检索结果-南通市图书馆

琼州学院学报 2008年第S1期15卷 90-91页

作者：吴景峰定安县居丁中学

随着社会的发展,生物学课程既是义务教育初中阶段必修的一门基础课,又是义务教育初中阶段的重要组成部分。由于生命科学与人类的生活、生产、社会发展、科学发展关系密切,因此强调学生的主体性学习和探究性学习就显得十分重要。

关键词：学生自主学习能力人类生物圈生物课程生物科学生物实验初中阶段

方正断陷古近系重矿物组合特征与物源方向探讨

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内蒙古石油化工 2011年第16期37卷 148-151页

作者：吴景峰大庆油田有限责任公司勘探开发研究院黑龙江大庆163712

查明研究区物源方向对于砂体展布、储集层预测和圈闭评价有重大意义。本文通过对方正断陷古近系新安村+乌云组、达连河组、宝泉岭组重矿物组合特征研究,并结合重矿物ZTR指数分析结果和区域构造演化特征,明确研究区古近系沉积物源主要来... 详细信息

查明研究区物源方向对于砂体展布、储集层预测和圈闭评价有重大意义。本文通过对方正断陷古近系新安村+乌云组、达连河组、宝泉岭组重矿物组合特征研究,并结合重矿物ZTR指数分析结果和区域构造演化特征,明确研究区古近系沉积物源主要来源于断陷西、西北、东南和东北四个方向。各物源体系重矿物组合特征及其含量反映的物源属性均存在较大的差异,在平面上以伊汉通断裂为界呈南北分带性,垂向上重矿物组合及物源方向有较大的继承性,ZTR指数从大到小的变化规律表明断陷经历了从断陷初期远物源到断坳转换期近物源的演化过程。

关键词：方正断陷古近系重矿物组合物源方向 ZTR指数

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方正断陷伊汉通断裂走滑特征及与油气关系

西部探矿工程 2016年第6期28卷 43-45页

作者：吴景峰大庆油田勘探开发研究院黑龙江大庆163712

通过对方正断陷地震资料和构造特征的详查梳理识别出伊汉通断裂走滑的多种表现形式,应力在伊汉通断裂走向上的变化,引起走滑断裂带不同部位形成不同的构造特征,应力张扭区形成断凹,应力压扭区形成断鼻、断背斜等构造,常常沿走滑断裂带... 详细信息

通过对方正断陷地震资料和构造特征的详查梳理识别出伊汉通断裂走滑的多种表现形式,应力在伊汉通断裂走向上的变化,引起走滑断裂带不同部位形成不同的构造特征,应力张扭区形成断凹,应力压扭区形成断鼻、断背斜等构造,常常沿走滑断裂带方向形成凹中隆的构造格局,油气沿应力张扭区的断凹向挤压区的构造圈闭中运移,聚集而形成油气富集区,烃源岩层中的分散油气也可在扭应力作用下运移至断鼻圈闭中,并形成油气二次聚集。因此对伊汉通走滑断层的识别和解释,不仅对方正断陷油气藏的形成、分布及富集有新的认识,而且可为寻找同类油气藏提供依据。

关键词：方正断陷走滑断裂走滑型断陷盆地成藏模式

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铸造厂含锌粉尘的资源化处理方法

铸造 2013年第6期62卷 554-556页

作者：吴景峰易天晟于晓梅鲁永杰一汽铸造有限公司技术中心吉林长春130028 昆明晟旭锌业有限公司.云南昆明650000 一汽铸造有限公司生产控制部吉林长春130028

对一种碱浸-电解生产金属锌粉工艺进行了调研和试用。经过1年多的运行,该法效果良好,不但使铸造厂所产生的含锌粉尘全部得到了处理,清洁了环境,防止了污染,而且还创造了一定的经济效益。

关键词：铸造厂含锌粉尘资源化处理

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宽带高效径向波导基空间功率合成技术

压电与声光 2010年第2期32卷 333-336页

作者：骆新江项铁铭吴爱婷钱志华吴景峰杭州电子科技大学天线与微波技术研究所浙江杭州310018 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

为获得振幅和相位一致性较好的空间功率合成结构，对径向波导电磁场分布进行了理论分析，推导出径向波导内存在TM00主模。根据TM00波电磁场的轴向对称性，提出了径向波导功分器的简化电磁模型和等效电路。并由此研制出了性能良好的x波段... 详细信息

为获得振幅和相位一致性较好的空间功率合成结构，对径向波导电磁场分布进行了理论分析，推导出径向波导内存在TM00主模。根据TM00波电磁场的轴向对称性，提出了径向波导功分器的简化电磁模型和等效电路。并由此研制出了性能良好的x波段159w固态功率放大器。在整个x波段，无源合成网络的合成效率都大于88％。含单片微波集成电路芯片（MMIC）的整体合成固态功放合成效率在整个MMIC工作频率范围内（11．9～12．3GHz）大于83％。

