检索结果-南通市图书馆

电子学报 1995年第5期23卷 101-104页

作者：任怀龙吴洪江李松法石家庄电子部第十三研究所十室

本文介绍了一种结合矩量法的边界元分析法，用于计算多层封装结构中，具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。

关键词：边界元多层封装结构电阻计算

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化学汽相淀积(CVD)技术述评

半导体情报 1989年第2期26卷 1-8页

作者：李松法

CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作... 详细信息

CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作了简单的描述。

关键词： CVD 半导体工艺化学汽相淀积

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化学束外延介绍

半导体情报 1990年第3期27卷 10-15,9页

作者：李松法

化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了MBE的束的属性和MOCVD的控制和采用全汽相源的特点,它综合了两者的优点而使各自的缺点得到弥补。最近用... 详细信息

化学束外廷(Chemical Beam Epitaxy,简称CBE)是一种由分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)发展而来的新技术,它结合了MBE的束的属性和MOCVD的控制和采用全汽相源的特点,它综合了两者的优点而使各自的缺点得到弥补。最近用化学束外延得到的结果表明CBE具有超过MBE和MOCVD的潜力而成为一种非常重要的新的外延技术。本文主要通过与MBE和MOCVD的对比,对CBE作了简单的介绍。

关键词：化学束外延汽相淀积半导体

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美国国防部1989年关键技术计划

微纳电子技术 1990年第5期 63-64页

作者：李松法

根据1988年8月29日美国颁布的政府公法第100—456号,即“1989财年国防部授权法案”的要求,国防部每年3月15日以前要提交一份关键技术计划,首次提交这样的计划应在1989年。美国国防部在组织一系列的专家会议研讨之后,对100多项技术进行... 详细信息

根据1988年8月29日美国颁布的政府公法第100—456号,即“1989财年国防部授权法案”的要求,国防部每年3月15日以前要提交一份关键技术计划,首次提交这样的计划应在1989年。美国国防部在组织一系列的专家会议研讨之后,对100多项技术进行了反复比较,筛选出22项技术作为1989年主攻的关键技术于1989年3月向国会提交了正式报告。下面摘录了这22项关键技术的名称和内容提要。

关键词：关键技术国防部美国美利坚合众国北美洲雷达波电子技术传感器换能器

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强化管理盘活资金

工业会计 1995年第11期 15-17页

作者：李松法安徽省江南机械厂

社会主义市场经济的发展,要求企业在生产经营活动中,必须建立合理、科学、有序的内部财务管理机制,既要把国家赋予企业的理财权具体化、制度化,又要强化企业内部自我约束机制。我厂财务部门按照这一要求,近两年来以资金管理为突破口,带... 详细信息

社会主义市场经济的发展,要求企业在生产经营活动中,必须建立合理、科学、有序的内部财务管理机制,既要把国家赋予企业的理财权具体化、制度化,又要强化企业内部自我约束机制。我厂财务部门按照这一要求,近两年来以资金管理为突破口,带动企业内部财务管理,取得了一定的成效。工厂经济效益已连续两年进入省机械系统的优秀行列,并荣获省百家最佳经济效益企业称号。现就我厂对资金管理的有关做法作简单的介绍。

关键词：企业财务管理资金管理

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集成电路发展15年预测

半导体情报 1995年第4期32卷 62-63页

作者：李松法

集成电路发展１５年预测１９７５年，戈登·摩尔（ＧｏｒｄｏｎＭｏｏｒｅ）在国际电子器件会议上发表的著名演讲中预言：“集成电路芯片的复杂程度将以每年增加一倍的速度增长。”这种增长归因于电路芯片尺寸不断增大，而器件特征尺寸... 详细信息

集成电路发展１５年预测１９７５年，戈登·摩尔（ＧｏｒｄｏｎＭｏｏｒｅ）在国际电子器件会议上发表的著名演讲中预言：“集成电路芯片的复杂程度将以每年增加一倍的速度增长。”这种增长归因于电路芯片尺寸不断增大，而器件特征尺寸不断减小。还有一个因素，摩尔当时把...

