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机构

  • 5 篇 中国科学院物理研...
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  • 1 篇 国家地震局地质研...
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作者

  • 7 篇 俞汀南
  • 6 篇 鲍忠兴
  • 6 篇 张芝婷
  • 2 篇 郭金弟
  • 2 篇 胥怀济
  • 1 篇 车荣钲
  • 1 篇 李凤英
  • 1 篇 王积方
  • 1 篇 陈良辰
  • 1 篇 徐丽雯
  • 1 篇 柳翠霞
  • 1 篇 顾惠成

语言

  • 5 篇 中文
  • 2 篇 英文
检索条件"作者=俞汀南"
7 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
KH2PO4和(CH3NHCH2COOH)3CaCl2在高压下的状
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高压物理学报 1995年 第3期9卷 208-212页
作者: 鲍忠兴 柳翠霞 俞汀南 中国科学院国际材料物理中心 中国科学院物理研究所
在活塞圆筒式P~V关系测量装置上,研究了KH_2PO_4(KDP)和(CH_3NHCH_2CO-OH)_3CaCI_2[Tris-sarcosinecalciumchloride(TSCC)]在室温下、4.5GPa内... 详细信息
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AlH_3在高压下的状态方程与相变
收藏 引用
科学通报 1989年 第8期34卷 572-573页
作者: 鲍忠兴 张芝婷 俞汀南 郭金弟 胥怀济 中国科学院物理研究所 国家地震局地质研究所
AlH_3是一种含氢量较高的氢化物,因此,引起了人们很大的兴趣。近些年来,国外对AlH_3在常压下的性质进行了不少研究,但在高压下还研究得很少。我们在高压下研究氢化物的性质的目的有两个:第一,在七十年代初,我们在开展金属氢的研究中曾... 详细信息
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GaP、Si和Ge在高压下的金属化相变及其测定方法
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科学通报 1984年 第14期29卷 846-849页
作者: 鲍忠兴 张芝婷 俞汀南 中国科学院物理研究所 北京 中国科学院物理研究所
一、引言 近些年来,第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物在高压下由半导体转变成金属的研究已引起人们很大的兴趣。在1973年,Van Vechten根据电负性的量子电介质理论计算了一些第Ⅳ族元素和Ⅲ—Ⅴ族化合物的P-T相图。在这前后,人们已在几种不同... 详细信息
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金属聚四氟乙烯
收藏 引用
自然杂志 1980年 第5期 75-76页
作者: 鲍忠兴 张芝婷 俞汀南 中国科学院物理研究所
高压下绝缘体转变成导体的研究,不仅可以进一步推动固体物理、地球物理和天体物理的发展,而且还为人们获得特殊性能的材料开辟了一条新的途径.本工作,在静态高压下,通过电阻测量,第一次观测到了聚四氟乙烯由绝缘体转变成金属.我们采用... 详细信息
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超高压下碘的结构相变
收藏 引用
高压物理学报 1993年 第2期7卷 123-126页
作者: 陈良辰 张芝婷 车荣钲 俞汀南 李凤英 顾惠成 徐丽雯 王积方 中国科学院物理研究所 北京100081
采用DAC高压互光技术,在32GPa压力下,对碘进行了结构相变的研究.用耐腐蚀材料Mo作封垫,在室温和无保护气氛下袋样.采用MO内标和红宝石荧光测量近行压力被准结果表明,在21GPa时.开始发生结构相变,由面心正交相(Ⅰ相),转变为... 详细信息
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EQUATION OF STATE AND PHASE TRANSITION OF AIH_3 UNDER HIGH PRESSURE
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Chinese Science Bulletin 1990年 第5期35卷 379-382页
作者: 鲍忠兴 张芝婷 俞汀南 郭金弟 胥怀济 Institute of Physics Academia Sinica Beijing 100080 PRC Institute of Geology State Seismological Bureau Beijing 100012 PRC
Ⅰ. INTRODUCTIONAlH3 is a hydride with higher hydrogen content. Thus, many scientists are very interested in it. In recent years, properties of AlH3 have been much studied under the atmospheric pressure, but less unde... 详细信息
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METALLIC PHASE TRANSITIONS IN GaP, Si AND Ge AT HIGH PRESSURE AND METHOD OF THEIR DETERMINATION
收藏 引用
Chinese Science Bulletin 1985年 第8期30卷 1019-1023页
作者: 鲍忠兴 张芝婷 俞汀南 Institute of Physics Academia Sinica Beijing
Ⅰ. INTRODUCTION In recent years, there has been considerable interest in semiconductor-t0-metal transitions in group Ⅳ elements and Ⅲ-Ⅳ compounds at high pressure. In 1973, Van Vechten calculated the pressure-temp... 详细信息
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