检索结果-南通市图书馆

空间电子技术 2024年第4期21卷 65-70页

作者：顾国栋王国瑾朱忠博郝晓林张立森宋旭波徐鹏梁士雄冯志红固态微波与电路全国重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国空间技术研究院西安分院西安710000

为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管... 详细信息

为了提高太赫兹收发系统的集成度,设计并制备了220GHz基于共面波导输出接口的片上砷化镓基波混频电路。首先,对研制的砷化镓肖特基二极管的I-V和C-V进行测试表征,并提取了相应的肖特基二极管电路参数。其次,分别设计了串联肖特基二极管、低通滤波器、3dB耦合器等结构,并对其进行了联合仿真,实现了220GHz混频基波电路。最后,通过优化整合工艺,采用二极管倒装的形式封装在电路上形成片上混频器。对研制的混频电路进行了测试验证:在固定中频5GHz的条件下,测试结果表明在200GHz~220GHz频率范围内芯片的变频损耗均小于15dB,在204GHz处获得了最低损耗10.6dB。基于GCPW的砷化镓芯片电路结构简单,无需波导腔体装配,可以与其他射频器件集成在一起,减小芯片体积,增加集成度。

关键词：太赫兹肖特基二极管接地共面波导基波混频

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170GHz二倍频器2路功率合成技术研究

空间电子技术 2024年第4期21卷 59-64页

作者：徐鹏徐辉王国瑾张立森梁士雄宋旭波顾国栋郝晓林冯志红固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 中国空间技术研究院西安分院西安710000

文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR... 详细信息

文章研究并实现了基于170GHz二倍频器2路的功率合成。采用三维电磁场仿真设计并实现了E面T型功分/功合器。功率分配器采用WR10标准波导,80GHz~95GHz频带内,插入损耗在0.2dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。输出功率合成器采用WR5标准波导,160GHz~185GHz频带内,插入损耗在0.4dB左右,端口2和端口3之间隔离度在6dB左右。采用GaAs肖特基二极管单片集成技术设计并制备单路二倍频器,以满足一致性要求;基于170GHz二倍频器2路功率合成的测试结果表明,输入功率在600mW~800mW之间,163GHz~178GHz的输出功率在110mW~264mW,合成效率在80%以上。在171GHz的频点下,峰值输出功率可达264mW,峰值合成效率达到92%。

关键词：太赫兹二倍频器功率合成

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260 GHz GaN高功率三倍频器设计

太赫兹科学与电子信息学报 2024年第3期22卷 290-295页

作者：盛百城宋旭波顾国栋张立森刘帅万悦魏碧华李鹏雨郝晓林梁士雄冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 固态微波器件与电路全国重点实验室河北石家庄050051

基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输... 详细信息

基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示,该三倍频器在261 GHz峰值频率下,实现最大输出功率为69.1 mW,转换效率为3.3%,同时具有较好的谐波抑制特性。

关键词：三倍频器太赫兹肖特基二极管非平衡式倒装

InP基共振隧穿二极管太赫兹振荡器的设计与实现

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红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 443-447页

作者：刘军宋瑞良刘宁梁士雄中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心北京100070 河北半导体技术研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT... 详细信息

利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度J_(p)为359.2 kA/cm^(2),谷值电流密度J_(v)为135.8 kA/cm^(2),峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(f_(max))分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器。

关键词：太赫兹共振隧穿二极管振荡器

Terahertz broadband polarizer using bilayer subwavelength metal wire-grid structure on polyimide film

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Chinese Optics Letters 2015年第1期13卷 78-81页

作者：吴晓李化月梁士雄刘建军韩张华洪治 Centre for THz Research China Jiliang University Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute

A tcrahcrtz （THz） broadband polarizer using bilayer subwavelength metal wire-grid structure on both sides of polyimide fihn is simulated by the finite-difference time-domain method. We amdyze tile effect of film thickness, material loss, and lateral shift between two metallic gratings on the performance of the THz polarizer. Bilayer wire-grid polarizers are fabricated by a simple way of laser induced and non-electrolytic plating with copper. The THz time-domain spectroscopy measurements show that in 0.2 1.6 THz frequency range, the extinction ratio is better than 45 dB, the average extinction ratio reaches 53 dB, and the transmittance exceeds 67%, which shows great advantage over conventional single wire-grid THz polarizer.

