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液氮生态系统与中国现代能源体系构建

学术前沿 2022年第13期 66-75页

作者：徐应强中国科学院半导体研究所

碳达峰、碳中和“30·60目标”成为我国新时期高质量发展的关键目标,事关今后几十年的经济增长模式和产业结构、能源结构调整,对消费模式、生活方式及生态建设有深刻影响。液氮作为一种新能源介质,不仅可以用于发电、汽车发动机、数据... 详细信息

碳达峰、碳中和“30·60目标”成为我国新时期高质量发展的关键目标,事关今后几十年的经济增长模式和产业结构、能源结构调整,对消费模式、生活方式及生态建设有深刻影响。液氮作为一种新能源介质,不仅可以用于发电、汽车发动机、数据中心散热、化石燃料降碳、超导输电,而且也可广泛应用于国防军工、科学研究、临床医学等领域,从而形成一个节能—储能—产能—输能的碳达峰一体化生态。这样一个液氮生态系统,在实现不受限地理条件储能的同时,带动了我国其他领域,诸如红外焦平面、低温电路、超算芯片、半导体大型生产设备、医疗技术、新能源汽车、量子计算等的发展,拓展了盈利模式,建立了多元收益方式,实现了储能产业规模化发展,为构建我国液氮新能源体系提供了一种全新的思路,对全面构建我国现代能源体系有着重要意义。

关键词：碳达峰储能液氮生态系统能源体系

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2μm锑化物半导体激光器光纤输出模块

红外与激光工程 2022年第8期51卷 535-536页

作者：李森森张宇徐应强牛智川闫秀生光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 中国电子科技集团公司光电研究院天津300308 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 晋城市国科半导体研究所山西晋城048000

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖了1.5~5μm波段,是中红外波段半导体激光器理想的材料体系,利用锑化物半导体激光器产生短波红外(2μm)激光是目前的研究热点,可为红外激光对抗、生物显微镜、医学照明、塑料焊接等提供优质光源... 详细信息

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖了1.5~5μm波段,是中红外波段半导体激光器理想的材料体系,利用锑化物半导体激光器产生短波红外(2μm)激光是目前的研究热点,可为红外激光对抗、生物显微镜、医学照明、塑料焊接等提供优质光源。笔者团队与中国科学院半导体研究所合作,自2017年以来开展了2μm波段锑化物半导体激光器技术及其应用研究。最近,研究组利用石英光纤透镜直接耦合0.5 W激光芯片获得了0.28 W的短波红外激光输出。

关键词：生物显微镜短波红外中红外波段半导体激光器塑料焊接窄带隙半导体直接耦合锑化物

高性能锑化物超晶格中红外探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2022年第3期51卷 22-31页

作者：郝宏玥吴东海徐应强王国伟蒋洞微牛智川中国科学院大学半导体研究所北京100083

中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。其中,以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。此外,使用光子... 详细信息

中红外探测技术作为一种重要的被动探测手段,在各个领域都有着非常重要的作用。其中,以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。此外,使用光子晶体结构,进行表面光学性能调控,可以提高器件的响应度,从而降低材料吸收区厚度,降低器件暗电流。暗电流的降低和响应度的提升,进一步优化了探测器的性能,进而提高器件工作温度,进一步降低探测系统的体积、重量和功耗。研究表明:使用光子晶体结构可以在不改变外延材料结构的前提下,提高器件量子效率,实现响应光谱的展宽,在实际应用中具有重要的意义。文中综述和讨论了InAs/InAsSb超晶格探测器和光子晶体结构探测器材料生长、结构设计的主要技术问题,详细介绍了两种提高中红外探测器性能的方案及国内外的研究进展。

关键词：锑化物中红外探测技术高工作温度 InAs/InAsSb二类超晶格光子晶体

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飞机前缘蒙皮数字化精确拉形技术

南京航空航天大学学报 2012年第B4期44卷 79-82页

作者：刘垒徐应强上海飞机制造有限公司钣金制造车间上海200436

总结分析飞机前缘蒙皮的成形工艺特点。选取典型零件,设计加载轨迹方案及参数,利用有限元分析进行工艺参数优化,分析主要工艺参数对成形的影响规律。根据有限元优化结果,利用ASSFCAE FET600软件生成数控代码,进行生产性实验和测量分析,... 详细信息

总结分析飞机前缘蒙皮的成形工艺特点。选取典型零件,设计加载轨迹方案及参数,利用有限元分析进行工艺参数优化,分析主要工艺参数对成形的影响规律。根据有限元优化结果,利用ASSFCAE FET600软件生成数控代码,进行生产性实验和测量分析,获得了合格的零件,实现飞机前缘蒙皮精确拉伸成形。

