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预防性使用褪黑素对危重症患者谵妄发生率的影响

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预防性使用褪黑素对危重症患者谵妄发生率的影响

作者：宋欣南昌大学

学位级别：硕士

跨学科体育类硕士研究生培养困境及纾解策略研究 ——以上海师大为例

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跨学科体育类硕士研究生培养困境及纾解策略研究 ——以上海师大...

作者：宋欣上海师范大学

学位级别：硕士

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基于多特征量的XLPE电缆缺陷识别研究

基于多特征量的XLPE电缆缺陷识别研究

作者：宋欣重庆理工大学

学位级别：硕士

随着国家现代化发展,城市电力系统采用大量的地下电缆作为输配电骨架。交联聚乙烯(Cross Linked Polyethene,XLPE)电缆由于良好稳定性而作为地下电缆的主要类型。然而,XLPE电缆在制造、安装、运行的过程中会受到生产工艺、外力破坏、运... 详细信息

随着国家现代化发展,城市电力系统采用大量的地下电缆作为输配电骨架。交联聚乙烯(Cross Linked Polyethene,XLPE)电缆由于良好稳定性而作为地下电缆的主要类型。然而,XLPE电缆在制造、安装、运行的过程中会受到生产工艺、外力破坏、运行环境的影响,致使电缆出现局部缺陷。在缺陷早期,电缆本体无明显变化,但随着电缆长期高负荷运行会加剧其绝缘老化,从而造成电缆绝缘的二次破坏,产生严重的电力事故,因此对于电缆缺陷识别具有重要的研究意义。针对传统电缆缺陷的识别基于一种信号源来做分析处理,其容易受到运行环境的影响,导致分类器的鲁棒性与准确性的降低。本文在基于温度信号的基础上,引入电缆金属屏蔽层的接地电流信号,通过D-S信息融合技术对电缆缺陷进行识别,主要研究工作如下:(1)电缆缺陷会导致其温度场发生畸变,本文通过COMSOL仿真软件建立10k V电缆1:1物理模型,制造三种电缆常见缺陷并对电缆缺陷模型进行电磁-热耦合温度场分析,研究缺陷电缆暂态温度模型。分析不同负荷电流对电缆温度的影响,不同敷设环境对缺陷电缆温度的影响,研究发现,在相同工作环境下金属尖端缺陷对线芯温度的影响大于气隙缺陷与划痕缺陷,三种电缆缺陷最大载流量(线芯温度90℃时)不同。当电缆高负荷时,金属尖端缺陷比起其他缺陷温度温升更快,最后通过红外测温技术验证模型的有效性。(2)通过ATP-EMTP仿真电缆金属屏蔽层接地电流,得到电缆故障接地电流峰值变化为10m A以内,以此为依据研究并开发小电流检测装置,并通过实验测试其采集电流频率范围为0～1k Hz。最后基于电流脉冲原理设计缺陷电缆金属屏蔽层接地电流实验采集电路,采集三类缺陷数据各一百组,并通过FFT变换计算各类缺陷的电流谐波变化,发现电缆无缺陷时3、9、13次谐波最明显,当电缆出现缺陷时,其余次谐波含有率也发生相应改变。(3)为提高缺陷电缆分类识别的准确率,分别使用支持向量机(Support Vector machines,SVM)与(Long Short-term Memory Networks,LSTM)对单一信号源(温度、接地电流)进行识别,其准确率分别为83.75%与92.4%,最后基于D-S证据理论的多特征量融合识别技术,实现了温度特征与接地电流THD特征的多维信息融合,其融合后的分类准确率为94.375%,通过融合温度与接地电流多特征量,显著的提高了缺陷电缆的识别精度。

关键词：电缆缺陷有限元仿真多特征识别接地电流暂态温度

泻阴补阳针法联合督灸治疗中风后肢体痉挛性瘫痪的临床观察

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泻阴补阳针法联合督灸治疗中风后肢体痉挛性瘫痪的临床观察

作者：宋欣科黑龙江中医药大学

学位级别：硕士

点缺陷对β-Ga2O3/AlN界面电学特性影响的研究

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点缺陷对β-Ga2O3/AlN界面电学特性影响的研究

作者：宋欣洋西安理工大学

学位级别：硕士

β-Ga2O3因其禁带宽度大和电子饱和漂移速度高等特性,可广泛应用于光电探测和大功率器件等方面。此外人们还发现β-Ga2O3/AlN异质结在界面可形成高密度二维电子气（2DEG）,令其可以用于制作高频HEMT器件,但关于β-Ga2O3/AlN界面及界面... 详细信息

