检索结果-南通市图书馆

一种新型高性能CMOS电流模式的动态规划电路

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西安交通大学学报 2012年第6期46卷 29-35页

作者：戴力庄奕琪景鑫杜永乾汤华莲李振荣西安电子科技大学微电子学院西安710071

为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种CMOS电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使... 详细信息

为了提高片上网络中最优化计算的动态规划电路的速度和精确度,提出了一种CMOS电流模式的winner-take-all/loser-take-all(WTA/LTA)电路.该电路设计了一个可再生结构放大输入电流的差距并加速比较,从而提高了电流比较的解析度和速度;使用了输出选择的方式来减小电流镜引起的失配误差,从而改善了输出电流的精确度.采用TSMC 180nm工艺技术和1.3V工作电压的仿真实验表明,所提出的WTA/LTA电路可以达到1nA的解析度和99.5%的精确度,同时具有高速、低功耗特性.使用该电路作为基本计算单元的八节点动态规划电路,在相同仿真条件下与未改进的动态规划电路相比,计算延迟减小约60%,同时精确度提高约80%.

关键词： CMOS电路电流模式 WTA/LTA电路动态规划最优化

无源超高频RFID低压高效电荷泵的设计与实现

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电子科技大学学报 2010年第6期39卷 934-939页

作者：靳钊庄奕琪王江安杜永乾乔丽萍张超西安电子科技大学微电子学院西安710071 西藏民族学院信息工程学院陕西咸阳712082

提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统... 详细信息

提出了一种适用于无源超高频射频识别(RFID)标签的低压高效电荷泵电路的设计方案,用以最大化标签的识别距离。该方案利用偏置电路为主电荷泵提供偏置电压,通过二极管连接的MOSFET抑制偏置电路的负载电流来提高偏置电压,大大减小了传统电荷泵中的阈值损失,有效抑制了反向漏电流,提高了电荷泵的灵敏度和能量转换效率。该结构使用chartered 0.35μm CMOS工艺进行流片验证,实测结果表明,在输入275 mV负载电阻200 k?情况下,电荷泵输出可达1.47 V,能量转换效率最高可达26.2%;采用该电荷泵的RFID标签识别距离最远可达4.2 m。该设计为RFID芯片的良好性能提供了可靠保证。

关键词：电荷泵电路低压能量转换效率射频识别

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猪圆环病毒病的病原学及诊治

北方牧业 2023年第7期 34-35页

作者：杜永乾石家庄市元氏县农业农村局河北元氏051130

在生猪养殖过程中,疾病是导致养殖效益低下的一个重要原因,猪圆环病毒病作为养殖环节较为常发的疾病之一,对生猪的生产性能造成巨大的负面影响。有研究表明猪圆环病毒可引起免疫抑制反应,不仅会影响机体的免疫水平,还会导致混合感染或... 详细信息

在生猪养殖过程中,疾病是导致养殖效益低下的一个重要原因,猪圆环病毒病作为养殖环节较为常发的疾病之一,对生猪的生产性能造成巨大的负面影响。有研究表明猪圆环病毒可引起免疫抑制反应,不仅会影响机体的免疫水平,还会导致混合感染或继发感染。

关键词：猪圆环病毒病继发感染混合感染生猪养殖养殖环节免疫水平病原学免疫抑制反应

无源UHF RFID标签的低成本阻抗匹配网络设计

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 215-219页

作者：靳钊庄奕琪袁冰杜永乾刘伟峰李小明西安电子科技大学微电子学院西安710071

提出了一种符合ISO/IEC18000-6C标准的无源RFID(射频识别)标签的低成本阻抗匹配网络。该设计基于复功率波反射系数的概念,修正芯片输入阻抗,在片内添加阻抗匹配电路。通过变化芯片阻抗和天线共轭匹配及失配间切换,有效完成信号的调制反... 详细信息

提出了一种符合ISO/IEC18000-6C标准的无源RFID(射频识别)标签的低成本阻抗匹配网络。该设计基于复功率波反射系数的概念,修正芯片输入阻抗,在片内添加阻抗匹配电路。通过变化芯片阻抗和天线共轭匹配及失配间切换,有效完成信号的调制反射。提出的电路结构简单,易于实现,在读写器、标签天线和芯片之间实现了功率传输的最大化,提高了芯片输入电压以及读写器对标签反射信号的识别率。采用该阻抗匹配网络的芯片基于chartered 0.35μm CMOS工艺实现。测试结果表明,在923MHz频带下,倍压电路输出可达1.47V,标签满足系统设计要求。

关键词：射频识别标签阻抗匹配网络调制反射复功率波反射系数

一种5～20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器

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西安电子科技大学学报 2015年第2期42卷 89-94,145页

作者：张岩龙庄奕琪李振荣任小娇齐增卫杜永乾李红云西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071

设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.... 详细信息

设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm.

关键词：衰减器步进式衰减器 CMOS开关低插入损耗低相位误差

A power-efficient 12-bit analog-to-digital converter with a novel constant-resistance CMOS input sampling switch

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Journal of Semiconductors 2014年第2期35卷 102-111页

作者：景鑫庄奕琪汤华莲戴力杜永乾张丽段宏波 Ministry of Education Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Device Xidian University Intel Mobile Communications Technology Ltd.

