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检索条件"作者=杨亚生"
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单片式PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵
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红外技术 1992年 第3期14卷 23-38页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所 重庆永川632163
本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。
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PtSi红外焦平面阵列技术的发展概况
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激光与红外 2000年 第1期30卷 48-50页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所 重庆400060
介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题。
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PtSi红外焦平面列阵研究的新进展
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激光与红外 1996年 第4期26卷 264-267页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
评述了ＰｔＳｉ消特基势垒红外焦平面列阵的研究进展。近年来，国外采用一些新的器件结构，制成了高性能的大型凝视ＰｔＳｉ红外焦平面列阵。
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凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能
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半导体技术 1997年 第2期13卷 47-52页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
ＰｔＳｉ红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描ＩＴＣＣＤ和逐行扫描ＩＴＣＣＤ结构，均做出了高性能的Ｐｔ... 详细信息
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光学薄膜膜厚监控中极值法的应用
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半导体光电 1989年 第2期10卷 74-78页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
极值法是目前国内外真空镀膜膜厚监控中应用最广泛的方法。本文阐述了此法的膜厚监控原理、系统、方法。重点讨论了为提高监控精度而采取的一些改进措施。
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提高PtSi—SBIRCCD量子效率和转移效率的方法研究
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系统工程与电子技术 1992年 第10期14卷 13-19页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
本文阐述了提高PtSi肖特基势垒红外CCD(PtSi-SBIRCCD)的量子效率和转移效率的方法。探测器采用具有抗反射层的优化薄PtSi光腔结构,提高了量子效率。为了提高转移效率,CCD移位寄存器采用埋沟CCD,并且发现,降低埋沟中的杂质浓度是提高器件... 详细信息
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硅化铂肖特基势垒红外CCD焦平面列阵
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现代兵器 1992年 第5期 38-40+48页
作者： 杨亚生
本文介绍了硅化铂肖特基势垒红外CCD(PtSi-SBIRCCD)的工作原理,分析了器件的最佳化结构,简要评述了国内外PtSi-SBIRCCD的发展。
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计算机辅助英语词汇学习系统的研制
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电化教育研究 1993年 第3期 72-73页
作者： 杨亚生 第三军医大学电教中心
一、概述学习英语的人无不为英语词汇浩若烟海、记不胜记而深感记忆之苦。而在英语学习上,没有词汇就没有一切,它是英语读、听、说、写、译的基础。如何迅速扩大词汇量,是每个英语学习者最为关心的问题。通过对记忆规律的分析和对学生... 详细信息
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测辐射热计红外焦平面列阵
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半导体技术 1999年 第2期24卷 5-8页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
非制冷测辐射热计红外焦平面列阵设计为桥式结构，器件制作采用微机械加工技术。工作波段为８～１２μｍ，热阻达１０７Ｋ／Ｗ量级，噪声等效温差为０．１Ｋ。
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CCD图像传感器及其研究进展
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传感器技术 1992年 第3期11卷 12-14页
作者： 杨亚生 重庆光电技术研究所
CCD图像传感器是新崛起的固体摄像器件的佼佼者。阐述了CCD的结构、原理、特点和用途,分析了CCD的国内外研究现状,最后对CCD的发展趋势和前景作了展望。
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