检索结果-南通市图书馆

作者：吕本顺河南科技大学

学位级别：硕士

1969年Matsuoka发现ZnO压敏陶瓷材料以后，ZnO压敏材料开始受到人们广泛和深入的研究。20世纪80年代的中后期，ZnO压敏材料的理论研究和开发应用已经非常成熟。由于ZnO压敏材料的多相结构，其老化以及温度稳定性问题一直难以解决。因此... 详细信息

1969年Matsuoka发现ZnO压敏陶瓷材料以后，ZnO压敏材料开始受到人们广泛和深入的研究。20世纪80年代的中后期，ZnO压敏材料的理论研究和开发应用已经非常成熟。由于ZnO压敏材料的多相结构，其老化以及温度稳定性问题一直难以解决。因此，科研工作者们一方面不断提高ZnO的性能，另一方面也不断寻找新的压敏材料。例如：贝尔实验室的Rhodes和Yan在1982年发现了TiO2压敏陶瓷材料;Trontelj和Makarov在1994年发现了有电学非线性特性的WO3压敏材料。后来的研究证明，TiO2和WO3压敏材料的压敏电场均较小，可以作为低压压敏材料使用。其中，WO3的电学性能较不稳定，这归因于其常温下的多相结构;1995年***等人首次发现，SnO2陶瓷材料经过少量Co和Nb的掺杂具有单相结构和有较好致密性。SnO2陶瓷材料具有的较高的电学非线性性质，吸引我们对它进行进一步的研究。本论文第一章首先对压敏电阻的理论发展以及性能参数作了概括论述。压敏电阻的电学非线性关系是其最重要的电学性质，压敏电阻的非线性性能与其非线性系数成正比。压敏电压也是压敏电阻的一个重要参数，其决定了压敏电阻的应用范围。除此之外，压敏电阻还有如介电常数、漏电流等重要参数。对于压敏电阻的电学非线性的解释，人们普遍接受的是Pike等人提出的与实验结果非常一致的晶界缺陷势垒模型。本论文第二章研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响，当Nb2O5的含量从0.05mol%增加到0.8mol%时，压敏电阻的压敏电压从28V/mm增加到530V/mm;对晶界势垒高度的分析表明，晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。同时，对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。本论文第三章研究了Cr2O3掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的影响。当Cr2O3的含量从0.03mol%增加到0.06mol%时，压敏电阻的压敏电压从298V/mm增加到335V/mm然后又减少到278V/mm。随着温度的升高，样品的介电常数出现峰值。所有样品的势垒高度均为0.8eV左右，这表明，晶粒尺寸的变化以及Cr2O3在样品中存在的形态是影响SnO2-Zn2SnO4系压敏陶瓷电学性质的主要原因。

关键词：陶瓷 SnO2 压敏电阻电学非线性晶界势垒

Nb_2O_5掺杂对SnO_2-Zn_2SnO_4系压敏陶瓷电学性质的影响

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河南科技大学学报（自然科学版） 2014年第3期35卷 90-94,10页

作者：吕本顺李立本臧国忠河南科技大学物理与工程学院河南洛阳471023

研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电... 详细信息

研究了Nb掺杂对SnO2-Zn2SnO4系压敏材料电学性质的影响,研究结果表明:当Nb2O5的含量(摩尔分数)从0.05%增加到0.80%时,压敏电阻的压敏电压从28 V/mm增加到530 V/mm;对晶界势垒高度的分析表明:晶粒尺寸的迅速减小是样品压敏电压增高、电阻率增大的主要原因。本文对Nb含量增加引起晶粒减小的原因进行了解释。

关键词：压敏电阻二氧化锡势垒高度非线性系数

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渭河上游洋槐壑沟造林的初步观察

新黄河 1955年第4期 30-35页

作者：吕本顺

一、沟壑造林是渭河上游迫切需要的。宝鸡峡以上的渭河上游,流域面积约为31040平方公里,除石山林区和极少部份的狭条川地外,基本上属于丘陵沟壑区

关键词：幼林天水甘肃刺槐农业用地林地立木草木绿荫林木洋槐渭河上游

天水专区两年来开展群众性水土保持工作的体会

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人民黄河 1954年第8期 29-31页

作者：吕本顺

一、山区的水土流失严重情况:天水专区,约有90%的耕地是山地。山区的水土流失情况是非常严重的,它不但萎缩了农业发展,同时也是河流输沙量太大的祸根。根据天水径流小区试验,九年来(1945-1953年)的记载告诉我们:在坡度35%(约19.5度)以... 详细信息

