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实施卓越绩效模式打造标杆示范项目——访山东电力工程咨询院有限公司副总经理宫俊
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中国勘察设计 2020年 第12期 66-69页
作者: 王蕊 宫俊 中国勘察设计协会质量和职业健康安全环保工作委员会 国家电力投资集团山东电力工程咨询院有限公司
国投湄洲湾第二发电厂2×1000MW机组工程总承包项目(以下简称"湄洲湾项目"),是山东电力工程咨询院有限公司(以下简称"山东院")通过全国公开竞标承建的第一个百万千瓦级火力发电机组EPC总承包项目,也是山东院近年来最具代表性、管理成效... 详细信息
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爱心果园张佳鑫、宮俊琛:“中国好水果”赢在“合伙”
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中关村 2014年 第10期 72-75页
作者: 张佳鑫 宮俊琛 张越 陈一 不详 《中关村》编辑部
在互联网时代,张佳鑫和宮俊琛这两位90后创业者用最潮的互联网思维改变传统农产品的市场格局,利用爱心果园网络电商B2B平台,串联起行业整条产业链,打通新的商业流程,从而解决滞销水果的销售难题。
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基于改进NSGA-Ⅱ的交叉培训规划多目标优化
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东北大学学报(自然科学版) 2011年 第12期32卷 1696-1699页
作者: 李倩 宫俊 唐加福 东北大学流程工业综合自动化国家重点实验室 辽宁沈阳110819
针对柔性制造单元的员工交叉培训规划问题,从人性化和经济效益的角度考虑,提出了将多能工水平和任务覆盖水平等培训策略作为约束条件,以培训员工平均满意度最大化和任务平均支付工资最小化为目标的多目标优化方法.针对多目标优化模型,... 详细信息
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敏捷型企业的新产品开发计划模型
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东北大学学报(自然科学版) 2002年 第7期23卷 636-639页
作者: 宫俊 汪定伟 东北大学信息科学与工程学院 辽宁沈阳110004
提出了基于敏捷制造思想的新产品开发模式 ,即建立新产品开发联盟 ,企业联合开发新产品 ,共同承担风险 ,分享利润·并根据这种开发模式 ,建立了敏捷企业的新产品开发活动选择的优化模型 ,目标是资源约束下企业产品开发收益期望最大化 ,... 详细信息
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自对准GaAs MESFET的二维数值分析
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电子学报 1996年 第8期24卷 54-57页
作者: 张延曹 宫俊 周南生 西安电子科技大学微电子所
本文对源漏n+浅结注入的自对准GaAsMESFET内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析,分析表明,不同n+注入深度对器件的特性有一定的影响,当n+注入深度为有源层厚度的1/4时,畴的体积最小.适当... 详细信息
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基于关联规则的广义药对最适合病证的挖掘方法
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东北大学学报(自然科学版) 2011年 第8期32卷 1097-1100页
作者: 宫俊 董俊龙 梁茂新 唐加福 东北大学信息科学与工程学院 辽宁沈阳110819 东北大学流程工业综合自动化国家重点实验室 辽宁沈阳110819 辽宁中医药大学基础学院 辽宁沈阳110032
为了发现以中医病证为对象的方药配伍规律,提出了一种基于古代方剂文献、利用关联规则的知识发现方法.首先借助《普济方》数据库管理系统,遍历数据库中每个单一病证的强关联药对,然后再根据强关联药对出现病证的个数,来获得广义药对;在... 详细信息
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多目标粒子群算法在交叉培训规划中的应用
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控制理论与应用 2013年 第1期30卷 17-22页
作者: 李倩 宫俊 唐加福 东北大学信息科学与工程学院流程工业综合自动化国家重点实验室 辽宁沈阳110819
为了进一步提高人力资源交叉培训规划的实用性,增加了对于员工学习行为的考虑,提出了在保证任务覆盖水平的基础上,获得员工满意度最大和学习效率最高的多目标优化模型.本文针对问题的特征,采用多目标粒子群(MOPSO)算法对多目标优化模型... 详细信息
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通过生产线向单元转化而减人的多目标优化模型
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东北大学学报(自然科学版) 2013年 第1期34卷 17-20页
作者: 于洋 唐加福 宫俊 东北大学信息科学与工程学院 辽宁沈阳110819 东北大学流程工业综合自动化国家重点实验室 辽宁沈阳110819
在电子制造业中,越来越多的企业采用了单元生产方式,即通过生产线向单元的转换来应对多批次、小批量的需求,以提高生产效率.研究了在不增加产品流通时间的前提下,通过生产线向单元转化来减少工人数.生产线转化成单元是一个NP-hard问题,... 详细信息
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2001~2015年中国城镇化与PM_(2.5)浓度时空关联特征
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中国环境科学 2019年 第2期39卷 469-477页
作者: 许珊 邹滨 宫俊 中南大学地球科学与信息物理学院 湖南长沙410083
综合运用时空统计、剪刀差、地理加权回归等手段分5个阶段从人口、土地、经济角度研究了2001~2015年中国大陆地区城镇化水平与PM_(2.5)浓度的时空分布以及相互关联特征.结果表明:2001~2015年,我国3a均人口、土地、经济城镇化水平平均... 详细信息
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PECVDSi_3N_4钝化膜对GaAsMESFET直流特性的影响
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Journal of Semiconductors 1994年 第7期15卷 450-454页
作者: 宫俊 西安电子科技大学微电子研究所
用PECVD氮化硅薄膜对GaAsMESFET进行钝化,本文讨论了钝化对器件特性的影响,提出了一种改善GaAs器件表面的方法,结果表明利用该方法和PECVD氮化硅钝化膜改善了器件的栅漏击穿电压.
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