β-Ga2O3因其禁带宽度大和电子饱和漂移速度高等特性,可广泛应用于光电探测和大功率器件等方面。此外人们还发现β-Ga2O3/AlN异质结在界面可形成高密度二维电子气（2DEG）,令其可以用于制作高频HEMT器件,但关于β-Ga2O3/AlN界面及界面点缺陷的电学特性还未得到系统研究。本文基于第一性原理DFT理论,对β-Ga2O3/AlN异质结的三种界面和近界面处β-Ga2O3侧的空位缺陷、间隙缺陷和复合缺陷进行研究,分析了异质结界面点缺陷的能量稳定性、缺陷能级、界面电荷转移情况以及异质结能带类型,主要研究内容及结论如下:1.通过对异质结界面缺陷形成能和结合能的分析表明,β-Ga2O3/AlN异质结的O面与Al面（O-Al）、O面与N面（O-N）和Ga面与N面Ga-N)三个界面的形成能和结合能皆为负值,结构稳定;其余三个异质结界面:非极性面与Al面（NON-Al）、非极性面与N面（NON-N）和Ga面与Al面（Ga-Al）的形成能和结合能不都为正值,结构不稳定。异质结O-Al界面中的各种缺陷形成能最低,说明其最易引入缺陷。其中O-Al界面复合缺陷形成能为-1.561 eV/A2,低于空位和间隙缺陷的形成能,表明复合缺陷最容易形成。2.通过研究异质结界面处电子结构可知,三种理想异质结O-Al、O-N和Ga-N界面禁带的能量范围分别为-1.5～-0.5 eV、-0.6～1.5 eV和-1.75～-0.45 eV区间,表明界面极性会影响带阶。对异质结界面处的成键分析可以得到,在异质结的O-Al界面处形成了 O-Al键,O-N界面处形成O-N键,Ga-N界面则形成Ga-N键,引入不同缺陷后使得界面处贡献态位置和峰值发生变化。通过局域态密度分析可知,缺陷的态密度主要受近邻原子影响。引入空位缺陷后,O-Al和O-N界面禁带中的缺陷能级主要源自AlN侧原子贡献。Ga-N界面禁带中的缺陷能级主要是由β-Ga2O3侧原子贡献。对于引入间隙和复合缺陷的异质结界面,禁带中的缺陷能级是由界面两侧原子共同贡献形成的,其中存在复合缺陷的异质结界面中缺陷能级形成更多的受到β-Ga2O3侧原子影响。3.通过对β-Ga2O3/AIN异质结的能带结构分析可知,界面为O-Al、O-N和Ga-N的异质结都为Type-Ⅱ型异质结,其中O-N界面异质结CBO最大为1.86 eV,该异质结有利于在界面处形成2DEG。对含缺陷的异质结电荷转移分析表明,界面处形成由AIN指向β-Ga2O3的内建电场。引入缺陷后,O-Al、O-N和Ga-N界面处电荷转移有着不同程度减弱。其中对于电荷转移特性最好的O-N界面来说,与理想异质结界面相比,引入复合缺陷对电荷转移特性影响最大,电势差和Bader电荷分别减少了 6.68 eV和0.29个电子。因此,在器件制备过程中,通过精确控制缺陷类型和数量,可以有效的调节器件的稳定性和传输特性。

关键词： β-Ga2O3/AlN异质结点缺陷稳定性电荷转移第一性原理

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过渡金属电解水催化剂的非金属掺杂研究进展

无机化学学报 2024年第2期40卷 289-306页

作者：张永政郭旭宋欣月李欣哈尔滨工业大学化工与化学学院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学环境学院哈尔滨150001

过渡金属基材料成本相对较低,催化性能较为优异,是在全水分解领域最有希望替代贵金属基电催化剂的候选材料之一,但有限的活性位点、相对较差的电导率等因素限制了其广泛应用。非金属元素掺杂能够调节主体材料电子结构,优化吸附能,从而... 详细信息

过渡金属基材料成本相对较低,催化性能较为优异,是在全水分解领域最有希望替代贵金属基电催化剂的候选材料之一,但有限的活性位点、相对较差的电导率等因素限制了其广泛应用。非金属元素掺杂能够调节主体材料电子结构,优化吸附能,从而对过渡金属基电催化剂的活性与稳定性产生积极影响,缩减其与贵金属材料性能差距。本文总结了近年来非金属元素改性在过渡金属基电催化材料中的相关研究,系统综述了非金属元素掺杂的方法和不同非金属元素的掺杂效果,从物理化学性质的改变和电子结构的变化多角度分析了非金属元素改性对过渡金属基材料的影响,最后对非金属元素掺杂过渡金属基电催化剂的未来发展方向作出了展望。

