检索结果-南通市图书馆

脉冲激光沉积制备La_(0.62)Ca_(0.29)K_(0.09)MnO_3外延膜及其磁热性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高等学校化学学报 2013年第9期34卷 2063-2067页

作者：吴小峰黄科科侯长民葛磊初学峰王珊冯守华吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室化学学院长春130012

采用脉冲激光沉积法在单晶SrTiO3(STO)基底上制备了La0.62Ca0.29K0.09MnO3(LCKMO)薄膜,通过调控基底温度获得了平整致密的膜层.利用二维面探X射线衍射仪和高分辨透射电子显微镜对薄膜结构进行了表征.结果表明,薄膜呈高质量取向外延生长... 详细信息

采用脉冲激光沉积法在单晶SrTiO3(STO)基底上制备了La0.62Ca0.29K0.09MnO3(LCKMO)薄膜,通过调控基底温度获得了平整致密的膜层.利用二维面探X射线衍射仪和高分辨透射电子显微镜对薄膜结构进行了表征.结果表明,薄膜呈高质量取向外延生长,对应关系为{001}LCKMO||{001}STO.对薄膜的磁热性能研究表明,5 T下最大磁熵变为3.45 J/(kg·K),相对制冷效率为379.5 J/kg,磁熵半峰宽为110 K.

关键词：磁热效应外延膜脉冲激光沉积锰酸盐

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

熔融碱法制备三重价态钙钛矿锰氧化物

高等学校化学学报 2013年第2期34卷 284-287页

作者：李明黄科科初学峰杜燕燕葛磊孙宇侯长民冯守华无机合成与制备化学国家重点实验室吉林大学化学学院长春130012

以MnO2,Ca(OH)2和La(OH)3为反应原料,在惰性气氛、低温(500℃)熔融KOH体系中合成了具有菱形钙钛矿结构Ca,K共掺杂的La0.64Ca0.25K0.11MnO3纳米材料,并对Mn的价态及磁学性能等进行了讨论.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,La0.64Ca0.25K... 详细信息

以MnO2,Ca(OH)2和La(OH)3为反应原料,在惰性气氛、低温(500℃)熔融KOH体系中合成了具有菱形钙钛矿结构Ca,K共掺杂的La0.64Ca0.25K0.11MnO3纳米材料,并对Mn的价态及磁学性能等进行了讨论.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,La0.64Ca0.25K0.11MnO3纳米材料中的Mn具有三重混合价态,其零场冷却低温磁化率曲线表现出顺磁-铁磁转变,居里温度(Tc)为280 K.

关键词：熔融碱法混合价态钙钛矿掺杂锰酸盐

铟锡氧(ITO)和氟锡氧(FTO)透明导电薄膜的表征与分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2024年第5期53卷 848-854页

作者：初学峰黄林茂张祺谢意含胡小军吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室长春130118 吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118

本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样... 详细信息

本文以射频(RF)磁控溅射方法制备的ITO薄膜和购置的ITO及FTO薄膜为研究对象,通过紫外可见分光光度计表征薄膜样品的透射率,结果表明ITO和FTO薄膜均展现出良好的光学透过率。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜样品的表面形貌,所有薄膜样品的表面较为均匀。通过X射线光电子能谱仪(XPS)表征薄膜样品表面的元素、组成、价态和电子态信息,结果表明制备方式与退火处理等因素影响了薄膜样品表面的元素组成与价态,这些信息与薄膜的电学和光学性能具有一定的关联。上述研究结果可以为新型透明导电薄膜的设计和性能提升提供参考。

关键词：透明导电氧化物磁控溅射退火表面形貌 X射线光电子能谱透过率

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

氧化锌锡薄膜晶体管的制备与性能研究

液晶与显示 2024年第1期39卷 40-47页

作者：初学峰胡小军张祺黄林茂谢意含吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室吉林长春130118 吉林建筑大学电气与计算机学院吉林长春130118

为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO... 详细信息

为了提高薄膜晶体管的性能,本文基于射频磁控溅射技术,采用氧化锌锡(ZTO)材料作为沟道层,在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试,利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响,探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明,所有ZTO薄膜样品是非晶结构,表面致密,透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好,其饱和迁移率达到了15.61 cm^(2)/(V·s),亚阈值摆幅为0.30 V/decade,阈值电压为-5.06 V,电流开关比为8.92×10^(9)。

关键词：薄膜晶体管溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜

维普期刊数据库博看期刊

La1-x-yCaxKyMnO3的可控合成及表征

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高等学校化学学报 2013年第1期34卷 40-44页

作者：初学峰黄科科侯长民葛磊吴小峰杜燕燕冯守华吉林大学化学学院无机合成与制备化学国家重点实验室长春130012

采用水热合成方法,通过调控反应物中Ca2+与La3+的摩尔比可控合成了钙钛矿结构La1-x-yCaxKyMnO3(0.05≤x≤0.49;0.05≤y≤0.21)系列样品,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、等离子光谱仪及磁性测量系统对样品的结构、形貌、成分组成和磁... 详细信息

采用水热合成方法,通过调控反应物中Ca2+与La3+的摩尔比可控合成了钙钛矿结构La1-x-yCaxKyMnO3(0.05≤x≤0.49;0.05≤y≤0.21)系列样品,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、等离子光谱仪及磁性测量系统对样品的结构、形貌、成分组成和磁学性质进行了研究.结果表明,该水热反应过程为歧化反应,K+离子的引入导致了样品中双铁磁相的出现.

