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Eu(α-NMA)_3(α-HNMA)Phen的晶体结构及光谱研究

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化学学报 2003年第3期61卷 367-371页

作者：侯彦辉杜晨霞朱玉周稚仙郑州大学化学系郑州450052

Eu(α NMA) 3(α HNMA)Phen (NMA =萘甲酸根 ;HNMA =萘甲酸 ;Phen =1,10 邻菲咯啉 )配合物晶体属三斜晶系 ,P1- 空间群 ,晶胞参数a =1.2 40 1( 3)nm ,b =1.30 5 6( 3)nm ,c =1.65 0 0 ( 3)nm ,α =73.0 1( 3)° ,β =82 .44( 3)° ,γ ... 详细信息

Eu(α NMA) 3(α HNMA)Phen (NMA =萘甲酸根 ;HNMA =萘甲酸 ;Phen =1,10 邻菲咯啉 )配合物晶体属三斜晶系 ,P1- 空间群 ,晶胞参数a =1.2 40 1( 3)nm ,b =1.30 5 6( 3)nm ,c =1.65 0 0 ( 3)nm ,α =73.0 1( 3)° ,β =82 .44( 3)° ,γ =62 .0 7( 3)° ,V =2 2 5 72 ( 8)nm3,Z =2 ,Dc=1.496g/cm3,F( 0 0 0 ) =10 2 6,R =0 .0 5 17.该配合物是双核分子 ,两个Eu(Ⅲ )离子通过 4个α 萘甲酸根的羧基桥联 .中心离子分别与五个羧基桥氧原子、一个螯合配位羧基的 2个氧原子和一个邻菲咯啉的 2个N原子配位 ,形成九配位的扭曲三帽三棱柱体 .双核分子中萘环与邻菲咯啉平面之间存在着π π相互作用 ,有利于该配位构型的稳定 .荧光光谱测定结果显示。

关键词： Eu(α-NMA)3(α-HNMA)Phen Eu(Ⅲ)配合物晶体结构荧光光谱铕(Ⅲ) 稀土发光材料萘甲酸邻菲咯啉萘甲酸根

新型稀土配合物的合成及光致、电致发光性质的研究

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新型稀土配合物的合成及光致、电致发光性质的研究

作者：侯彦辉郑州大学

学位级别：硕士

本论文从设计具有优良电子传输性能和发光效率的有机稀土配合物发光材料出发，合成了5个系列的新型稀土Eu(Ⅲ)配合物，并从结构方面阐述了某些新型配体的配位性能，详细讨论了配合物发光性能与其组成及结构的关系。在对这些配合物进行... 详细信息

