹元爔上海交通大学中国科学院冶金研究所

PbO-SbO系熔渣的热力学性质对铅氧化精炼去锑有一定的参考价值。Pelzel曾在不同温度(690-1000℃)下测定了下列反应的平衡常数3PbO+2Sb=SbO+3Pb~*。(1)但他在每一温度下只采用了一个固定组成的熔渣,因此不能根据他的实验数据进行熔渣热... 详细信息

PbO-SbO系熔渣的热力学性质对铅氧化精炼去锑有一定的参考价值。Pelzel曾在不同温度(690-1000℃)下测定了下列反应的平衡常数3PbO+2Sb=SbO+3Pb~*。(1)但他在每一温度下只采用了一个固定组成的熔渣,因此不能根据他的实验数据进行熔渣热力学性质的计算。本文报告用不同组成的熔渣进行反应(1)平衡试验的结果,并借助于变通的Gibbs-Duhem积分法求出900℃下PbO-SbO系熔渣的热力学数据。

关键词：活度系数实验数据 PbO-Sb2O3 熔渣热力学性质物理性能混合自由能液态 Sb

基于几何约束优化的重复控制器及PMSM电流谐波抑制应用

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电工技术学报 2024年第4期39卷 1059-1073页

作者：朱元朱醴亭肖明康孟令同济大学汽车学院上海201804

重复控制器凭借其具有多个谐振峰而广泛应用于电流谐波抑制领域,然而在实际电机控制系统中,由于系统采样频率固定而电流谐波频率随电机转速而变化,会导致重复控制器中出现分数阶延时环节,而该环节在实际控制器中无法实现。对此,该文针... 详细信息

重复控制器凭借其具有多个谐振峰而广泛应用于电流谐波抑制领域,然而在实际电机控制系统中,由于系统采样频率固定而电流谐波频率随电机转速而变化,会导致重复控制器中出现分数阶延时环节,而该环节在实际控制器中无法实现。对此,该文针对现有分数阶处理方法进行讨论,分析了插值逼近方法中插值系数对重复控制器整体频率特性的作用,据此提出基于几何约束优化的分数阶重复控制器,通过优化各插值系数,电机在全转速范围内都可以保证谐振频率和电流谐波频率相吻合,并且谐振峰值更符合电机谐波组成规律;还分析了滤波器所处反馈回路位置对频率特性的影响,作为组合滤波器设计依据;为保证系统稳定,对包含PI、重复控制器以及离散电机模型的电流控制系统进行稳定性分析,并作为控制参数选取依据。最后,通过台架实验验证了该文所提出的方法的谐波抑制性能是更优的。

关键词：分数阶延时环节重复控制器控制稳定性谐波抑制永磁同步电机(PMSM)

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