关键词： THz Terahertz broadband polarizer using bilayer subwavelength metal wire-grid structure on polyimide film

半导体量子阱中激子波函数及其Fourier系数的计算和应用

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物理学报 2012年第5期61卷 459-466页

作者：雷小丽王大威梁士雄吴朝新西安交通大学电子信息与工程学院陕西省信息与光子技术重点实验室物理电子与器件教育部重点实验室西安710049 西安邮电学院理学院西安710061

利用准玻色子方法发展的激子动力学方程是研究半导体纳米结构中激子超快动力学的有效理论手段.为了将这种方法应用于半导体量子阱,需要知道量子阱中的激子波函数及其在动量空间的表示,从而得到激子动力学方程中所必须的系数.详细讨论了... 详细信息

利用准玻色子方法发展的激子动力学方程是研究半导体纳米结构中激子超快动力学的有效理论手段.为了将这种方法应用于半导体量子阱,需要知道量子阱中的激子波函数及其在动量空间的表示,从而得到激子动力学方程中所必须的系数.详细讨论了理想和实际量子阱中的激子波函数,特别是其在动量空间的表示,并进一步讨论了激子动力学方程中所必须系数的计算方法.通过求解这些系数,对量子阱中因激子密度变化而引起的太赫兹脉冲作用下激子能级间跃迁过程中的非线性效应进行了理论预测,得到了与实验符合很好的结果.

关键词：量子阱激子波函数激子系数

Terahertz Brewster polarizing beam splitter on a polymer substrate

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Chinese Optics Letters 2013年第12期11卷 70-72页

作者：张蒙恩李向军梁士雄刘平安刘建军洪治 Centre for THz Research China Jiliang University Science and Technology on ASIC Laboratory Hebei Semiconductor Research Institute

The performance of a terahertz （THz） Brewster polarizing beam splitter on polymer substrate is studied theoretically and experimentally. Simulations by using finite-element method demonstrate that both trans- nqittance/rei%ctanee and their extinction ratios are better than its 45 °counterpart in a broad frequency range. Especially, the reflection extinction ratio improves significantly. The results are also verified exper- imentally with THz time domain spectroscopy （TDS） and backward wave oscillator （BWO） measurement system.

关键词： Light extinction

单片集成430 GHz三倍频器的设计及测试

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中国激光 2019年第6期46卷 310-315页

作者：杨大宝邢东梁士雄张立森徐鹏冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051 专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外... 详细信息

通过单片集成的方法,将工作于太赫兹频段(430GHz)的三倍频器的各个功能电路集成在厚度为12μm的砷化镓薄膜单片上,设计、制造太赫兹三倍频集成电路单片。单片结构采用一对反向并联连接的肖特基二极管,构成串联平衡式电路,电路不需要外加偏置电压。平衡式电路只产生奇数次谐波,简化了电路分析和优化过程。电路设计采用三维电磁仿真软件与谐波非线性仿真软件联合仿真场路的方法,准确模拟单片电路的射频特性。将单片电路安装在中间剖开的波导腔体内制成三倍频器进行测试,在430GHz处测得输出功率为215.7μW,效率为4.3%。

关键词：太赫兹技术三倍频反向并联单片集成肖特基势垒二极管

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太赫兹平面肖特基二极管参数模型

红外与激光工程 2016年第12期45卷 151-156页

作者：赵向阳王俊龙邢东杨大宝张立森梁士雄冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 详细信息

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。

关键词：太赫兹肖特基二极管小信号等效电路模型在片测试结构