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基于色温估计的自动白平衡算法研究

光电子．激光 2011年第12期22卷 1872-1875页

作者：王敏李斌桥徐江涛天津大学电子信息工程学院天津300072

为了解决现有灰度世界算法在拍摄大面积色块时的失效问题,提出一种在RGB色度空间的基于色温估计的自动白平衡算法。首先确定不同的光源在R/G-B/G空间中的分布规律;然后根据图像中像素原始数据R/G、B/G的值确定光源信息,得到相应R、G和B... 详细信息

为了解决现有灰度世界算法在拍摄大面积色块时的失效问题,提出一种在RGB色度空间的基于色温估计的自动白平衡算法。首先确定不同的光源在R/G-B/G空间中的分布规律;然后根据图像中像素原始数据R/G、B/G的值确定光源信息,得到相应R、G和B增益值;最终实现白平衡调整。实验结果表明,在图形颜色信息比较丰富时,算法处理结果较灰度世界算法有一定程度的改善,图像的色调平均值减小了19.2%;当图像中存在大面积色块时,图像的色调平均值减小了42.8%,有效地避免了灰度世界的算法失效问题;与在其它色度空间的处理相比,结果也有一定改善,并消除了色度空间之间转换带来的误差;利用原始数据处理,将处理数据量减小为原来的1/8;算法实现简单、硬件消耗小,符合实际应用要求。

关键词：自动白平衡灰度世界色温估计 RGB空间原始数据

一种模拟集成电路Hamming神经网络及其应用

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Journal of Semiconductors 1996年第3期17卷 217-222页

作者：李斌桥李志坚石秉学清华大学微电子学研究所

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺设计并制作了一种模拟型的Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络集成电路．测试结果表明，网络中的宏单元，模板匹配运算电路，可很好地实现容差匹配的功能．将芯片用作识别器，识别手写体阿拉伯数字的实验结果表明，可在５００... 详细信息

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺设计并制作了一种模拟型的Ｈａｍｍｉｎｇ神经网络集成电路．测试结果表明，网络中的宏单元，模板匹配运算电路，可很好地实现容差匹配的功能．将芯片用作识别器，识别手写体阿拉伯数字的实验结果表明，可在５００ｎｓ内完成一次识别运算；对所采集的数据集得到了较好的识别效果．识别测试结果还表明，识别效果对控制参量阈值电压ＶＴ的变化较敏感．

关键词：模拟集成电路集成电路神经网络

一种全对称高分辨精度的多端电流型MAX门和MIN门电路

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Journal of Semiconductors 1995年第6期16卷 452-457页

作者：李斌桥李志坚石秉学清华大学微电子学研究所

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３... 详细信息

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３μＡ．但ＭＡＸ门和ＭＩＮ门都有较高的分辨精度，都在５μＡ以内．因此，这种多端的电流型ＭＡＸ（ＭＩＮ）门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用．提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性Ｉ－Ｖ转换电路，可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示．

关键词：门电路数字电路电流型电路 MIN MAX 精度高分辨

用于电池管理系统的Sigma-Delta ADC模型优化设计及研究

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同方期刊数据库

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电路与系统学报 2013年第2期18卷 58-61,66页

作者：李斌桥陈莞高静天津大学电子信息工程学院天津300072

针对用于电池管理系统中数模转换器的高精度要求以及Sigma-Delta ADC的适用特点,提出了一种加入零点优化的单环三阶前馈调制器结构以及适用于本系统的低功耗数字滤波器模型,通过噪声传输函数设计三准则和信号频谱分析给出具体设计及仿... 详细信息

针对用于电池管理系统中数模转换器的高精度要求以及Sigma-Delta ADC的适用特点,提出了一种加入零点优化的单环三阶前馈调制器结构以及适用于本系统的低功耗数字滤波器模型,通过噪声传输函数设计三准则和信号频谱分析给出具体设计及仿真参数,经验证该模型达到系统所需16位有效分辨率要求且易于电路实现。

关键词：电池管理系统 Sigma-Delta调制器抽取滤波器

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高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源

天津大学学报 2008年第12期41卷 1459-1464页

作者：李斌桥许延华徐江涛姚素英天津大学电子信息工程学院天津300072

为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路,通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验... 详细信息

为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路,通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验证，输出电压为800mV，在-40～85℃温度范围内温度系数达到3×10^-6℃^-1，电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB，在较低电源电压为1．7V时电路可以正常启动，补偿改进后的电路性能较传统结构有很大提高．