本论文从设计具有优良电子传输性能和发光效率的有机稀土配合物发光材料出发，合成了5个系列的新型稀土Eu(Ⅲ)配合物，并从结构方面阐述了某些新型配体的配位性能，详细讨论了配合物发光性能与其组成及结构的关系。在对这些配合物进行光致发光研究的基础上，初步测定了部分配合物的电致发光性能，并从电子传输性和发光量子效率方面对配合物材料进行了评价，取得了较有意义的实验结果。 1．合成了2—(N—苯甲酰)—氨基—5—苯基—[1，3，4]—噁二唑(L)配体，和2，5—(2，2’—二吡啶)—1，3，4—噁二唑(ODP)，制备了三个新型稀土发光配合物Eu(L)(HO)、Eu(L)(PHEN)和Eu(L)Na(OH)(ODP)。晶体结构测定表明：三个配合物中配体L通过烯醇式羰基氧原子和噁二唑环上的氮原子与Eu(Ⅲ)配位，Eu(Ⅲ)离子均为8配位的变形四方双锥构型。配合物Eu(L)(HO)和Eu(L)Na(OH)(ODP)均为双核分子，两个Eu(Ⅲ)离子通过两个水分子或羟基桥联。发光性能测定结果表明：配合物均表现出Eu(Ⅲ)离子特征的荧光发射，这说明新型配体对Eu(Ⅲ)离子具有良好的敏化发光作用。 2．利用具有优良电子传输性的配合物Zn(Salen)(Salen=双水杨醛缩乙二胺)作为第二配体，合成了具有荧光性质的双杂核配合物Eu(TTA)Zn(Salen)。结构分析表明配合物Zn(Salen)通过酚羟基上的氧原子与Eu(Ⅲ)离子参与配位。但配合物Eu(TTA)Zn(Salen)中Zn(Salen)的发光完全消失，只表现出稀土离子的特征发射，表明Zn(Salen)将能量有效地传递给Eu(Ⅲ)离子。 3．合成了一系列4，5-二氮杂芴-9-芳香亚胺系列化合物作为中性配体。并以DBM为第一配体，合成了Eu(Ⅲ)离子系列配合物。测定了部分配合物的单晶结构，结果表明中性配体对配合物晶体有明显的手性诱导作用。该系列配合物表现较严重的发光淬灭现象。 4．合成了具有良好电子的传输性和空穴阻挡性的中性配体2，6-二-(5-甲基-[1，3，4]噁二唑-2-)-吡啶(BMOP)，制备了Eu(DBM)(BMOP)、Eu(NTA)(BMOP)、Eu(BA)(BMOP)和Eu(TTA)(BMOP)四种发光配合物，系统研究了激发光谱与配合物组成的关系。结果发现：中性配体BMOP的加入使Eu(DBM)(HO)、郑州大学硕士毕业论文 Eu(NTA)3(HZO):的发光强度提高了近l/3，而Eu(BA)3(HZO):、Eu(TTA)3(HZO)2 的发光强度并没有明显的提高，由配体BMOP的最大吸收位置可以推测:BMOP 吸收的能量很可能是通过第一配体间接传递给Eu(m)离子。光致和电致发光性质测定结果表明，该系列配合物具有优良的光致发光性能和良好的电子传输性。 5.以2，5一(2，2’一二毗陡)一l，3，4一唔二哇(ODP)为中性配体，合成了配合物Eu(DBM)3(ODP)和Eu(NTA)3(ODp)，在光致发光研究的基础上，初步测定了配合物的电子传输性和空穴阻挡性，其中以Eu(DBM)3(ODP)为发光材料一的四层器件(ITO/TpD(20nm)尼u(DBM)3(ODp)(3onm)/AIQ3(snm)侣Cp(snm)/Mg:Ag)的最大发光亮度达到42m刀cm“。

关键词： Eu(Ⅲ)配合物晶体结构光致发光电致发光

枯水期灞河城市段底质DOM的空间分布、光谱特征及来源解析

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中国环境科学 2023年第5期43卷 2347-2353页

作者：杨毅董承璇王萍萍何延新侯彦辉西安建筑科技大学环境与市政工程学院陕西西安710055 西安建筑科技大学陕西省环境工程重点实验室陕西西安710055 西安市环境监测站陕西西安710018 陕西省环境调查评估中心陕西西安710043

利用紫外光谱和三维荧光光谱技术结合平行因子分析,对枯水期灞河城市段底质DOM的组成分布、光谱特征及来源进行解析.结果表明,枯水期灞河城市段底质CDOM和DOM浓度分别为2.76~11.05m-1和0.09~0.34mg/g,随采样深度增大,CDOM和DOM浓度降低.... 详细信息

利用紫外光谱和三维荧光光谱技术结合平行因子分析,对枯水期灞河城市段底质DOM的组成分布、光谱特征及来源进行解析.结果表明,枯水期灞河城市段底质CDOM和DOM浓度分别为2.76~11.05m-1和0.09~0.34mg/g,随采样深度增大,CDOM和DOM浓度降低.DOM组分包括3种类腐殖质和2种类蛋白质,各点处Fn280值均高于Fn355值,其组成以类蛋白质为主.DOM的E2/E3、E_(3)/E_(4)、HIX、FI、BIX和SR值分别为2.53~4.90,3.14~4.15,1.31~3.48,1.74~2.35,0.73~1.77和0.92~1.47,可得研究区域内下游DOM分子量大于上游,DOM主要来自于生物或细菌活动产生的内源,腐殖质以富里酸为主.相关性分析显示,位于265/448nm和250/448nm处的两种类腐殖质荧光强度显著正相关(r=0.951,P<0.01),HIX分别与E_(3)/E_(4)和BIX呈负相关(P<0.01和P<0.05),BIX分别与E_(3)/E_(4)和类蛋白物质荧光强度呈正相关(r=0.668、0.769,P<0.01),内源输入较多的DOM中类蛋白物质含量较多,DOM腐殖化程度较弱.综上可得,枯水期灞河城市段底质DOM主要来自内源,属于类蛋白质主导型且腐殖化程度较低,可为河流治理措施的制定提供参考与依据.