一、山区的水土流失严重情况:天水专区,约有90%的耕地是山地。山区的水土流失情况是非常严重的,它不但萎缩了农业发展,同时也是河流输沙量太大的祸根。根据天水径流小区试验,九年来(1945-1953年)的记载告诉我们:在坡度35%(约19.5度)以下的黄土坡地,一般农耕情况下,四级坡度(5～

关键词：冲刷量天水性水甘肃地埂修梯田

迎接黄河治本,为进一步大规模开展水土保持工作而努力

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人民黄河 1955年第8期 43-45页

作者：吕本顺黄河水利委员会水士保持推广科

无限兴奋地学习了邓子恢副总理「关于根治黄河水害和开发黄河水利的综合规划的报告」。这条几千年来「不能治理」的害河,在党的领导下,苏联专家的帮助下,按照自然法则,根据需要与可能,将要被征服了。历史上从来没有的光辉灿烂的远景规... 详细信息

无限兴奋地学习了邓子恢副总理「关于根治黄河水害和开发黄河水利的综合规划的报告」。这条几千年来「不能治理」的害河,在党的领导下,苏联专家的帮助下,按照自然法则,根据需要与可能,将要被征服了。历史上从来没有的光辉灿烂的远景规划摆在面前了。

关键词：天水水害甘肃黄河林牧邱陵冲刷量巢生水地米脂

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临潼县芷阳乡的软堰

人民黄河 1955年第5期7卷 40-43页

作者：吕本顺

软堰,关中群众叫「挡水堰」、「堵水堰」、「堰」。在关中的黄土邱陵沟壑区、台地区、塬区多有之,是一种很好的坡地水土保持的方法。临潼县西南的芷阳乡是黄土邱陵沟壑区的几个山村,分布在騼山的通化沟。

关键词：地埂坡面均整修梯田邱陵排水作用小流域

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阳高县大泉山治理经验调查报告

黄河建设 1956年第7期 28-37页

作者：吕本顺张泽桓安泽

山西省阳高城南12公里许的大泉山,经过张凤林、高进才两同志从1938年以来的辛勤劳动,成为了治理山区的重要典型之一。大泉山的事实,指出了:蓄水保土的工程与生物相结合、治坡和治沟相结合的综合措施,才是全面开展水土保持工作的正确道... 详细信息

山西省阳高城南12公里许的大泉山,经过张凤林、高进才两同志从1938年以来的辛勤劳动,成为了治理山区的重要典型之一。大泉山的事实,指出了:蓄水保土的工程与生物相结合、治坡和治沟相结合的综合措施,才是全面开展水土保持工作的正确道路。张凤林和高进才,以自己多年辛勤的劳动,为了发展生产而摸索到治理山区的科学

关键词：谷坊保土高淮水利技术防蚀大泉山地埂截水坑

湿法腐蚀和干法刻蚀工艺对850nm VCSEL高速调制性能的影响

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半导体光电 2017年第6期38卷 826-829页

作者：董建何晓颖胡帅何艳吕本顺李冲郭霞北京邮电大学电子工程学院北京100876 北京工业大学信息学部北京100124

垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄... 详细信息

垂直腔面发射激光器(VCSEL)以其低功耗、低阈值电流、高调制速率和易制作二维阵列器件等特点,广泛应用于短距离光互连领域。湿法腐蚀和干法刻蚀作为高速VCSEL台面结构制备的两种工艺,影响VCSEL氧化层的大小。文章研究了氧化层面积对寄生电容的影响,并计算得到7μm氧化孔径下采用干法刻蚀工艺的垂直腔面发射激光器,相比较湿法腐蚀工艺,氧化层电容由902.23fF减小至581.32fF,谐振腔电容由320.72fF减小至206.65fF。通过对采用湿法腐蚀和干法刻蚀工艺制备的GaAs量子阱结构高速VCSEL进行小信号调制响应测试,结果表明,7μm氧化孔径下干法刻蚀VCSEL小信号调制带宽提高至16.1GHz。

关键词：垂直腔面发射激光器高速调制湿法腐蚀干法刻蚀

采用BCB平整技术的高速850nm垂直面发射激光器（英文）

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中国光学 2018年第2期11卷 190-197页

作者：何晓颖董建胡帅何艳吕本顺栾信信李冲胡安琪胡宗海郭霞北京邮电大学电子工程学院信息光子学与光通信国家重点实验室北京100876 北京工业大学信息学部北京100124

垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势,广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯(BCB)平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器... 详细信息

垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势,广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯(BCB)平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器的寄生电容。详细研究了BCB平整技术的最优工艺参数,为未来高速垂直腔面发射激光器的制造技术提供参考。低k值BCB平整垂直腔面发射激光器在7μm氧化孔径下3 d B小信号调制带宽可达15.2 GHz。

关键词：垂直腔面发射激光器高速调制苯并环丁烯平整技术