关键词： CMOS带隙基准源高阶曲率补偿电流模式低电源电压

一种用于ADC测试的自适应斜率调整斜坡发生器

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光电子．激光 2007年第3期18卷 281-284页

作者：李晓晨李斌桥姚素英张娜天津大学专用集成电路设计中心天津300072

介绍了一种用于模数转换器(ADC)测试的、可以进行斜率自适应调整的斜坡发生器,在基本斜坡发生器原理的基础上,通过斜率自适应调整机制,在满足斜坡信号线性度的同时,保证了斜坡的斜率具有较高的精度,克服了基本斜坡发生器对于斜坡斜率控... 详细信息

介绍了一种用于模数转换器(ADC)测试的、可以进行斜率自适应调整的斜坡发生器,在基本斜坡发生器原理的基础上,通过斜率自适应调整机制,在满足斜坡信号线性度的同时,保证了斜坡的斜率具有较高的精度,克服了基本斜坡发生器对于斜坡斜率控制不够精确的弊病,将斜坡斜率的精度提高到1.5%,而功耗却不超过10mW,并可以根据实际需要对斜坡信号的斜率及幅度进行调整,从而实现从μs到s级的任意幅度斜坡信号的产生。

关键词：斜坡发生器斜率线性度自适应机制共源共栅电流镜

Monte Carlo法模拟亚微米GaAs MESFET直流特性

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Journal of Semiconductors 1991年第4期12卷 211-217页

作者：赵鸿麟李斌桥陈弘达天津大学电子工程系天津300072

用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量的电子在漏区进入能量较高的X带能谷.电子浓度的分布表明,电... 详细信息

用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量的电子在漏区进入能量较高的X带能谷.电子浓度的分布表明,电子的过冲过程主要发生在栅下沟道区,因而,在这一区域,电子的平均漂移速度较高.但在漏区由于电子处于有效质量大的X带能谷中,因此,在这一区域内,电子的平均漂移速度降低.

关键词： GaAs MESFET 蒙特卡罗法直流特性

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一种消除CMOS图像传感器行噪声的时序

传感技术学报 2011年第10期24卷 1450-1453页

作者：王艳李斌桥徐江涛天津大学电子信息工程学院天津300072

为了消除CMOS图像传感器中随机变化的行噪声,在传统相关双采样的基础上,提出了一种新的读出时序。该时序采用行相关双采样方法,同时对相邻的两行像素进行操作,在采集图像信号的同时,把行随机噪声也采样到电容上,进行全差分操作,将行噪... 详细信息

为了消除CMOS图像传感器中随机变化的行噪声,在传统相关双采样的基础上,提出了一种新的读出时序。该时序采用行相关双采样方法,同时对相邻的两行像素进行操作,在采集图像信号的同时,把行随机噪声也采样到电容上,进行全差分操作,将行噪声消除。仿真结果表明:这种读出方法可以将行随机噪声大幅减小,经放大器放大32倍后噪声仍小于ADC的LSB,从而消除图像中随机的横纹,改善图像质量,扩展传感器在暗光下的应用。

关键词： CMOS图像传感器行随机噪声相关双采样全差分

一种高填充率的CIS有源像素结构研究与设计

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传感技术学报 2007年第9期20卷 1987-1991页

作者：刘激扬姚素英李斌桥天津大学电子信息工程学院天津大学专用集成电路设计中心天津300072

三管有源像素因其像素面积小、填充因子高,是应用最广泛的一种像素结构.填充因子对像素的特性影响很大.增大像素的填充因子可以增加像素的灵敏度和信噪比,但增加像素的面积会限制像素可以达到的最大分辨率,因此像素设计一般是在确定像... 详细信息

三管有源像素因其像素面积小、填充因子高,是应用最广泛的一种像素结构.填充因子对像素的特性影响很大.增大像素的填充因子可以增加像素的灵敏度和信噪比,但增加像素的面积会限制像素可以达到的最大分辨率,因此像素设计一般是在确定像素尺寸和工艺的情况下,最大限度地提高填充因子.本文在详细分析CIS三管有源像素结构的基础上,采用NMOS复位管和共源共栅结构的源随器偏置管的组合结构,设计出一种高填充率的CIS三管有源像素,填充率达到57%.通过仿真和单元测试,证明方案有效.

关键词： CMOS图像传感器高填充率有源像素结构研究与设计