关键词：钣金成形拉伸成形前缘蒙皮数控

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1.2W光纤输出2μm锑化物半导体激光器

中国激光 2022年第18期49卷 183-184页

作者：李森森张宇徐广立徐应强牛智川闫秀生光电信息控制和安全技术重点实验室天津300308 中国电子科技集团公司光电研究院天津300308 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 晋城市国科半导体研究所山西晋城048006 韦斯泰科技(深圳)有限公司广东深圳518000

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对... 详细信息

锑化物作为窄带隙半导体材料,禁带宽度覆盖1.5~5μm波段,已成为中红外波段半导体激光器理想的材料体系。锑化物半导体激光器是一类新型激光器,利用其产生短波红外(2μm)激光是目前国内外的研究热点。锑化物半导体激光器可为红外激光对抗、生物显微成像、医学照明、激光泵浦、塑料焊接等提供优质光源。

关键词：半导体激光器新型激光器光纤输出激光泵浦中红外波段红外激光窄带隙半导体塑料焊接

2060铝锂合金搅拌摩擦焊工艺与微观组织研究

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热加工工艺 2014年第7期43卷 57-60页

作者：田瑶徐应强杨模聪上海飞机制造有限公司上海200436

研究了不同焊接工艺参数条件下,2060铝锂合金接头的宏观形貌和微观组织特点。结果发现,焊核区为细密的等轴晶组织,热影响区组织粗大,热机影响区组织发生畸变;焊缝前进侧界面清晰,后退侧模糊,当热输入因子较大时,前进侧界面也变得模糊起... 详细信息

研究了不同焊接工艺参数条件下,2060铝锂合金接头的宏观形貌和微观组织特点。结果发现,焊核区为细密的等轴晶组织,热影响区组织粗大,热机影响区组织发生畸变;焊缝前进侧界面清晰,后退侧模糊,当热输入因子较大时,前进侧界面也变得模糊起来。对焊缝进行无损和微观组织分析,均未发现焊接缺陷。拉伸测试结果表明,接头静强度达到母材强度的82%以上,较高的热输入利于拉伸强度的提高。以上研究表明:该合金具有较大的工艺窗口。

关键词：铝锂合金搅拌摩擦焊微观组织拉伸强度

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春玉米—胡萝卜全程机械化高效种植技术

中国农技推广 2022年第7期38卷 37-39页

作者：陈富华李拥军徐应强湖北省襄阳市樊城区牛首镇农业技术推广服务中心湖北襄阳441134 湖北省襄阳市华强家庭农场湖北襄阳441134

优化种植结构,提高种植效益。2019~2021年连续3年在襄阳市樊城区示范推广春玉米—胡萝卜高效种植模式,着重开展全程机械化生产技术应用示范,实现机耕、机播、飞防、机收、机械清洗、机械装袋销售等全程机械化生产,累积推广面积5 600亩,... 详细信息

优化种植结构,提高种植效益。2019~2021年连续3年在襄阳市樊城区示范推广春玉米—胡萝卜高效种植模式,着重开展全程机械化生产技术应用示范,实现机耕、机播、飞防、机收、机械清洗、机械装袋销售等全程机械化生产,累积推广面积5 600亩,年亩收入7 000元,比玉米—小麦两熟模式亩提高效益4 000元。

关键词：春玉米胡萝卜全程机械化生产技术

N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响

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物理学报 2004年第5期53卷 1474-1482页

作者：倪海桥徐晓华张纬徐应强牛智川吴荣汉中国科学院半导体研究所超晶格研究室北京100083

用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子... 详细信息

用Keating的价力场 (valenceforcefield)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变 .用折叠谱法 (foldedspectrummethod)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构 .讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响 .发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元 ,从而影响了该超晶格的发光性能 .计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量 .

关键词：超品格电子性能折叠谱法蒙特卡罗模拟砷化镓材料镓铟氮砷锑材料半导体材料

分子束外延生长的GaSb热光伏电池器件特性研究（英文）

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红外与激光工程 2021年第3期50卷 307-314页

作者：郑大农苏向斌徐应强牛智川中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室中国科学院大学材料学院与光电技术学院

利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件,以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌表明... 详细信息

利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的电极形状。通过不断优化分子束外延的生长条件,以期得到高质量的GaSb外延层。AFM图中显示的表面形貌表明器件有着高质量的外延层,其表面形貌的RMS只有1.5?(1?=0.1 nm)。测量和比较了两种热光伏电池的器件特性,包括开路电压、短路电流密度、光电转换效率、填充因子以及暗电流密度。在一个模拟太阳光照射下,热光伏电池单元有着0.303 V的开路电压和27.1 mA/cm~2的短路电流密度。和只有简单电极形状的热光伏电池单元进行对比,有栅形电极形状的热光伏电池单元在短路电流密度和填充因子上具有更优异的表现。在红外光的照射下,有栅形电极形状的热光伏电池达到了一个最优的填充因子56.8%。

关键词：锑化镓热光伏电池开路电压短路电流密度填充因子