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ZnO/M/ZnO金属介质多层膜的慢正电子研究

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ZnO/M/ZnO金属介质多层膜的慢正电子研究

第十一届全国正电子湮没谱学会议

作者：楼捷叶邦角翁惠民杜淮江中国电力投资公司高级培训中心中国科学技术大学近代物理系

由脉冲激光沉积法制备了一系列ZnO/Cu/ZnO和ZnO/A1/ZnO金属介质多层透明导电膜。样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来获得。同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构。中间金属介质层比较薄的样品在退火后,... 详细信息

由脉冲激光沉积法制备了一系列ZnO/Cu/ZnO和ZnO/A1/ZnO金属介质多层透明导电膜。样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来获得。同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构。中间金属介质层比较薄的样品在退火后,其S-E曲线的变化规律与其他样品有着明显的不同。结晶性质,金属与ZnO的相互扩散及金属层的团聚等因素都影响着多层膜的光电性质。合适的退火条件能使多层膜质量提高从而获得低电阻率及高光透过率的多层透明导电膜。

关键词： ZnO/M/ZnO 金属介质多层膜慢正电子脉冲激光沉积

Study of Coincidence Doppler Broadening in Carbon Nanotubes

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Plasma Science and Technology 2012年第5期14卷 431-433页

作者：郭卫锋郝颖萍成斌刘建党杜淮江翁惠民叶邦角 Department of Modern Physics University of Science and Technology of China Department of Physics Artillery Academy of PLA

Coincidence Doppler broadening measurements of positron annihilation for multi- walled carbon nanotubes, double-walled carbon nanotubes, single-walled carbon nanotubes and graphite were performed. The ratio curves of the Doppler broadening for these samples to silicon were obtained. It is shown that there are distinct peaks at the position of 10xl0-arn0c for both carbon nanotubes and graphite, however the amplitudes of the peaks are not the same. We have the opinion that these peaks arise from the annihilation of positron with the 2s and 2p electron of carbon element.

关键词： positron annihilation coincidence Doppler broadening carbon nanotubes

Fe_3O_4-C核壳型纳米纤维的正电子研究

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物理学报 2009年第10期58卷 6946-6950页

作者：熊涛高传波陈祥磊周先意翁惠民曹方宇叶邦角韩荣典杜淮江中国科学技术大学近代物理系合肥230026 中国科学技术大学材料科学与工程系合肥230026

利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮... 详细信息

利用正电子手段研究新型多功能材料Fe3O4-C纳米管核壳结构纳米纤维的内部电子结构,通过测量和分析正电子湮没寿命谱和符合双多普勒展宽谱,发现在这种材料中部分正电子在Fe3O4内部的单空位中发生湮灭,部分正电子在Fe3O4的微空洞中发生湮灭,部分正电子在壳层碳纳米管中湮灭.并估算了各个部分的湮灭比例,在一定程度上揭示了Fe3O4-C核壳型纳米纤维内部的微观电子结构.

关键词：正电子纳米纤维寿命符合多普勒

ZnO/M/ZnO金属介质多层膜的慢正电子研究

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ZnO/M/ZnO金属介质多层膜的慢正电子研究

第十届全国正电子湮没谱学会议

作者：楼捷叶邦角翁惠民韩荣典杜淮江中国科学技术大学近代物理系中国电力投资公司高级培训中心

由脉冲激光沉积法制备了一系列ZnO/Cu/ZnO和ZnO/Al/ZnO金属介质多层透明导电膜。样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来获得。同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构。中间金属介质层比较薄的样品在退火后,... 详细信息

由脉冲激光沉积法制备了一系列ZnO/Cu/ZnO和ZnO/Al/ZnO金属介质多层透明导电膜。样品的形貌和结晶状态通过了扫描电子显微镜和X射线衍射法来获得。同时还使用了慢正电子注入谱来分析样品的微结构。中间金属介质层比较薄的样品在退火后,其S-E曲线的变化规律与其他样品有着明显的不同。结晶性质,金属与ZnO的相互扩散及金属层的团聚等因素都影响着多层膜的光电性质。合适的退火条件能使多层膜质量提高从而获得低电阻率及高光透过率的多层透明导电膜。

