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B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响

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物理学报 2024年第7期73卷 307-315页

作者：杨静冯少蓉张涛牛旭平王荣李敏于润升曹兴忠王宝义西安科技大学理学院西安710600 西安科技大学材料科学与工程学院西安710600 中国科学院高能物理研究所北京100049

-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电... 详细信息

-用固相反应法制备了B位空位补偿型钐掺杂非准同型相界组分PZT(54/46)陶瓷.通过正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽能谱(CDBS)对陶瓷中的缺陷结构进行综合表征,结合常规表征手段如X射线衍射(XRD),电子扫描显微镜(SEM),介电、铁电和压电性能测量,研究缺陷对陶瓷压电性能的影响.XRD结果显示所有陶瓷均为纯钙钛矿相,掺杂诱导了菱方-四方(R-T)相变,准同型相界位于Sm掺杂量x=0.010.02.电学测量结果反映:介电、铁电和压电性能均先增强后减弱,MPB附近两个样品都有优异的介电和铁电性能,但其压电性能差别很大.x=0.01给出最优压电性能d_(33)=572 p C/N,较未掺杂样品增强了一倍.PALS结果表明掺杂使陶瓷中缺陷类型发生变化,x≤0.01,样品中同时含有A位空位与B位空位;x≥0.02,样品中以A位相关缺陷为主,B位空位浓度很低.CDBS结果进一步证实x=0.01和0.02中B位空位浓度分别是该体系中最高和最低的.由以上结果推断出:x=0.01获得的最优压电性能与其中较高浓度的B位空位有关,B位空位可稀释A位空位浓度,降低氧空位浓度,从而降低A位空位与氧空位形成缺陷偶极子的几率,促进畴壁运动,使压电性能增强.

关键词： PZT压电陶瓷正电子湮没技术空位缺陷

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锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究

物理学报 2007年第11期56卷 6543-6546页

作者：郝小鹏王宝义于润升魏龙中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室

采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合... 详细信息

采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论.考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.

关键词：锆离子注入慢正电子束缺陷

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实际尺寸慢正电子强束流转换靶的计算机模拟

高能物理与核物理 2001年第B12期25卷 135-139页

作者：于润升王宝义等中国科学院高能物理研究所北京100039

采用EGS4程序包，对基于BEPC（北京正负电子对撞机）LINAC（电子直线加速器）慢正电子强束流装置中的正电子源部分进行了模拟计算。结果表明，当LINAC运行于兼容模式时，慢正电子的产额最高可达到3.5×10^6e^+/s(1.5cm厚、直径10mm的Ta... 详细信息

采用EGS4程序包，对基于BEPC（北京正负电子对撞机）LINAC（电子直线加速器）慢正电子强束流装置中的正电子源部分进行了模拟计算。结果表明，当LINAC运行于兼容模式时，慢正电子的产额最高可达到3.5×10^6e^+/s(1.5cm厚、直径10mm的Ta靶），4.3×10^6e^+/s(1.3cm厚、直径10mm的W靶）；当LINAC运行于脉冲模式时，慢正电子的产额最高可以达到4.7×10^8e^+/s(1.3cm厚、直径100mm的Ta靶）、5.9×10^8e^+/s(1.1cm厚、直径10mm的W靶）。采用3m厚的水泥墙中嵌加长×宽×高等于1m×1m×0.2m的铁板的屏蔽方案，将使得屏蔽墙外的能量沉积为零。

关键词：实际尺寸转换靶计算机模拟 EGS4 LINAC 慢正电子强束流装置正电子湮没电子直线加速器

Lu_2Si_2O_7:Eu闪烁陶瓷粉体的溶胶–凝胶法制备及表征(英文)

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硅酸盐学报 2009年第7期37卷 1261-1263页

作者：李卓昕钟玉荣于润升陶冶薛德胜王宝义兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院高能物理研究所北京100049

使用溶胶–凝胶法制备了Lu2Si2O7:Eu闪烁陶瓷前驱粉体。通过X射线衍射仪和真空紫外荧光光谱仪对粉体物相、晶粒尺寸及粉末的发光性能进行了表征。结果表明:粉体在1150℃左右烧结时开始成相,晶粒大小随烧结温度的升高而增加。结合X射线... 详细信息

