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一个具有大范围超混沌状态的五维多稳态系统
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华南理工大学学报（自然科学版） 2024年 第1期52卷 139-146页
作者： 曾以成 李文轩 孙小力 湘潭大学物理与光电工程学院 湖南湘潭411105 山东财经大学燕山学院 山东济南250000
大范围混沌系统由于能提供更宽的混沌区间,常用于保密通信等领域,已有的大范围混沌系统多为三维和四维系统,为了得到混沌特性更强和更复杂的系统,本研究提出了一个具有大范围超混沌状态且能产生多种共存吸引子的五维系统。通过用共存分... 详细信息
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通过线性增量控制抑制混沌
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控制理论与应用 2020年 第9期37卷 2029-2038页
作者： 刘畅 曾以成 湘潭大学物理与光电工程学院 湖南湘潭411105
本文基于三维Lorenz两翼系统、三维四翼系统以及四维四翼系统,利用线性增量控制实现了减少吸引子涡卷数以及抑制混沌的目的.此控制是在多涡卷混沌系统中耦合一个线性系统,通过不断增强两个系统之间的耦合强度,移动并且逐渐消除多涡卷混... 详细信息
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采用过渡带补偿方式的FIR滤波器设计
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数据采集与处理 2007年 第4期22卷 511-514页
作者： 汪洋 曾以成 湘潭大学光电工程系智能光电技术研究所 湘潭411105
提出一种窄过渡带和中等过渡带宽FIR数字滤波器的设计方法,它以频率响应掩蔽思想为基础,采用过渡带补偿方式,将一个滤波器分解成几个过渡带较宽的低复杂度子滤波器来进行设计,能够达到与频率响应掩蔽技术相当的复杂度。若将半带滤波器... 详细信息
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含三个忆阻器的六阶混沌电路研究
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物理学报 2017年 第4期66卷 25-35页
作者： 王伟 曾以成 孙睿婷 湘潭大学物理与光电工程学院 湘潭411105
利用两个磁控忆阻器和一个荷控忆阻器设计了一个六阶混沌电路,并建立了相应电路状态变量的非线性动力学方程.研究了系统的基本动力学特性,平衡点及其稳定性分析表明:该电路具有一个位于忆阻器内部状态变量所构成三维平衡点集,平衡点的... 详细信息
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基于文氏振荡器的忆阻混沌电路
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电子与信息学报 2014年 第1期36卷 88-93页
作者： 李志军 曾以成 湘潭大学信息工程学院 湘潭411105 湘潭大学光电工程系 湘潭411105
该文采用文氏桥振荡器和磁通控制的分段线性忆阻器,设计了一种新的单一参数控制的混沌电路。通过调节控制参数,该系统在忆阻器的非线性作用下,通过倍周期分岔产生了混沌和超混沌现象。利用常规的动力学分析手段研究了电路参数变化时系... 详细信息
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通过耦合混沌测量系统抑制噪声
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浙江大学学报（工学版） 2003年 第1期37卷 98-103页
作者： 曾以成 金文光 童勤业 浙江大学生物医学工程系 浙江杭州310027
混沌系统对初值有很高的敏感性,用这种特性来测量小信号是很好的有应用前景的方法.因混沌系统对噪声也有很高的敏感性,在较强的噪声环境中,是否也能实现对小信号的测量,抑制噪声对测量系统混沌轨道的干扰是关键.可以认为将多个混沌测量... 详细信息
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混沌背景中信号参数估计的新方法
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物理学报 2008年 第1期57卷 46-50页
作者： 陈争 曾以成 付志坚 湘潭大学材料与光电物理学院 湘潭411105
怎样提取混沌背景中信号的参数具有重要意义.在重构的相空间中,叠加有其他信号的混沌信号时间序列重构的点集会偏离混沌吸引子所在光滑流形,依据这一性质并综合利用混沌背景中信号本身的特性,提出一种参数估计的新方法:最小相对奇异值(M... 详细信息
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多功能AB类四象限模拟乘法器
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电子学报 2011年 第11期39卷 2696-2700页
作者： 李志军 曾以成 湘潭大学信息工程学院 湖南湘潭411105 湘潭大学光电工程系 湖南湘潭411105
在AB类电流镜基础上应用跨导线性原理设计出一种新颖的电流平方/电流跟随器,并以该模块为基本单元综合设计出一种多功能的四象限模拟乘法器.该乘法器在内部结构和元件参数不变的情况下,根据输入、输出信号的选择可以实现电压模式和电流... 详细信息
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含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真
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物理学报 2013年 第23期62卷 45-51页
作者： 洪庆辉 曾以成 李志军 湘潭大学光电工程系 湘潭411105 湘潭大学通信工程系 湘潭411105
利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路.数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为,并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道.为了验证电路的混沌行为,利用基本元... 详细信息
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一个通用的记忆器件模拟器
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物理学报 2014年 第9期63卷 401-407页
作者： 李志军 曾以成 谭志平 湘潭大学信息工程学院 湘潭411105 湘潭大学光电工程系 湘潭411105
本文根据惠普忆阻器模型提出了一个新的接地忆阻器模拟等效电路.并以此为基础,采用常规的电子元件构建了一个通用的记忆器件模拟器.该模拟器能在电路拓扑结构不变的情况下,通过改变接入元件的性质能将接地忆阻器分别转化为浮地忆阻器、... 详细信息
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