关键词： ZnO/M/ZnO 金属介质多层膜慢正电子脉冲激光沉积

^(241)Am-Be中子源快中子成像研究

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同位素 2007年第2期20卷 87-89页

作者：蒋诗平陈亮万里飚杜淮江范扬眉韩荣典中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学技术大学近代物理系安徽合肥230029

中子成像是一种与X射线成像互补的无损探测技术。为探索同位素中子源用于发展可移动的无损检测系统,利用241Am-Be作为中子源,使用自制的中子发光转换屏和X射线胶片作为探测系统开展了快中子成像研究,并获得了较高质量的图像。研究结果表... 详细信息

中子成像是一种与X射线成像互补的无损探测技术。为探索同位素中子源用于发展可移动的无损检测系统,利用241Am-Be作为中子源,使用自制的中子发光转换屏和X射线胶片作为探测系统开展了快中子成像研究,并获得了较高质量的图像。研究结果表明,利用241Am-Be中子源发展小型探测系统是有潜力的。

关键词： ^241Am-Be中子源快中子成像无损检测

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快中子成象的实验研究(摘要)

快中子成象的实验研究(摘要)

第七届全国中子计学术会议

作者：蒋诗平陈亮陈阳施朝淑杜淮江王忠民范扬眉韩荣典中国科学技术大学国家同步辐射实验室中国科学技术大学近代物理系

中子成象是在X射线成象的基础上发展起来的,但是中子成象在某些方面要比X射线成象更有优势,它是X射线成象的很好的辅助手段。目前被广泛研究并得到很好的应用是热中子成象技术。它作为一种非常有优势的无损检测技术已经用在如航空器、...

中子成象是在X射线成象的基础上发展起来的,但是中子成象在某些方面要比X射线成象更有优势,它是X射线成象的很好的辅助手段。目前被广泛研究并得到很好的应用是热中子成象技术。它作为一种非常有优势的无损检测技术已经用在如航空器、爆炸装置以及铸造产品的缺陷检测等很多工业领域。但热中子的穿透力有限,对厚材料、尤其是

关键词：

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SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究

SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究

第十届全国正电子湮没谱学会议

作者：郝颖萍陈祥磊成斌许红霞韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角中国科学技术大学近代物理系核固体物理实验室

首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOF,测量了SmFeAsOF的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算值较吻合;母体样品的多普勒展宽S参数... 详细信息

首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOF,测量了SmFeAsOF的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算值较吻合;母体样品的多普勒展宽S参数在相变附近呈现出一个跳跃,而超导样品则在超导相和正常相呈现出不同的S-T斜率,S-W曲线的线性表明超导转变并没有引起缺陷类型的改变。

关键词：高温超导正电子寿命多普勒展宽

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SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究

SmFeAsO1-xFx材料的正电子研究

“创新——核科学技术发展的不竭源泉”——中国核学会2009年学术年会

作者：郝颖萍陈祥磊成斌许红霞韩荣典翁惠民杜淮江叶邦角中国科学技术大学近代物理系核固体物理实验室

首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOl-xFx,测量了SmFeAsOl-xFx的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算值较吻合;母体样品的多普勒展... 详细信息

首次用正电子湮没技术研究了新的铁基高温超导体SmFeAsOl-xFx,测量了SmFeAsOl-xFx的常温正电子寿命谱以及随温度变化的多普勒展宽谱,并在广义梯度近似(GGA)基础上进行了正电子寿命计算,寿命测量值与理论计算值较吻合;母体样品的多普勒展宽S参数在相变附近呈现出一个跳跃,而超导样品则在超导相和正常相呈现出不同的S-T斜率,S-W曲线的线性表明超导转变并没有引起缺陷类型的改变。

关键词：高温超导正电子寿命多普勒展宽