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AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构

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物理学报 2002年第1期51卷 138-142页

作者：肖细凤康俊勇厦门大学物理系厦门361005

采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之... 详细信息

采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系 ,从而得到热俘获系数对温度依赖关系 ,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构 ;通过第一原理赝势法计算表明 ,Sn附近的Al

关键词： Laplace缺陷谱俘获势垒 DX中心 AlGaAs:Sn 精细结构深能级缺陷锡铝镓砷化合物半导体载流子

超细SnO_2纳米晶粒带边光吸收的线度效应

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物理学报 2001年第11期50卷 2198-2202页

作者：康俊勇 S.Tsunekawa A.Kasuya 厦门大学物理系厦门361005 日本东北大学金属材料研究所仙台9808577 日本东北大学学际科学研究中心仙台9808578

采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线度 .对其光吸收谱测量发现 ,超细过滤后酸性和碱性溶胶溶液中... 详细信息

采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线度 .对其光吸收谱测量发现 ,超细过滤后酸性和碱性溶胶溶液中晶粒的带边光吸收能量均有明显蓝移 .分析结果表明 ,SnO2 晶粒的线度减小是同类晶粒带边光吸收蓝移的主要原因 .

关键词：超细纳米晶粒透射电子显微镜带边光吸收线度效应 SnO2晶粒超细过滤法

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GaN外延层中的缺陷研究

物理学报 1999年第7期48卷 1372-1380页

作者：康俊勇黄启圣小川智哉厦门大学物理系学习院大学理学部

采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的ＧａＮ外延层中黄色发光带的强度分布．结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响．测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子... 详细信息

采用阴极射线致发光法观察金属有机物汽相外延法生长的具有不同表面形貌的ＧａＮ外延层中黄色发光带的强度分布．结果表明六角金字塔形表面形貌对发光强度分布的测量有很大影响．测量和比较表面镜面加工样品的黄色发光带强度分布、原子序数衬度和Ｘ射线波谱发现，黄色发光带的强度在含有Ｏ和Ｃ等杂质缺陷附近较强．高分辨透射电子显微镜观察表明，杂质缺陷区的晶格结构不同于ＧａＮ基质，以及位错和裂缝等由应力引起的缺陷．认为此类缺陷可能是生长过程中。

关键词：氮化镓外延层杂质缺陷

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强磁场中晶体生长研究

物理学报 1996年第2期45卷 324-329页

作者：康俊勇户泽慎一郎厦门大学物理系厦门361005 东北大学金属材料研究所

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴... 详细信息

设计和制造了一套垂直渐冷设备以研究强磁场中的晶体生长,在强磁场和无磁场下,测量了掺碲InSb熔体及其上方的温度分布;生长了低GaSh组分的InGaSb和掺碲InSb晶体.实验表明,8.00T的强磁场能改善InGaSb混晶的质最和提高InSb晶体中Te杂质轴向分布的均匀性.分析认为,这些结果是强磁场提高流体的稳定性和降低对流的速度所致.

关键词：晶体生长强磁场铷化铟半导体

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算

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物理学报 2002年第3期51卷 645-648页

作者：沈耀文康俊勇厦门大学物理系厦门361005

用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的... 详细信息

用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 .

关键词： GaN 杂质能级电子结构氮化镓 C O 碳氧第一性原理计算发光材料

用于短波段发光二极管的二维光子晶体禁带研究

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光学学报 2012年第6期32卷 204-208页

作者：刘金川姜伟李书平康俊勇厦门大学物理与机电工程学院福建厦门361000

运用平面波展开法(PWE),针对光子晶体在短波长段发光二极管(LED)领域上的应用,主要选择高频禁带模式,研究了4种具有较大应用潜力的二维光子晶体结构,包括正方空气柱结构、三角空气柱结构、正方介质柱结构和三角介质柱结构。在不同晶格... 详细信息

运用平面波展开法(PWE),针对光子晶体在短波长段发光二极管(LED)领域上的应用,主要选择高频禁带模式,研究了4种具有较大应用潜力的二维光子晶体结构,包括正方空气柱结构、三角空气柱结构、正方介质柱结构和三角介质柱结构。在不同晶格常数、占空比(AFF)、柱半径和晶格常数比下,分析了TE模式和TM模式光子禁带的变化。数据分析表明,光子禁带中心波长随AFF增加而变小。相比于其他结构,正方介质柱结构更适于短波段光子晶体LED来提高其出光效率,三角介质柱结构和三角空气柱结构适合用于构造短波段偏振光LED。

关键词：光学器件光子晶体发光二极管平面波展开法光子禁带

HgCdTe晶片研磨和抛光表面的扫描电镜观察

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红外技术 1999年第6期21卷 24-27页

作者：康俊勇黄启圣王家库洪雁厦门大学物理系福建厦门361005 昆明物理研究所云南昆明650223

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像．观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴-乙醇化学抛光后将减少和去除。然而，化学抛光却造成个别表面... 详细信息

采用扫描电子显微镜分别观察了用不同研磨机研磨、抛光及其经溴-乙醇腐蚀的ＨｇＣｄＴｅ体单晶片的表面二次电子衬度像．观察表明，研磨造成的晶片表面可见损伤，经机械和溴-乙醇化学抛光后将减少和去除。然而，化学抛光却造成个别表面凹陷和凸出，这些凹凸可能是溴-乙醇对表层夹杂物和基质的腐蚀速度不同所致。

关键词： HgCdTe晶片表面损伤扫描电镜研磨抛光

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用共轭梯度法分解多指数瞬态

厦门大学学报（自然科学版） 1997年第1期36卷 42-46页

作者：詹华瀚康俊勇黄启圣厦门大学物理学系

采用共轭梯度法处理半导体深能级研究中遇到的多指数瞬态分解问题，数值计算表明这种方法具有较高的分辨率，可应用于多指数函数分解和电子发射过程的精细结构研究．

关键词：多指数瞬态共轭梯度法半导体杂质缺陷

具有新光学性质的Zn-Zn_2SiO_4纳米同轴线阵列

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发光学报 2006年第6期27卷 995-999页

作者：冯夏康俊勇厦门大学物理系半导体光子学研究中心福建厦门361005

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为... 详细信息

采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同轴线芯直径约50nm、壳层厚约25nm。通过X射线衍射的表征以及能量色散谱的线扫描,确定纳米同轴线的芯为Zn,壳层为Zn2SiO4。我们提出了一种新的生长机制,同时也为生长均匀的纳米同轴线提供一种新的技术。观察阴极荧光谱发现,纳米同轴线有三个主要发光带:强度最大的中紫外300nm发光、较弱的可见光区560nm以及红外谱区865nm的发光。对纳米同轴线截面的300nm发光峰观测发现,中紫外发光来源于Zn2SiO4壳层。正是这种同轴线的结构,使得其具备特殊的光学性质。

关键词：纳米同轴线中紫外发光生长机制