检索结果-南通市图书馆

基于晶界离散分布的多晶硅薄膜晶体管直流模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

华南理工大学学报（自然科学版） 2012年第3期40卷 64-68,125页

作者：严炳辉李斌姚若河吴为敬华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 华南理工大学材料科学与工程学院广东广州510640

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多... 详细信息

基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)漏电流模型无法体现晶界的离散分布特性,而基于阈值电压模型的各工作分区电流表达式存在不连续性.为克服此缺点,根据基于表面势模型的建模思想,考虑晶界势垒在沟道中离散分布的特点,提出了多晶硅薄膜晶体管的直流漏电流模型.该模型采用单一的解析方程描述多晶硅TFT各工作区的电流.研究结果表明:TFT工作于线性区且栅压一定时,随着漏压的增大,沟道有效迁移率降低;随着栅压的增大或沟道的缩短,漏电压对沟道有效迁移率的影响减弱.

关键词：多晶硅薄膜晶体管电流模型离散晶界表面势有效迁移率

多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

液晶与显示 2010年第4期25卷 523-526页

作者：吴为敬华南理工大学材料科学与工程学院广东广州510641

从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式。模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态... 详细信息

从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式。模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态情形下可简化为传统长沟道MOSFET亚阈值区模型。仿真结果与试验数据符合得很好,验证了模型的正确性。

关键词：多晶硅薄膜晶体管亚阈值准二维

非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性与分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2014年第9期63卷 414-419页

作者：刘远吴为敬李斌恩云飞王磊刘玉荣工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广州510640 华南理工大学电子与信息学院广州510640

本文针对底栅结构非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性开展实验与理论研究.由实验结果可知:受铟锌氧化物与二氧化硅界面处缺陷态俘获与释放载流子效应的影响,器件沟道电流噪声功率谱密度随频率的变化遵循1/fγ(γ≈0.75)的变化规律... 详细信息

本文针对底栅结构非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性开展实验与理论研究.由实验结果可知:受铟锌氧化物与二氧化硅界面处缺陷态俘获与释放载流子效应的影响,器件沟道电流噪声功率谱密度随频率的变化遵循1/fγ(γ≈0.75)的变化规律;此外,器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度与沟道宽度的增加而减小,证明器件低频噪声来源于沟道的闪烁噪声,可忽略源漏结接触及寄生电阻对器件低频噪声的影响.最后,基于载流子数涨落及迁移率涨落模型,提取γ因子与平均Hooge因子,为评价材料及器件特性奠定基础.

关键词：非晶铟锌氧化物薄膜晶体管低频噪声

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析

发光学报 2015年第5期36卷 577-582页

作者：周雷徐苗吴为敬夏兴衡王磊彭俊彪广州新视界光电科技有限公司广东广州510730 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广东广州510641

根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT... 详细信息

根据最基本的2T1C像素电路,建立了TFT各参数与AMOLED面板限制因素的计算模型。详细分析了AMOLED显示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中,信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利,降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。

关键词： AMOLED 大尺寸高分辨率 RC延迟

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

全N型TFT ESD瞬态检测电路的设计

天津工业大学学报 2012年第4期31卷 61-64页

作者：颜骏吴为敬夏兴衡华南理工大学材料科学与工程学院广州510641

为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路,并采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣.结果显示:反馈器件一方面可以提高各功能... 详细信息

为适应有源发光二极管显示(AMOLED)以及有源液晶显示(AMLCD)技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电(ESD)瞬态检测电路,并采用对比仿真研究的方式分析该电路的性能优劣.结果显示:反馈器件一方面可以提高各功能器件的转换速度,以保证箝位器件能够及时打开与关闭,避免因长时间流过大电流而引起箝位器件失效;另一方面可以控制箝位器件栅极电压的保持时间,从而满足不同电路的需求;三级反向器可以稳定箝位器件的栅极电压波形,有利于电路功能的更好实现.该设计满足基本ESD检测电路的相关参数要求,并且提高了电路的总体性能.