关键词：水热合成歧化反应三重价态双铁磁相

钯纳米粒子的形貌可控合成与催化性能（英文）

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

无机化学学报 2017年第10期33卷 1835-1842页

作者：茹婷婷初学峰石莹岩郑文琦郭研杨小天蒋锴吉林建筑大学基础科学部长春130118 吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室长春130118 长春中医药大学附属医院长春130021

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium(OTAB-Na),成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制... 详细信息

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium(OTAB-Na),成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制备。催化测试(利用氨硼烷作为氢化试剂来还原4-硝基苯酚为4-胺基苯酚)发现,钯纳米粒子的催化活性与其微观纳米结构相关,其中枝化结构的钯纳米粒子表现出了更为突出的催化性能。

关键词：钯贵金属纳米粒子凹面体枝化结构

近紫外激发Sm^(3+)与Sr^(2+),Ba^(2+),Bi^(3+)共掺杂的La_(1/3)NbO^3的发光性质

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高等学校化学学报 2013年第3期34卷 509-513页

作者：杜燕燕黄科科张佳旗王楚楚初学峰侯长民冯守华吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室长春130012 吉林大学生命科学学院长春130012

通过高温固相反应合成了La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉.样品的荧光光谱表明,La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉最强的激发带在406 nm,对应于Sm3+的6H5/2→4K11/2跃迁,属于近紫外区(365～410 nm).当激发波长为406nm时,样品的最强发射峰位于596 nm,是由Sm3+... 详细信息

通过高温固相反应合成了La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉.样品的荧光光谱表明,La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉最强的激发带在406 nm,对应于Sm3+的6H5/2→4K11/2跃迁,属于近紫外区(365～410 nm).当激发波长为406nm时,样品的最强发射峰位于596 nm,是由Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁而产生的.因此,La1/3NbO3∶Sm3+可以作为基于近紫外激发的白光发光二极管(LED)的红光材料.而且,La位共掺杂Sr2+,Ba2+和Bi3+使样品的荧光强度大大增加,在最佳掺杂浓度时的量子产率分别为5.4%,7.5%和5.3%.

关键词：荧光光谱白光发光二极管(LED) 固态照明电荷补偿剂 La1 3NbO3

正十八硫醇钝化GaAs(100)表面特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2018年第2期39卷 175-179页

作者：周路初学峰闫兴振杨帆王欢郭亮王超高晓红迟耀丹杨小天吉林建筑大学电气与计算机学院吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118

为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案。首先,分别对GaAs(100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后... 详细信息

为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案。首先,分别对GaAs(100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后晶片表面的化学成分,然后利用光致发光光谱(PL)对正十八硫醇处理的GaAs(100)晶片进行了钝化时间的优化,最后通过扫描电子显微镜(SEM)测试了钝化前后的晶片表面形貌。实验结果表明:采用正十八硫醇钝化的GaAs(100)表面,相比常规硫代乙酰胺钝化方案,具有更低的氧化物含量和更厚的硫化层厚度;室温钝化条件下,钝化时间越长,正十八硫醇的钝化效果越好,但PL强度在钝化超过24 h后基本达到稳定,最高PL强度提高了116%;正十八硫醇钝化的GaAs(100)晶片具有良好的表面形貌,表面形成了均匀、平整的硫化物钝化层。数据表明正十八硫醇是钝化GaAs(100)表面一种非常有效的技术手段。

关键词：钝化砷化镓正十八硫醇

玉米蛋白质基底上射频磁控溅射法制备Zn O薄膜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

发光学报 2018年第10期39卷 1431-1438页

作者：杨帆王超周路初学峰闫兴振王欢郭亮高晓红迟耀丹杨小天吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118 吉林建筑大学电气与计算机学院吉林长春130118

采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响。结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长。我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程... 详细信息

采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响。结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长。我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程度的张应力,当Ar/(Ar+O2)为0.7时,ZnO薄膜内的张应力最小。ZnO近带边发光峰有不同程度的红移,我们认为,这是由于晶界势垒和氧空位Vo造成的。随着溅射功率的增大,薄膜生长速率显著加快,晶粒尺寸增大,ZnO的近带边发光峰位逐渐趋向于理论值。

关键词：氧化锌薄膜玉米蛋白膜磁控溅射 X射线衍射光致发光谱