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钛酸锶钡精细结构的理论计算

原子与分子物理学报 2004年第B4期21卷 383-385,392页

作者：薛卫东李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院

在广义梯度近似 (GGA)下 ,利用超软赝势平面波方法计算了不同Ba/Sr摩尔比BaxSr1-xTiO3 (BST)的总能量 ,确定了BST的精细结构。结果表明 ,在钛酸锶晶体中 ,随着Ba的掺入 ,晶胞体积膨胀 ,c/a比值增大 ,有利于晶体结构中正负离子的分离和... 详细信息

在广义梯度近似 (GGA)下 ,利用超软赝势平面波方法计算了不同Ba/Sr摩尔比BaxSr1-xTiO3 (BST)的总能量 ,确定了BST的精细结构。结果表明 ,在钛酸锶晶体中 ,随着Ba的掺入 ,晶胞体积膨胀 ,c/a比值增大 ,有利于晶体结构中正负离子的分离和自发极化的产生。如在四方相Ba0 .8Sr0 .2 TiO3 中 ,Ti离子沿[0 0 1]方向发生了 0 .0 0 8nm的偏心位移。

关键词：钛酸锶钡精细结构铁电性

钛酸铋钠掺杂对BaTiO_3-Nb_2O_5-ZnO系统介电性能的影响

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无机材料学报 2008年第2期23卷 267-270页

作者：杜曼袁颖张树人唐斌李言荣电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

研究了Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)掺杂对BaTiO_3(BT)-Nb_2O_5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响.BaTiO_3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低,而高温端(150℃)的变化率持续增大,且居里温度单调递增.掺杂1.0... 详细信息

研究了Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3(BNT)掺杂对BaTiO_3(BT)-Nb_2O_5-ZnO三元系统介电性能与微结构的影响.BaTiO_3陶瓷在低温端(-55℃)的电容量变化率随BNT含量的增大而单调降低,而高温端(150℃)的变化率持续增大,且居里温度单调递增.掺杂1.0wt%与2.5wt%BNT的BT陶瓷满足EIA X8R特性.SEM观察表明,BaTiO_3陶瓷内部由细小的基质晶粒和第二相晶粒组成,且第二相比例随BNT含量的增加而增大.XRD分析表明,基质晶粒为BaTiO_3,第二相晶粒为CaB_2Si_2O_8和NaBiTi_6O_(14).条状第二相CaB_2Si_2O_8和NaBiTi_6O_(14)的产生改变了BT系统的内应力结构是钛酸钡陶瓷居里温度升高以及电容量温度特性改善的原因.

关键词： X8R 钛酸钡钛酸铋钠多层陶瓷电容器

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材料物理学概论第1版

2001年

作者：李言荣恽正中

本书从凝聚态材料物理出发，介绍了材料中的表面与界面和材料中的非线性现象，详细分析了有机材料中的电子输运过程，深入系统地讨论了高温超导材料的结构与性能的关系及多元氧化物薄膜的制备技术。

ISBN: (数字)7302044619

ISBN: (纸本)7302044619

关键词：材料科学学科:物理学学科:概论物理学

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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新锆合金碘致应力腐蚀性能研究

核动力工程 2004年第2期25卷 128-132页

作者：崔旭梅彭倩李静媛唐正华李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 中国核动力研究设计院核燃料及材料国家级重点实验室成都610041 四川大学材料科学与工程学院成都610065

研究了再结晶状态的相同成分、不同织构取向的两块新锆合金板材在不同的实验条件下的抗碘致应力腐蚀性能。用直流电位降法动态监测裂纹的长度。并对试样进行了织构的测定、第二相的观察和断口分析。结果表明,在实验条件下,N18-2(L-T)抗... 详细信息

研究了再结晶状态的相同成分、不同织构取向的两块新锆合金板材在不同的实验条件下的抗碘致应力腐蚀性能。用直流电位降法动态监测裂纹的长度。并对试样进行了织构的测定、第二相的观察和断口分析。结果表明,在实验条件下,N18-2(L-T)抗碘致应力腐蚀的能力优于N18-1(T-L)。断口形貌表明,在应力腐蚀裂纹的初始扩展阶段,断口沿晶开裂;在裂纹的稳态扩展阶段,以穿晶准解理扩展为主。

