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分数维方法研究GaAs薄膜中的极化子
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物理学报 2013年 第9期62卷 390-394页
作者: 武振华 李华 严亮星 刘炳灿 田强 北京师范大学物理系 北京100875 装甲兵工程学院基础部 北京100072
本文采用分数维方法,在讨论Al0.3Ga0.7As衬底上GaAs薄膜的分数维基础上,计算了GaAs薄膜中的极化子结合能和有效质量.随着薄膜厚度的增加,极化子结合能和质量变化单调地减小.当薄膜厚度Lw70A或者衬底厚度Lb>200A时,衬底厚度的变化对薄膜... 详细信息
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CdSeS量子点的光吸收谱亚结构和光致发光激发谱分析
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光学学报 2005年 第5期25卷 683-686页
作者: 刘炳灿 田强 吴正龙 北京师范大学物理学系 北京师范大学分析测试中心 北京100875
用光致发光激发(PLE)谱分析吸收谱的亚结构。实验样品是共熔法制备的CdSeS量子点玻璃,量子点的生长时间分别为2h和4h,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析得到样品中量子点的平均直径分别为3.6nm和3.8nm。在室温下对样品进行了光吸收谱和... 详细信息
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非线性系数对超晶格透射的影响
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物理学报 2006年 第12期55卷 6595-6599页
作者: 刘炳灿 潘学琴 任志明 装甲兵工程学院基础部 北京100072
研究了非线性系数对超晶格中波透射的影响.把非线性薛定谔方程转化成二阶差分方程,通过迭代此差分方程得到透射谱.透射谱显示非线性系数对波的透射有明显的调制作用.
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金属和Kerr非线性介质界面上表面等离子体激元的色散关系
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物理学报 2010年 第2期59卷 1180-1184页
作者: 刘炳灿 逯志欣 于丽 北京邮电大学理学院 北京100876 装甲兵工程学院基础部 北京100072
从麦克斯韦方程组出发,结合边界条件,分别得到TM波和TE波在金属和Kerr非线性介质界面上表面等离子体激元的色散关系.由于非线性的存在,TM波的色散关系变得复杂,与光强、非线性系数有关.和线性情况一样,此界面不存在TE波.
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GaAs薄膜的有效量子限制长度及其极化子特性
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物理学报 2013年 第19期62卷 434-437页
作者: 刘炳灿 李华 严亮星 孙慧 田强 装甲兵工程学院基础部 北京100072 北京师范大学物理系 北京100875
本文用分数维方法研究AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子特性,提出了确定GaAs薄膜的有效量子限制长度的一个新方法,解决了原来方法中在衬底势垒处有效量子限制长度发散的困难,得到了AlxGa1-xAs衬底上GaAs薄膜中的极化子的维数和结合能.
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不同模型下爆炸源和层裂源的Lg波特性研究
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地震学报 2015年 第4期37卷 640-647页
作者: 何永锋 李锴 刘炳灿 装甲兵工程学院 中国北京100072
地下核爆炸区域及远区地震波信号中,有二次源即层裂源的贡献,其对区域震相Lg波具有调制作用.本文利用理论地震图数值模拟方法,分析爆炸源和层裂源在3种典型介质速度模型下的区域震相特征,得到了爆炸源和层裂源所激发的Lg波与介质速度模... 详细信息
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玻璃中CdSeS量子点的PLE谱研究
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北京师范大学学报(自然科学版) 2003年 第5期39卷 636-639页
作者: 刘炳灿 吴正龙 田强 北京师范大学物理学系 北京师范大学分析测试中心 北京100875
用光致发光激发光 (PLE)谱与光吸收谱和光致发光 (PL)谱相结合 ,对半导体CdSeS量子点的电子能级和电子跃迁发光的弛豫过程进行了深入分析 .PLE谱表明带边激子发光的主要来源是 1S3/2 - 1se和 2S3/2 - 1se能态的电子弛豫 ,而缺陷态发光... 详细信息
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Polaron effects in cylindrical GaAs/Al_xGa_(1-x)As core-shell nanowires
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Chinese Physics B 2017年 第9期26卷 415-420页
作者: 孙慧 刘炳灿 田强 Department of Physics Beijing Normal University Department of Fundamental Courses Academy of Armored Forces Engineering
By the fractal dimension method, the polaron properties in cylindrical GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowire are explored. In this study, the polaron effects in GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowire at different values of... 详细信息
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半导体表面薄膜的有效量子限制长度和极化子研究
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北京师范大学学报(自然科学版) 2017年 第4期53卷 395-398页
作者: 李华 刘炳灿 田强 装甲兵工程学院基础部 北京100072 北京师范大学物理学系 北京100875
采用提出的等效方法,确定Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜的量子限制长度,在此基础上确定了GaAs薄膜的分数维,进一步利用分数维方法研究了Al_xGa_(1-x)As衬底上GaAs表面薄膜中的极化子特性.
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三明治结构量子阱的维数
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大学物理 2014年 第7期33卷 8-10页
作者: 刘炳灿 田强 装甲兵工程学院基础部 北京100072 北京师范大学物理学系 北京100875
讨论了无限深和有限深量子阱电子系统的维数.在无限深量子阱中,随着阱宽由大减小到零,量子阱的维数由3单调减小到2;有限深量子阱中,在阱宽较大或阱宽趋于零时,量子阱电子系统的维数都趋近于3,随着阱宽的减小,量子阱的维数呈现出先减小... 详细信息
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