关键词：底质 DOM 荧光特性平行因子分析来源空间分布

蛋白质印迹羧化多壁碳纳米管/CaAlg水凝胶膜及其修饰的电化学传感器

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高分子材料科学与工程 2023年第12期39卷 111-117页

作者：高欣悦郭智龙董鹏谢慧珂张世潮江坚盛赵孔银侯彦辉天津工业大学材料科学与工程学院天津300387

文中以牛血清白蛋白(BSA)为模板、海藻酸钠(NaAlg)为功能单体,掺杂羧化多壁碳纳米管,经CaCl2溶液交联制备了BSA分子印迹羧化多壁碳纳米管/海藻酸钙(CMWCNTs/CaAlg)复合水凝胶膜(MIP),同时不用模板制备了非印迹膜(NIP),研究了CMWCNTs含... 详细信息

文中以牛血清白蛋白(BSA)为模板、海藻酸钠(NaAlg)为功能单体,掺杂羧化多壁碳纳米管,经CaCl2溶液交联制备了BSA分子印迹羧化多壁碳纳米管/海藻酸钙(CMWCNTs/CaAlg)复合水凝胶膜(MIP),同时不用模板制备了非印迹膜(NIP),研究了CMWCNTs含量对膜力学性能的影响;膜厚度、洗脱液pH值对BSA吸附性能的影响。研究了MIP膜的吸附选择性。结果表明,当CMWCNTs的质量为NaAlg的2%时,水凝胶膜同时具备良好的抗溶胀性能和力学性能。膜厚度控制在0.2mm,洗脱液pH值为7.4时,MIP膜对BSA的吸附量最大,为35.04mg/g。将MIP膜负载于裸碳电极表面,循环伏安法和差分脉冲伏安法测试表明,MIP膜修饰电极对BSA表现出较高的选择识别性。

关键词：蛋白质分子印迹海藻酸钙水凝胶羧化多壁碳纳米管电化学传感器

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双功能催化体系制备聚丙烯/蒙脱土复合材料

化学通报 2017年第11期80卷 1067-1072页

作者：王涛郭海洋孟浩胡泊洋侯彦辉河北科技大学资产管理处石家庄050018 天津工业大学材料科学与工程学院天津工业大学省部共建分离膜与膜过程国家重点实验室天津300387

为了制备聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料,将Brookhart型的乙烯齐聚催化剂负载于有机蒙脱土片层间,进一步与丙烯聚合茂金属催化剂进行复配得到双功能催化体系。采用这种双功能催化剂体系通过催化乙烯齐聚得到α-烯烃/蒙脱土的齐聚产物,进一... 详细信息

为了制备聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料,将Brookhart型的乙烯齐聚催化剂负载于有机蒙脱土片层间,进一步与丙烯聚合茂金属催化剂进行复配得到双功能催化体系。采用这种双功能催化剂体系通过催化乙烯齐聚得到α-烯烃/蒙脱土的齐聚产物,进一步将丙烯与这种齐聚产物共聚,合成了一系列结构不同的聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料。通过气相色谱、X射线衍射(XRD)分析得出蒙脱土负载的铁系催化剂催化乙烯齐聚产物是以C_4~C_(16)为主的α-烯烃,蒙脱土以片层形式分散于齐聚产物的甲苯溶液中。研究了蒙脱土负载的铁系催化剂与共聚催化剂复配催化乙烯齐聚以及丙烯与齐聚产物共聚合的情况。通过XRD、透射电镜、差示量热分析、凝胶渗透色谱分析表征可知,蒙脱土以纳米片层剥离的形式均匀分散于聚丙烯基体中,聚丙烯/复合材料的结晶温度比纯聚丙烯有所下降,所得聚丙烯基体分子量在8.1×10~4~17.1×10~4g/mo L。