关键词：微波毫米波固态功率放大器空间功率合成径向波导

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锂辉石等新材料在铸铁消失模涂料

锂辉石等新材料在铸铁消失模涂料

第六届21省（市、自治区）4市铸造学术会议

作者：吴景峰一汽铸造公司技术中心

本文简述了我公司消失模铸造涂料的研究现状,讨论了各种原材料对涂料性能的影响,通过生产中的实际效果及检测试验,说明了锂辉石、硅灰石等新材料的作用。

关键词：消失模铸造涂料锂辉石

来源： cnki会议评论

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衡水湖水位变化特征及其影响因素分析

海河水利 2019年第2期 42-47页

作者：吴景峰河北省衡水水文水资源勘测局河北衡水053000

利用衡水湖1994—2017年间的水位资料,采用滑动平均法和Mann-Kendall法分析衡水湖水位年际变化特征;计算以月为单位的平均水位,分析衡水湖水位年内变化特征;采用Pearson相关分析法和累积距平法分析各因素与水位变化之间的相关关系;绘制... 详细信息

利用衡水湖1994—2017年间的水位资料,采用滑动平均法和Mann-Kendall法分析衡水湖水位年际变化特征;计算以月为单位的平均水位,分析衡水湖水位年内变化特征;采用Pearson相关分析法和累积距平法分析各因素与水位变化之间的相关关系;绘制月水位与降水量(蒸发量)、引水量(工业用水量)的折线图,分析各因素对年内水位的影响。结果表明,衡水湖年际水位变化表现为波浪式上升趋势,上升速率为0.077 m/a;月平均水位从年初至年末表现为明显的下降趋势,2—7月下降速率为0.139 m/月;年水位变化受蒸发量影响显著,受降水量的影响较弱,与引水量的相关性最弱。

关键词：衡水湖水位 Mann-Kendall法年际年内变化相关分析法影响因素

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造型材料中含氮量及含硫量检测方法的研究

造型材料 2005年第3期29卷 20-24页

作者：吴景峰一汽铸造有限公司检测中心 130062

为了对型芯砂、煤粉代用材料和增碳剂等进厂材料的含氮量和含硫量进行检测和控制,现生产急需适当的检测方法.本文通过试验研究,找到了上述方法.通过检测试验发现,我们找到的测定方法所测定的含氮量和树脂砂的含氮量具有很好的线性相关性... 详细信息

为了对型芯砂、煤粉代用材料和增碳剂等进厂材料的含氮量和含硫量进行检测和控制,现生产急需适当的检测方法.本文通过试验研究,找到了上述方法.通过检测试验发现,我们找到的测定方法所测定的含氮量和树脂砂的含氮量具有很好的线性相关性,而且简单易行;含硫量测定方法准确性高,适应面广,不宜采用红外碳硫仪进行检测的材料,该法也能很好的完成.

关键词：造型材料含氮量含硫量检测方法检测试验煤粉代用材料测定方法线性相关性红外碳硫仪试验研究

高增益S波段小型化200 W功率模块研制技术

维普期刊数据库评论

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太赫兹科学与电子信息学报 2018年第1期16卷 135-138页

作者：李晶倪涛吴景峰赵夕彬王毅中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,... 详细信息

采用多级射频放大电路以及高压脉冲调制技术,实现了S波段高增益小型化200 W功率模块的研制。驱动放大电路采用Ga As功率单片进行功率合成;末级放大电路依托栅长(0.5μm)Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片,选取多子胞结构来改善热分布,通过内匹配技术设计完成了双胞总栅宽24 mm Ga N芯片的匹配网络,并设计高压脉冲调制电路提供电源,成功研制出了小型化的S波段200 W内匹配Ga N功率模块。测试得出该模块实现了在输入功率10 d Bm,栅极电压-5 V,漏极电压32 V,TTL调制信号输入条件下,输出频率在3.1~3.5 GHz处,输出功率大于200 W,功率附加效率(PAE)大于55%。模块实际尺寸为2.4 mm×38 mm×5.5 mm。

关键词： GaN 功率放大模块高压脉冲调制技术小型化阻抗匹配

2~4GHz连续波120W GaN内匹配功率器件

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半导体技术 2021年第12期46卷 937-941,961页

作者：张一尘吴景峰银军斛彦生中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于自主研制的0.25μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高... 详细信息

基于自主研制的0.25μm高压大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),采用LC低通谐振匹配技术和宽带功率合成技术,利用大栅宽HEMT有源模型以及键合线、电容和管壳等无源模型进行一体化仿真,匹配电路采用LC匹配网络和λ/4微带线将HEMT阻抗提高至50Ω,最终实现了连续波120 W宽带GaN功率器件。测试结果表明,该器件在36 V漏极工作电压和-2.0 V栅极工作电压下,2~4 GHz频带内连续波输出功率大于120 W,功率附加效率大于46%,功率增益大于9.5 dB,二次谐波抑制度大于20 dBc,杂波抑制度大于70 dBc。

关键词：内匹配器件功率放大 S波段 GaN 宽带