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环翼式桥墩局部冲刷防护试验研究
环翼式桥墩局部冲刷防护试验研究
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作者: 成兰艳 内蒙古农业大学
学位级别:硕士
桥墩的局部冲刷是造成桥梁破坏失事的重要原因,国内外学者对桥墩的局部冲刷进行了大量的理论分析和模型试验,并取得了一系列的研究成果,但是由于桥墩周围的水力特性以及冲刷过程及现象比较复杂,影响因素较多,至今尚没有提出很好的解决... 详细信息
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环翼式桥墩环翼式挡板最佳延伸长度试验
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水利水电科技进展 2013年 第2期33卷 32-36页
作者: 成兰艳 郝拉柱 牟献友 裴国霞 张亮 内蒙古农业大学水利与土木建筑工程学院 内蒙古呼和浩特010018 巴彦淖尔市河套水利水电勘察设计有限公司 内蒙古巴彦淖尔015000 内蒙古新禹水利水电工程建设有限公司 内蒙古巴彦淖尔015000
为研究环翼式桥墩环翼式挡板的最佳延伸长度,进行了不同流速和不同环翼式挡板延伸长度下环翼式桥墩的局部防冲刷试验。试验结果表明:环翼式挡板的延伸长度不同,桥墩的冲刷效果有较大的差别,当环翼式挡板的延伸长度与桥墩的半径相同时,... 详细信息
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环翼式桥墩最优挡板形状试验
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水利水电科技进展 2014年 第3期34卷 24-29页
作者: 陈艳梅 牟献友 成兰艳 张志澍 内蒙古农业大学水利与土木建筑工程学院 内蒙古呼和浩特010018 巴彦淖尔市临河区水务局 内蒙古巴彦淖尔015000
为研究环翼式桥墩的最优挡板形状,基于桥墩局部冲刷机理,进行了不同流量和不同环翼式挡板形状下的环翼式桥墩局部防冲刷水工模型试验。在环翼式挡板延伸长度为45 mm、位置在水深的1/3处,研究了不同流量、不同挡板形状的桥墩最大冲刷深... 详细信息
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环翼式桥墩局部冲刷防护试验
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水利水电科技进展 2012年 第3期32卷 14-18,61页
作者: 成兰艳 牟献友 文恒 郝拉柱 内蒙古农业大学水利与土木建筑工程学院 内蒙古呼和浩特010018
基于桥墩局部冲刷原理,在传统防冲刷保护措施的基础上设计了一种能改变桥墩迎水面流态的新型环翼式桥墩,在不同流速、有无环翼式挡板以及不同的挡板位置下,试验研究了环翼式桥墩的局部防冲刷效果。研究结果表明,环翼式挡板可有效减小桥... 详细信息
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环翼式桥墩挡板形状对垂向水力特性的影响
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水利水运工程学报 2014年 第1期 33-39页
作者: 陈艳梅 牟献友 成兰艳 李春江 内蒙古农业大学水利与土木建筑工程学院 内蒙古呼和浩特010018 内蒙古巴彦淖尔市临河区水务局 内蒙古巴彦淖尔015000
根据桥墩局部冲刷机理,通过桥墩加装环翼式挡板减小局部冲刷的试验研究,分析了加装环翼式挡板后,水流在桥墩四周的垂向水力特性。试验结果表明:桥墩迎流面中心线的垂向速度在安放挡板位置处有拐点。3种形状的挡板中,形状为A1的挡板的近... 详细信息
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L银行数字人民币接入系统建设项目风险管理研究
L银行数字人民币接入系统建设项目风险管理研究
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作者: 兰艳 山东财经大学
学位级别:硕士
随着科技发展和社会进步,人们对金融服务的需求也不断发生变化。传统的纸币和电子支付方式已经不能满足人们的需求,中国人民银行研发的数字人民币填补了这块空白。在数字人民币管理模式中,中国人民银行扮演核心角色,由中国人民银行向指... 详细信息
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求解约束优化问题的改进蛇优化算法
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计算机工程与应用 2024年 第10期60卷 76-87页
作者: 梁昔明 兰艳 龙文 北京建筑大学理学院 北京102616 贵州财经大学数学与统计学院 贵阳550025
结合外点罚函数法与改进蛇优化算法求解约束优化问题,得到一种新的求解约束优化问题的算法WDFSO。算法WDFSO首先通过外点罚函数法将约束优化问题转化为一系列界约束优化问题,然后运用基于变异质心的对立学习策略与种群分类策略改进的蛇... 详细信息
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山阳县漫川关镇方言调查研究
山阳县漫川关镇方言调查研究
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作者: 成兰 陕西理工大学
学位级别:硕士
山阳县漫川关镇位于陕西省东南部,受其地理位置和移民因素影响,形成了独具特色的方言。然在现有研究成果中,并未发现有将山阳县漫川关镇方言作为单点方言进行全面系统研究的论著,且对于山阳县漫川关镇方言的划分归属存在争议。故本文以... 详细信息
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表现性评价在小学音乐教学中的应用研究
表现性评价在小学音乐教学中的应用研究
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作者: 成兰 成都大学
学位级别:硕士
表现性评价是以素养为导向的有效评价方式,核心素养的落地生根不仅需要新型学习方式的推动,还需要探寻与之相匹配的评价方式。将表现性评价应用于小学音乐教学,不仅能够帮助丰富音乐教学评价理论,而且能够体现培养学生音乐核心素养的要... 详细信息
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650 V IGBT横向变掺杂终端的设计与优化
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电子元件与材料 2024年 第1期43卷 61-66页
作者: 兰艳 冯全源 西南交通大学微电子研究所 四川成都611756
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage,BV),影响IGBT器件BV的因素包括:平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO2中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT... 详细信息
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