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耐熔金属约瑟夫逊隧道结制备中Nb／AlOx－Al／Nb结构质量的检验

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低温物理学报 1996年第6期18卷 411-419页

作者：陈赓华，韩智毅，杜寰，徐凤枝，杨乾声中科院物理所

在耐熔金属约瑟夫逊结制备过程中，我们应用各种分析技术对Ｎｂ／ＡｌＯｘ－Ａｌ／Ｎｂ基本结构的质量作了检验；基于这些分析，从实验上确定了用直流磁控溅射制备该结构时的最佳参数．

关键词：约瑟夫逊结最佳参数制备过程 AlO_x Nb 直流磁控溅射 Al 金属金属材料

具有加长LDD结构的高压CMOS器件(英文)

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功能材料与器件学报 2007年第3期13卷 246-252页

作者：王晓慧杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件。器件的击穿电压可以达到30V以上。加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的。LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件... 详细信息

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件。器件的击穿电压可以达到30V以上。加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的。LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大。对于不同的工作电压(10-20V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量。只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容。而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现。与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成。

关键词：高压CMOS器件加长LDD结构击穿电压

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1OOV高压pMOS器件研制

Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 275-278页

作者：宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100... 详细信息

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.

关键词：高压集成电路 LDMOS 厚栅氧

场序彩色硅基液晶微显示驱动电路设计(英文)

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半导体技术 2013年第4期38卷 248-253,267页

作者：赵博华黄苒马飞杜寰罗家俊韩郑生林斌中国科学院微电子研究所北京100029 浙江大学光电信息工程学系杭州310007

基于0.35μm二层多晶硅四层金属(2P4M)3.3 V/5 V双电源电压CMOS混合信号工艺,设计了能应用到投影显示的一种分辨率为800×600硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路芯片。整个驱动电路采用奇偶列的驱动方案,并且每一列都集成了一个数字模拟转换... 详细信息

基于0.35μm二层多晶硅四层金属(2P4M)3.3 V/5 V双电源电压CMOS混合信号工艺,设计了能应用到投影显示的一种分辨率为800×600硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路芯片。整个驱动电路采用奇偶列的驱动方案,并且每一列都集成了一个数字模拟转换器(DAC)。为了减少亮度的损失,采用场序彩色法实现彩色显示。像素单元的面积为15μm×15μm,整个芯片的面积大小为14.7 mm×11.4 mm。测试结果表明该芯片在帧频为60 Hz时能正常工作并且能实现256阶灰度的彩色显示。在3.3 V/5 V的双电源电压供电下,整个芯片的功耗大约为100 mW。

关键词：场序彩色硅基液晶微显示像素电路高级视频图形阵列(SVGA) 灰度数字模拟转换器(DAC)

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场发射平板显示高低压电平转换电路

发光学报 2006年第5期27卷 822-826页

作者：宋李梅李桦杜寰夏洋中国科学院微电子研究所北京100029

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高... 详细信息

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MHz。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。

关键词：场发射电平转换电路高压CMOS 驱动电路高低压兼容

应用于硅基OLED微显示器的分段可调伽马校正

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液晶与显示 2020年第8期35卷 825-830页

作者：黄振兴黄苒赵博华苏畅杜寰中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京101408

由于人类视觉系统感知的亮度与显示器实际显示的亮度为非线性关系,需要对显示器的视频数据进行伽马校正,使显示亮度适应人眼的感知需求。本文提出一种针对硅基OLED微型显示器的伽马校正方法。首先,基于人眼视觉的伽马特性,分析伽马校正... 详细信息

由于人类视觉系统感知的亮度与显示器实际显示的亮度为非线性关系,需要对显示器的视频数据进行伽马校正,使显示亮度适应人眼的感知需求。本文提出一种针对硅基OLED微型显示器的伽马校正方法。首先,基于人眼视觉的伽马特性,分析伽马校正的基本原理。然后,提出对输入视频数据进行位宽拓展达到非线性输出,并基于查找表和分段可调的线性差值算法实现伽马校正。最后,根据实际XGA039芯片发光情况调试校正参数以达到更优的显示效果。实验结果表明XGA039芯片最大发光亮度为20000 cd/m2,在伽马取值为2.2时,采用可调非均匀分段获得了较好的显示效果。所提出的伽马校正方法能够使视频图像的显示质量明显改进,且较传统方式在精度和实现面积上均有一定优势。

关键词：伽马校正硅基OLED 微显示分段

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恩施自治州城镇化发展现状及对策探究

知识经济 2016年第24期 37-37,40页

作者：杜寰雨湖北民族学院 445000

本文以恩施自治州为例,通过对恩施自治州城镇化发展的深入调查,分析了恩施自治州城镇化发展现状以及加快城镇化发展的必要性,提出了加快恩施自治州城镇化的对策建议,以求促进恩施自治州城镇化的健康快速可持续发展。

关键词：恩施自治州城镇化产业经济发展

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LDMOS器件静电放电失效原理及防护方法

半导体技术 2009年第10期34卷 968-973页

作者：陈蕾宋李梅刘梦新杜寰中国科学院微电子研究所北京100029

探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、... 详细信息

探讨了LDMOS器件在静电放电脉冲作用下的失效现象和机理,阐述了LDMOS器件受到静电放电脉冲冲击后出现的软击穿现象,和由于寄生npn管导通产生的大电流引起器件局部温度过高,导致金属接触孔熔融的器件二次击穿现象。分析对比了不同栅宽、不同LOCOS长度和埋层结构LDMOS器件的静电放电防护性能,证实了带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电放电防护方面的显著优势。

关键词：横向双扩散场效应晶体管静电放电防护深漏极注入击穿现象

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全铌隧道结的工艺以及dcSQUID研究

低温工程 1999年第4期 305-309页

作者：杨乾声陈赓华杜寰赵士平徐凤枝中国科学院物理研究所北京100080

用磁控溅射方法及选择铌阳极氧化和选择铌刻蚀工艺制备了Ｎｂ／ＡｌＡｌＯｘ／Ｎｂ全铌隧道结，给出了工艺要点。根据全铌结的参量，设计了全铌隧道结ｄｃＳＱＵＩＤ。制成的ｄｃＳＱＵＩＤ的传输函数δ Ｖ／δ～... 详细信息

用磁控溅射方法及选择铌阳极氧化和选择铌刻蚀工艺制备了Ｎｂ／ＡｌＡｌＯｘ／Ｎｂ全铌隧道结，给出了工艺要点。根据全铌结的参量，设计了全铌隧道结ｄｃＳＱＵＩＤ。制成的ｄｃＳＱＵＩＤ的传输函数δ Ｖ／δ～１４ｍＶ／０，其本征能量分辨率达到２４ｈ。

关键词：全铌隧道结 SQUID 直流超导量子干涉器