关键词：新锆合金碘致应力腐蚀开裂织构第二相

影响BiSrCaCuO110K相高温超导薄膜生长的因素

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功能材料 1996年第1期27卷 7-11页

作者：刘兴钊杨邦朝李言荣贾宇明电子科技大学信息材料工程学院

本文综述了后处理及原位生长ＢｉＳｒＣａＣｕＯ高潮温超导薄膜的主要进展，重点讨论了影响１１０Ｋ相生长速率的工艺因素及提高Ｂｉ系高温超导薄膜质量的可能方法。

关键词：超导薄膜 BSCCO 超导材料薄膜生长

LnBa_2C_3O_(7-δ)(Ln=Pr、Y)体系的XPS研究

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低温与超导 1992年第2期20卷 23-26页

作者：杨智李言荣李有谟云南师范大学化学系中国科学院长春应用化学研究所

该文研究了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和PrBa_2Cu_3O_(7-δ)两体系的XPS谱图,结果表明从XPS图中难以判断三价铜的存在,与YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系相比,PrBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中Ba的结合能低,O_(18)的两个状态变得模糊不清。讨论了空穴浓度对高T_... 详细信息

该文研究了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和PrBa_2Cu_3O_(7-δ)两体系的XPS谱图,结果表明从XPS图中难以判断三价铜的存在,与YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系相比,PrBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中Ba的结合能低,O_(18)的两个状态变得模糊不清。讨论了空穴浓度对高T_c超导电性的影响。

关键词：化合物超导电性超导体

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射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

物理学报 2006年第5期55卷 2513-2517页

作者：卢肖吴传贵张万里李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密... 详细信息

采用射频溅射制备BST薄膜,研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明,在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前,薄膜性能已被破坏,发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理,建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法.

关键词： BST薄膜介电击穿漏电流

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C60巴基球

化学教育 1992年第3期7卷 8-11页

作者：李言荣王玮郭宁中国科学院长春应用化学研究所中国科学院长春应用化学研究所 130022

引言近年来,美国科学家对碳元素的第三种结晶形式——巴基球(Buckball)的研究取得了重要进展。自从休斯敦Rice大学的Smalley首次在“Nature”上介绍巴基球的存在后,北美、西欧、日本等世界十几个研究单位的科学家都把注意力集中到这一... 详细信息

引言近年来,美国科学家对碳元素的第三种结晶形式——巴基球(Buckball)的研究取得了重要进展。自从休斯敦Rice大学的Smalley首次在“Nature”上介绍巴基球的存在后,北美、西欧、日本等世界十几个研究单位的科学家都把注意力集中到这一新的科学领域。

关键词：结晶形式原子簇激光蒸发分子轨道碳元素伦敦穿透深度八面体稳定构型建筑学家外层电子

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PZT薄膜晶化过程的相变及铁电畴监测

硅酸盐学报 2004年第12期32卷 1500-1504页

作者：黄文张鹰蒋书文曾慧中魏贤华李言荣电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

采用射频磁控溅射法，在室温Pt／Ti／SiO_2／Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜，经不同温度，相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD，AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构，并利用压电响应力显微镜... 详细信息

采用射频磁控溅射法，在室温Pt／Ti／SiO_2／Si上制备了非晶态Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_3(PZT)薄膜，经不同温度，相同保温时间快速退火处理使其转化为多晶PZT薄膜。用XRD，AFM测定了PZT薄膜的相组分与表面结构，并利用压电响应力显微镜(piezoresponse force microsco-py，PFM)观察了初始晶化和高度晶化样品自发极化形成的铁电畴。结果表明：PZT薄膜晶化发生在550℃，PFM可观察到自发形成的圆形铁电畴。650℃处理的样品晶化最充分并呈现出(111)择优取向，用PFM观察到该样品形成具有强烈压电信号的电畴。由此分别算得铁电相占薄膜总体积的(7.8±0.2)％和(97.3±0.2)％。PFM结合XRD，AFM的运用为寻求铁电薄膜晶化机理提供了新的途径。

关键词：锆钛酸铅薄膜快速热处理结晶相变铁电畴