关键词：过渡金属电催化剂非金属元素掺杂电解水

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梵文文献三种载体材料保存特性的比较研究

档案学研究 2024年第2期 134-140页

作者：张美芳宋欣中国人民大学信息资源管理学院北京100872 北京联合大学应用文理学院北京100191

我国梵文文献分布在档案馆、图书馆、博物馆等机构,收藏数量虽不多,但价值很高,是研究印度思想史和佛教史、西藏佛教史及梵文文法等的第一手史料。贝叶、桦树皮、纸张是梵文文献的三种主要载体材料,由于其自身形成原理、性能及加工工艺... 详细信息

我国梵文文献分布在档案馆、图书馆、博物馆等机构,收藏数量虽不多,但价值很高,是研究印度思想史和佛教史、西藏佛教史及梵文文法等的第一手史料。贝叶、桦树皮、纸张是梵文文献的三种主要载体材料,由于其自身形成原理、性能及加工工艺等不同,三种材料的抗老化特征和速度有显著差异,在保存过程中会出现不同病害。国内外有关梵文文献内容的研究较多,而在其本体保护修复方面尚未开展系统研究,尤其缺少三种载体材料的对比研究。本文梳理了三种梵文文献载体材料的历史起源、加工工艺等,依据三种材料的性能特点,分析病害机理和老化特征,提出三种载体材料在修复过程中需要解决的核心技术问题,为保护梵文文献载体材料、延长其寿命提供理论依据。

关键词：梵文文献贝叶桦树皮纸张保护与修复

橡胶基介电纳米复合材料界面结构与性能的原子力显微镜研究

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橡胶基介电纳米复合材料界面结构与性能的原子力显微镜研究

作者：宋欣玉北京化工大学

学位级别：硕士

介电弹性体（DE）纳米复合材料是一类具有广阔应用前景的智能多功能软材料,其微观结构尤其是界面对其应用性能起着决定性作用。然而该体系界面属于纳米尺度,目前尚缺乏高分辨且直接、定量的表征手段,致使难以揭示DE纳米复合材料的结构-... 详细信息

介电弹性体（DE）纳米复合材料是一类具有广阔应用前景的智能多功能软材料,其微观结构尤其是界面对其应用性能起着决定性作用。然而该体系界面属于纳米尺度,目前尚缺乏高分辨且直接、定量的表征手段,致使难以揭示DE纳米复合材料的结构-性能关系。本论文基于原子力显微镜（AFM）技术,实现了对界面结构及性能的定量表征,研究了填料和基体的相互作用对界面的影响规律,得到的主要结论如下:（1）研究硅烷偶联剂KH570的用量对顺丁橡胶（BR）/白炭黑（SiO2）纳米复合材料的影响发现:随着KH570用量的增加,SiO2在BR中的分散效果变好。通过AFM纳米电学模式,实现了BR/SiO2纳米复合材料的表面电势成像,发现填料、界面和基体的表面电势不同,通过提取诱导表面电势差信号,直接检测到界面区域的电极化率为基体的18倍,并且界面/基体的电极化率之比随着KH570的增加而降低。通过AFM纳米力学模式,发现随着KH570用量的增加,界面层厚度和模量均增加。由于界面相互作用的增强,BR/SiO2纳米复合材料的宏观性能也得到显著提升。（2）通过AFM研究基体极性对氢化丁腈橡胶（HNBR）/SiO2纳米复合材料的影响发现:当HNBR分子链中极性基团的含量由19%增加到44%时,界面和基体的电极化率之比由1.24增加到5.18,界面模量和界面层厚度增大,SiO2纳米粒子在HNBR基体中的分散效果明显得到改善。宏观性能表现为:随着基体极性增加,介电常数增加,这源于界面区域增强的电极化性能,同时力学性能有所提高,这源于界面相互作用的增强。（3）研究了硅烷偶联剂的种类对DE纳米复合材料的影响。通过AFM纳米电学模式发现硅烷偶联剂的种类对界面电势的影响并不显著,说明界面电极化性能对硅烷偶联剂种类的依赖性较弱。通过AFM纳米力学模式发现使用Si747改性的HNBR/SiO2-Si747纳米复合材料的界面模量、界面层厚度最大,Si69次之,KH570最小。在宏观性能上,HNBR/SiO2-Si747纳米复合材料的力学性能最好,原因是其界面相互作用最强。

关键词：介电纳米复合材料原子力显微镜界面性能纳米电学

c-Myc调控的miR-196a-5p通过靶向HOXA7、HOXB7促进TNBC的进展

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c-Myc调控的miR-196a-5p通过靶向HOXA7、HOXB7促进TNBC的进展

作者：宋欣玉新疆医科大学

学位级别：硕士