关键词：静电放电(ESD) 全N型TFT 瞬态检测电路三级反向器反馈器件

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

磁镜场约束中粒子运动的数值计算

真空科学与技术学报 2004年第2期24卷 105-108页

作者：姚若河吴为敬张晓东刘玉文中国科学院等离子体物理研究所合肥230031 华南理工大学应用物理系广州510640

由单粒子轨道理论 ,从分析磁镜场中荷电粒子的受力情况出发 ,应用计算机数值求解方法模拟了磁镜场中荷电粒子的运动情况。结果表明 :与经典的理论分析结果不同 ,当荷电粒子的起始位置与磁轴的距离不等于其拉摩尔半径时 ,荷电粒子在平行... 详细信息

由单粒子轨道理论 ,从分析磁镜场中荷电粒子的受力情况出发 ,应用计算机数值求解方法模拟了磁镜场中荷电粒子的运动情况。结果表明 :与经典的理论分析结果不同 ,当荷电粒子的起始位置与磁轴的距离不等于其拉摩尔半径时 ,荷电粒子在平行磁轴方向和垂直磁轴平面中的速度分量存在着周期性变化 ,其周期为荷电粒子的拉摩尔周期 ;

关键词：磁镜场粒子运动数值计算粒子模拟等离子体荷电粒子磁轴热核聚变

二次耦合直流输出的金属氧化物TFT行驱动电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2016年第10期37卷 1223-1229页

作者：胡宇峰李冠明吴为敬徐苗王磊彭俊彪华南理工大学电子与信息学院广东广州510641 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广东广州510641

为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基... 详细信息

为了弥补现有氧化物TFT的行驱动电路输出模块在功率消耗、响应速度、输出摆幅等方面的不足,提出了基于二次耦合的直流输出模块,并由此研究设计新的行驱动电路拓扑。仿真结果表明,该输出模块具有驱动能力强、响应速度快等优点。最后,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,实测单级功耗为325μW。

关键词：行驱动电路氧化铟锌薄膜晶体管耦合效应

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

二苯并噻吩衍生物的合成与结构表征

实验室研究与探索 2018年第10期37卷 54-58页

作者：郭婷王丹姚日晖吴为敬华南理工大学材料科学与工程学院广州510640

通过亲核取代反应、Suzuki偶联反应和关环反应合成了二苯并噻吩衍生物,并运用核磁共振(NMR)技术(~1H NMR,^(13)C NMR,~1H-~1H COSY,HSQC,HMBC)研究其结构,且报道了其波谱峰位的归属。通过该实验,学生可以比较完整、系统地了解有机合成... 详细信息

通过亲核取代反应、Suzuki偶联反应和关环反应合成了二苯并噻吩衍生物,并运用核磁共振(NMR)技术(~1H NMR,^(13)C NMR,~1H-~1H COSY,HSQC,HMBC)研究其结构,且报道了其波谱峰位的归属。通过该实验,学生可以比较完整、系统地了解有机合成的主要步骤与表征方法,并且通过分析NMR谱图,理解核磁共振技术在有机合成中确定未知物的重要作用。

关键词：二苯并噻吩合成结构表征核磁共振

基于金属氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2016年第2期65卷 352-359页

作者：张立荣马雪雪王春阜李冠明夏兴衡罗东向吴为敬徐苗王磊彭俊彪广州新视界光电科技有限公司广州510730 华南理工大学电子与信息学院广州510640 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广州510640

本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级... 详细信息

本文提出了一种基于非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的高速行集成驱动电路,该电路采用输入级复用的驱动结构,一级输入级驱动三级输出级,不仅减少电路输入级2/3晶体管的数量,实现AMOLED或AMLCD显示屏的窄边框显示,而且输入级的工作频率是输出级的1/3,该结构适用于高速驱动电路.电路内部产生了三次电容耦合效应,每一次电容耦合效应都可以提高相应节点的电压,保证了信号完整传输.输出级采用了一个二极管接法的薄膜晶体管,该薄膜晶体管连接了输出级的控制信号和上拉薄膜晶体管的栅极,利用的每一级输出级输出时所产生的电容耦合效应,增加上拉薄膜晶体管的栅极电压,有效地提高电路输出能力和工作速度.仿真表明电路能够输出脉宽达到4μs速度.最后成功地制作了10级行集成驱动电路,包括10级输入级电路和30级输出级电路,负载为R=10k?和C=100pF,实验结果验证,该电路满足4k×8k显示屏在120 Hz刷新频率下的驱动需求.

关键词： In-Zn-O薄膜晶体管高速行集成驱动电路输入级复用电容耦合效应