关键词：集成电路发展预测

用阶梯状栅结构改善GaAs MESFET漏电导

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微纳电子技术 1985年第1期 27-33页

作者： Masaaki Tomizawa 李松法

本文描述了一种新的阶梯状栅GaAs MESFET结构,与常规凹槽栅结构相比,它的漏电导很低,为了降低漏电导,用二维器件模拟使得与栅结构有关的器件参量最佳化。根据这些最佳化的器件参量制造的器件显示出很低的漏电导。降低了漏电导就可以改... 详细信息

本文描述了一种新的阶梯状栅GaAs MESFET结构,与常规凹槽栅结构相比,它的漏电导很低,为了降低漏电导,用二维器件模拟使得与栅结构有关的器件参量最佳化。根据这些最佳化的器件参量制造的器件显示出很低的漏电导。降低了漏电导就可以改进高频GaAs模拟集成电路的最大可用增益。

关键词： MESFET 器件最佳化最优化阶梯状凹槽栅栅长结构参量二维器件模拟 GaAs MESFET

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锑基化合物半导体集成电路

中国电子科学研究院学报 2007年第4期2卷 336-338,353页

作者：李松法中国电子科技集团公司第13研究所石家庄050051

锑基化合物半导体集成电路(ABCS IC)是一类国外正在积极开发的超高速、低功耗电路。特别值得注意的是晶格常数为6.1的锑化物,它们的能带隙在很宽的范围内可调,为许多新型功能材料和高性能ABCS电路的研究开发创造了极大的发展空间。文章... 详细信息

锑基化合物半导体集成电路(ABCS IC)是一类国外正在积极开发的超高速、低功耗电路。特别值得注意的是晶格常数为6.1的锑化物,它们的能带隙在很宽的范围内可调,为许多新型功能材料和高性能ABCS电路的研究开发创造了极大的发展空间。文章概要介绍了锑基化合物半导体(ABCS)的优异特性和国外研究ABCS IC的初步成果。

关键词：锑基化合物半导体超高速微波低功耗集成电路

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一种新的三端微波功率放大器的理论

微纳电子技术 1976年第10期 19-36页

作者： Se Puan Yu 李松法

从理论和实验两个方面论证了一种新的0.5～3.0千兆赫三端线性功率放大器的可能性。这种新型放大器在结构上与一个 n-p-n 双极晶体管相类似,但是通过集电区中的雪崩倍增和渡越时间的采用而提高了附加功率增益。两种器件在结构上的主要差... 详细信息

从理论和实验两个方面论证了一种新的0.5～3.0千兆赫三端线性功率放大器的可能性。这种新型放大器在结构上与一个 n-p-n 双极晶体管相类似,但是通过集电区中的雪崩倍增和渡越时间的采用而提高了附加功率增益。两种器件在结构上的主要差别在于它们的集电区掺杂分布和耗尽层宽度。估计这种新的放大器将在10千兆赫下可以有几瓦的功率输出,同时具有有用的增益、良好的线性和宽的动态范围。这种新的微波半导体器件我们把它叫做控制雪崩渡越时间三极管(co-ntrolled aualanche transit-time triode),并用它的英文原名的字头缩写 CATT 来代表。本文提出了 CATT 的理论。业已发现这种器件的直流和射频特性是稳定的。研究了适用于信号放大的电离系数的必要条件。由于空穴从雪崩倍增区的反馈,CATT 所显示的发射极-基极动态特性与晶体管的很不相同。这种现象导致更均匀的发射极电流注入。并能比晶体管更好地运用发射极指状面积。

关键词：发射极空穴载流子(半导体) 发射区雪崩倍增基区掺杂集电区三端

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用离子注入方法制作的大功率GaAsFET

微纳电子技术 1986年第5期 41-47页

作者： S.Toshio 李松法

采用离子注入形成沟道层和n;欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n;区,器件的烧毁特性得到了改善。业已表明烧毁电压可以高于40V,器件的源漏饱和电流(I;)和射频输出功率比用金属有机物化学汽相淀积（MO... 详细信息

采用离子注入形成沟道层和n;欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n;区,器件的烧毁特性得到了改善。业已表明烧毁电压可以高于40V,器件的源漏饱和电流(I;)和射频输出功率比用金属有机物化学汽相淀积（MOCVD）方法制作的功率GaAsFET更为均匀,已用实验证明由于芯片均匀性好,这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。一个总栅宽W;为14.4mm的双芯片器件已在10GHz下以4dB的增益和23％的功率附加效率推出5W的输出功率;总栅宽为28.8mm的四芯片器件在8GHz下给出10W(G=4.5dB,η;=23％),另一个总栅宽为48mm的四芯片器件在5GHz下推出15W(G=8dB,η;=30％)。

关键词： FET 离子注入离子掺杂内匹配 MOCVD 双芯片化学汽相淀积化学气相沉积单芯片