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温差电致冷探测器

激光与红外 1979年第7期 51-56页

作者：昭华

温差电致冷探测器组件是一种坚固、重量轻、比较便宜的器件,可供在适中温度(150～250K)下工作的红外系统的设计者和用户使用。本文探讨了温差电致冷探测器组件的一些比较重要的特点,在与其他致冷方式相比时它们的优点和不足之处,以及它... 详细信息

温差电致冷探测器组件是一种坚固、重量轻、比较便宜的器件,可供在适中温度(150～250K)下工作的红外系统的设计者和用户使用。本文探讨了温差电致冷探测器组件的一些比较重要的特点,在与其他致冷方式相比时它们的优点和不足之处,以及它们的可靠性。本文对这些器件的一些应用作了简要评述。另外讨论了设计者在选择红外系统所用致冷技术时所必须考虑的一些因素。

关键词：温差电致冷器探测器组件红外探测器电性 IR 探测器实验设备致冷制冷探测器阵列

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热电红外探测器的进展

激光与红外 1973年第11期 51-56页

作者：昭华

引言在热探测器中,红外辐射热电探测器是最近才研制的一种器件。它是由资料[1]作者在1962年最先提出的,是一种热伏特器件,其吸收能量的变化可引起温度的变化并使热电晶体元件(该元件可以是或不是铁电的)两端出现电荷变化。和电容器类似... 详细信息

引言在热探测器中,红外辐射热电探测器是最近才研制的一种器件。它是由资料[1]作者在1962年最先提出的,是一种热伏特器件,其吸收能量的变化可引起温度的变化并使热电晶体元件(该元件可以是或不是铁电的)两端出现电荷变化。和电容器类似,热电晶体薄片在两电极间起了一种介质的作用,同时是安装在一低热导和电导的基片上。探测器的其他组成部分为一阻抗匹配用的

关键词：热电探测器热象图扫描器介电常数热电系数噪声电容率介电性质噪音 IR 探测器实验设备红外探测器热电材料

第33届国际物理奥林匹克竞赛力热学与电化学综合实验试题解答及分析

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物理实验 2002年第12期22卷 26-29,33页

作者：葛昭华王若阳陆申龙复旦大学物理系

介绍了第 33届国际物理奥林匹克竞赛力热学与电化学综合实验试题及解答 ,分析了该实验题目的特点和实验过程 .

关键词：第33届国际物理奥林匹克竞赛热学电化学综合实验试题解答玻尔兹曼常量电解单摆力学物理竞赛

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Hg1-xCdxTe外延层的气相生长

激光与红外 1980年第1期 7-14页

作者：昭华

用一种新的气相方法在CdTe衬底上生长了HgCdTe外延层,该法可得包括整个合金范围（0≤x≤1）的组分。在利用分离元素源的开管系统中已可单独控制决定组分的四个主要参数——衬底温度（400～500℃）、Hg、Cd和Te的分压。借助于一个模型探... 详细信息

用一种新的气相方法在CdTe衬底上生长了HgCdTe外延层,该法可得包括整个合金范围（0≤x≤1）的组分。在利用分离元素源的开管系统中已可单独控制决定组分的四个主要参数——衬底温度（400～500℃）、Hg、Cd和Te的分压。借助于一个模型探讨了生长参数的选择,该模型把合金的淀积当作是同时淀积HgTe和CdTe。垂直于外延层表面的方向有一均匀合金组分的初始区,其后为一延伸到衬底的梯度区。吸收边缘测量表明平行于表面的组分十分均匀。所有的层均为n型,其载流子浓度直到几微米的深度时为10～10/厘米,在它下面一直延伸到衬底里面为浓度大大地减低的区域。