关键词：聚丙烯蒙脱土复合材料双功能催化体系

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原位聚合法制备聚丙烯/蒙脱土复合材料

天津工业大学学报 2017年第4期36卷 58-63页

作者：侯彦辉王涛孟浩郭海洋胡泊洋天津工业大学材料科学与工程学院天津300387 河北科技大学资产管理处石家庄050018

为提高聚丙烯综合性能,采用原位聚合法,将Brookhart型的乙烯齐聚催化剂负载于有机蒙脱土片层间,与丙烯聚合CS-I催化剂(Ziegler-Natta催化剂)进行复配,催化乙烯齐聚以及丙烯与乙烯齐聚产物进行共聚,制备聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料.考察... 详细信息

为提高聚丙烯综合性能,采用原位聚合法,将Brookhart型的乙烯齐聚催化剂负载于有机蒙脱土片层间,与丙烯聚合CS-I催化剂(Ziegler-Natta催化剂)进行复配,催化乙烯齐聚以及丙烯与乙烯齐聚产物进行共聚,制备聚丙烯/蒙脱土纳米复合材料.考察未负载与负载蒙脱土后的齐聚催化剂与CS-I复配的2类催化体系中聚合条件的影响,并通过XRD、透射电镜(TEM)、差示量热分析(DSC)、核磁(NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)对聚合物进行分析表征.结果表明:齐聚、共聚反应条件对2类复配催化体系的活性、聚合物热力学行为、聚合物分子质量的影响很大;蒙脱土以纳米片层剥离的形式均匀分散于聚丙烯基体中,聚丙烯基体具有支化结构;均相复配催化体系得到聚合物的熔点由纯聚丙烯熔点161℃降低到135℃,而负载型的复配催化体系得到聚合物的熔点仅降低到148℃;聚丙烯/蒙脱土复合材料的分子质量为29×104~53×104 g/mol,分子质量分布范围为5.11~6.21.

关键词：聚丙烯蒙脱土复合材料原位聚合 Ziegler-Natta催化剂

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五个杨树品种对锦纹吉丁虫的抗性

昆虫知识 1994年第5期31卷 287-289页

作者：侯彦辉李永宽阎士祥彭德内蒙古兴安盟森防站乌兰浩特市137400 内蒙古扎赉特旗林业局 137600

调查5个杨树品种对杨锦纹吉丁虫的抗性。用模糊类聚分析法可把它们分为4类。白城杨2号抗性最强，小黑杨抗性较强，小叶杨和加青杨抗性较差，中东杨抗性最差。

关键词：杨锦纹吉丁虫杨树抗性

大位阻苊基α-二亚胺镍催化剂的制备及催化乙烯均聚

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天津工业大学学报 2020年第1期39卷 18-23页

作者：侯彦辉孟浩崔咪咪李景民杨敏天津工业大学材料科学与工程学院天津300387 天津工业大学省部共建分离膜与膜过程国家重点实验室天津300387 河北工业大学化工学院天津300130

为提高α-二亚胺催化剂的热稳定性,采用苊醌和4-溴-2,6-二异丙基苯胺反应,引入大位阻基团,设计合成出了一种新型的α-二亚胺配体,并通过一系列手段进行了表征;在一氯二乙基铝助催化作用下催化乙烯聚合,通过改变聚合条件,探究聚合温度、... 详细信息

为提高α-二亚胺催化剂的热稳定性,采用苊醌和4-溴-2,6-二异丙基苯胺反应,引入大位阻基团,设计合成出了一种新型的α-二亚胺配体,并通过一系列手段进行了表征;在一氯二乙基铝助催化作用下催化乙烯聚合,通过改变聚合条件,探究聚合温度、铝镍比等对催化活性的影响,并通过DSC对聚合物进行了表征分析。研究表明:随着温度的升高,催化活性先升高后降低,50℃时最高为4.28×10^6 g PE/mol Ni·h,80℃仍保持较高的催化活性,对比之前报道,活性中心附近位阻增大能够使热稳定性提高;相同温度下,催化活性有随铝镍比的提高而增加的趋势;聚合物支化度随着聚合温度的提高而增加。

关键词： α-二亚胺大位阻基团乙烯聚合催化活性

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全市酒类市场专项整治正在进行 001