Apower-efficient 12-bit40-MS/spipelineanalog-to-digitalconverter（ADC）implementedina0.13 μm CMOS technology is presented. A novel CMOS bootstrapping switch, which offers a constant on-resistance over the entire input signal range, is used at the sample-and-hold front-end to enhance the dynamic performance of the pipelined ADC. By implementing with 2.5-bit-per-stage and a simplified amplifier sharing architecture between two successive pipeline stages, a very competitive power consumption and small die area can be achieved. Meanwhile, the substrate-biasing-effect attenuated T-type switches are introduced to reduce the crosstalk between the two op- amp sharing successive stages. Moreover, a two-stage gain boosted recycling folded cascode （RFC） amplifier with hybrid frequency compensation is developed to further reduce the power consumption and maintain the ADC＇s performance simultaneously. The measured results imply that the ADC achieves a spurious-free dynamic range （SFDR） of 75.7 dB and a signal-to-noise-plus-distortion ratio （SNDR） of 62.74 dB with a 4.3 MHz input signal; the SNDR maintains over 58.25 dB for input signals up to 19.3MHz. The measured differential nonlinearity （DNL） and integral nonlinearity （INL） are -0.43 to ＋0.48 LSB and -1.62 to ＋ 1.89 LSB respectively. The prototype ADC consumes 28.4 mW under a 1.2-V nominal power supply and 40 MHz sampling rate, transferring to a figure- of-merit （FOM） of 0.63 pJ per conversion-step.

关键词： analog-to-digital convert pipeline op-amp sharing CMOS bootstrapping switch hybrid compensation low-voltage

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集成温度传感器的无源超高频标签芯片设计

电路与系统学报 2013年第1期18卷 336-342页

作者：刘伟峰庄奕琪齐增卫唐龙飞杜永乾西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

设计了一种集成温度传感器的无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片。通过采用阈值补偿及分级供电的方式,有效的提高了能量转化电路的效率;通过采用正负两种温度系数电流求和的电路结构,得到近似零温度系数的参考电流。采用固定频率时... 详细信息

设计了一种集成温度传感器的无源超高频射频识别(UHF RFID)标签芯片。通过采用阈值补偿及分级供电的方式,有效的提高了能量转化电路的效率;通过采用正负两种温度系数电流求和的电路结构,得到近似零温度系数的参考电流。采用固定频率时钟驱动的计数器对源自振荡周期随温度变化时钟的信号采样计数的方式计算测量环境温度,由于两个振荡器电路完全对称,从而避免了工艺因素的影响。芯片在TSMC 0.18μm Mix-signal/RFCMOS工艺进行流片,测试结果显示,芯片最远识读距离达到7.5米,在-40℃^+55℃温度范围内,温度测量误差最大不超过2℃。

关键词：超高频射频识别标签芯片温度传感器

Effect of graphene tunnel barrier on Schottky barrier height of Heusler alloy Co_2MnSi/graphene/n-Ge junction

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Chinese Physics B 2016年第2期25卷 426-429页

作者：李桂芳胡晶吕辉崔智军候晓伟刘诗斌杜永乾 School of Electronics and Information Northwestern Polytechnical University

We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co_2MnSi and the germanium（Ge） channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. We confirm that the Fermi level is depinned and a reduction in the electron Schottky barrier height（SBH） occurs following the insertion of the graphene layer between Co_2MnSi and Ge. The electron SBH is modulated in the 0.34 eV–0.61 eV range. Furthermore,the transport mechanism changes from rectifying to symmetric tunneling following the insertion. This behavior provides a pathway for highly efficient spin injection from a Heusler alloy into a Ge channel with high electron and hole mobility.

关键词： Co2MnSi/graphene/n-Ge junction Fermi-level depinning Schottky barrier height metal-induced gap states (MIGS)

温度分层环境中水下航行器机动下潜热尾流特征

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哈尔滨工程大学学报 2024年第6期45卷 1111-1118页

作者：李戈洋杜永成杨立海军工程大学动力工程学院湖北武汉430033 海军工程大学振动与噪声研究所湖北武汉430033

为研究水下航行器热尾流引起的水面温度异常,本文采用有限体积法建立三维SUBOFF数学模型。使用Fluent UDF、Patch分别控制水下航行器机动下潜方式和水域温度分层。数值模拟结果表明:水下航行器在机动下潜时,热尾流在水面会形成由2条不... 详细信息

为研究水下航行器热尾流引起的水面温度异常,本文采用有限体积法建立三维SUBOFF数学模型。使用Fluent UDF、Patch分别控制水下航行器机动下潜方式和水域温度分层。数值模拟结果表明:水下航行器在机动下潜时,热尾流在水面会形成由2条不连续高温热斑组成的椭圆形温度异常区,且正温度梯度分层水域会增强热尾流引起的水面温度异常。在无热排放条件下,水下航行器机动下潜会对水域温度分层发生较大扰动,从而出现冷尾迹。相反,受热排放影响,热尾流以肾形涡的形式向上浮升,涡结构尺度随着航行距离的增大而增大,核心温度随着航行距离的增大而减小。正温度梯度分层海水会增强冷却水引起的海面温度异常特征,且温度梯度越大,热斑越连续,热斑核心最高温度为292.24 K,与周围海水温度差值为0.12 K。

关键词：水下航行器热尾流有限体积法机动下潜温度分层高温热斑椭圆形温度异常区正温度梯度