关键词：外延层气相生长晶体生长 x)Cd_xTe 淀积 Hg CdTe 衬底温度

用闭管摆动法由富碲溶液液相生长碲镉汞外延膜

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激光与红外 1982年第1期 42-49页

作者：昭华

用差热分析法测定了组分为x=0.067、x=0.10和0.7≤y<1.0的(Hg1-xCdx)1-yTey的液线温度。用液相外延法在CdTe（111）A取向衬底上生长了组分x=0.35、0.31和0.24的(Hg1-xCdx)Te薄膜。已测定Cd分凝系数为k=3.5±0.1。在550℃左右由3毫米厚熔体于缓慢冷却速率下生长的薄膜厚度接近于平衡生长的薄膜厚度。液相外延膜中的剩余杂质通常为n型,在好的薄膜中不到1015厘米-3。已证明用薄膜制备的光伏二极管其性能与用块状生长晶体所制备的二极管相近。

关键词：液相外延生长衬底 Hg 熔体基片电器构件 CdTe 闭管

光外差通讯系统中的N-型碲镉汞光电导探测器

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激光与红外 1972年第12期 28-35页

作者：昭华

引言利用二氧化碳激光器的光外差通讯系统近年来已成为受注意的目标。这种系统的混频器/探测器已有几种较好的结构可供选择,其中有光电导和光伏碲镉汞以及铅-锡-硫族化合物。[Hg,Cd]Te光电导器件不适于极宽频带系统应用,但可作为带宽要... 详细信息

引言利用二氧化碳激光器的光外差通讯系统近年来已成为受注意的目标。这种系统的混频器/探测器已有几种较好的结构可供选择,其中有光电导和光伏碲镉汞以及铅-锡-硫族化合物。[Hg,Cd]Te光电导器件不适于极宽频带系统应用,但可作为带宽要求到儿兆赫的系统的候选者。本文介绍了用计算机模拟这种器件的性能所进行的研究。本文将要:1)讨论光电导[Hg,Cd]Te探测器-

关键词：本机振荡器信噪比信号噪声比光电导体光电导材料空穴迁移率载流子寿命二氧化碳激光器载流子密度载流子浓度信号功率信号电流通讯系统光外差量子极限

基于PSO算法的余热锅炉水位PID参数优化

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控制工程 2008年第4期15卷 369-370,431页

作者：殷昭华邵惠鹤上海交通大学自动化系上海200030

通过采用粒子群优化(PSO)算法对余热锅炉水位控制中的PID参数进行优化,分析了传统三冲量锅筒水位控制方案的不足,提高了整个系统的鲁棒性。其应用使水位得到了良好的控制,且提高了经济运行效益,同时也说明了粒子群算法寻优简单,能够使... 详细信息

通过采用粒子群优化(PSO)算法对余热锅炉水位控制中的PID参数进行优化,分析了传统三冲量锅筒水位控制方案的不足,提高了整个系统的鲁棒性。其应用使水位得到了良好的控制,且提高了经济运行效益,同时也说明了粒子群算法寻优简单,能够使控制系统获得较好的动态特性和很强的鲁棒性,易于并行化。仿真结果表明,该算法是一种效率很高的寻优方法,是PID参数优化的理想方法。

关键词：余热锅炉锅筒水位粒子群算法 PID控制参数优化

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液相外延生长PbSnTe膜的溶剂夹裹物

激光与红外 1982年第5期 55-58页

作者：昭华

描述液相外延生长PbSnTe层中溶剂夹裹物的形态缺陷。溶剂夹裹物或许是由溶液-衬底接触的瞬间生长溶液局部欠饱和所致。液相生长前的表面处理和这种现象之间显然相互有关。开始生长时加速材料淀积也能减低溶剂夹裹物密度。用过冷生长法... 详细信息

描述液相外延生长PbSnTe层中溶剂夹裹物的形态缺陷。溶剂夹裹物或许是由溶液-衬底接触的瞬间生长溶液局部欠饱和所致。液相生长前的表面处理和这种现象之间显然相互有关。开始生长时加速材料淀积也能减低溶剂夹裹物密度。用过冷生长法在诺尔或金属腐蚀衬底上生长了几乎没有夹裹物的外延层。

关键词：液相外延生长外延层成核密度 PbSnTe 衬底基片 PbTe 溶剂