使用溶胶–凝胶法制备了Lu2Si2O7:Eu闪烁陶瓷前驱粉体。通过X射线衍射仪和真空紫外荧光光谱仪对粉体物相、晶粒尺寸及粉末的发光性能进行了表征。结果表明:粉体在1150℃左右烧结时开始成相,晶粒大小随烧结温度的升高而增加。结合X射线衍射和真空紫外发射光谱的结果可以推断样品的紫外激发发射峰强度随晶粒尺寸的增大而增强。

关键词：闪烁陶瓷粉体溶胶-凝胶法发光性能

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北京慢正电子强束流磁场输运系统设计研究

高能物理与核物理 2004年第5期28卷 560-563页

作者：曹兴忠王宝义于润升魏存峰薛德胜魏龙兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室兰州730000 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室北京100039

针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求 ,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场的补偿以及地磁场和弯管道对正电子束流的影响等进行了计算 ,提出适用于本系统传输慢正电子束流的输运磁... 详细信息

针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求 ,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场的补偿以及地磁场和弯管道对正电子束流的影响等进行了计算 ,提出适用于本系统传输慢正电子束流的输运磁场分布、补偿线圈、调整线圈的加工参数 ,计算表明 ,系统的总体磁场不均匀度小于 10髎 .实际运行束流测试表明 ,所设计的磁场系统能够很好的将慢正电子束流输运到约 16m远的样品测量室 ,慢正电子束斑尺寸基本没有变化 ,满足慢正电子束流系统的设计要求 .

关键词：慢正电子束束流输运磁场分布补偿线圈正负电子对撞机毕奥-萨伐尔定律

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无机闪烁薄膜的研究进展

材料导报 2008年第6期22卷 100-103,107页

作者：钟玉荣王宝义于润升中国科学院高能物理研究所核分析室北京100049 山东烟台大学光电信息科学技术学院烟台264005

综述了无机闪烁薄膜材料的制备与表征、发光与闪烁性质以及当前的发展和应用情况。针对X射线高分辨成像的要求,具有较高有效原子序数和较大密度的无机闪烁材料成为当今研究的热点,重点阐述了溶胶一凝胶法制备这类闪烁薄膜的研究现状,并... 详细信息

综述了无机闪烁薄膜材料的制备与表征、发光与闪烁性质以及当前的发展和应用情况。针对X射线高分辨成像的要求,具有较高有效原子序数和较大密度的无机闪烁材料成为当今研究的热点,重点阐述了溶胶一凝胶法制备这类闪烁薄膜的研究现状,并对其今后的发展进行了展望。

关键词：闪烁薄膜溶胶-凝胶法 X射线成像高分辨

聚乙烯亚胺改性介孔二氧化硅SBA-15微观结构的小角X射线散射及正电子湮没谱学研究

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物理学报 2023年第11期72卷 197-203页

作者：尹昊宋通彭雄刚张鹏于润升陈喆曹兴忠王宝义中国科学院高能物理研究所北京100049 武汉工程大学材料科学与工程学院武汉430205 中国汽车技术研究中心有限公司天津300162 中国科学院大学北京101408

SBA-15由于具有高比表面积、孔容大、孔径可调、热稳定性好和成本相对低廉等优点,在吸附、分离、催化和纳米材料等领域具有广泛的应用前景,而利用有机官能团改性SBA-15已经成为当前材料的热点之一,但有机官能团的引入势必会影响材料的... 详细信息

SBA-15由于具有高比表面积、孔容大、孔径可调、热稳定性好和成本相对低廉等优点,在吸附、分离、催化和纳米材料等领域具有广泛的应用前景,而利用有机官能团改性SBA-15已经成为当前材料的热点之一,但有机官能团的引入势必会影响材料的孔结构,进而影响其性能.因此,如何更全面地表征材料的孔结构也成为人们关注的焦点.采用小角X射线散射(SAXS)技术对PEI/SBA-15介孔分子筛的孔结构进行表征,利用相关函数和弦长分布理论得到了聚乙烯亚胺改性介孔二氧化硅(PEI/SBA-15)的孔结构和周期性信息,结合正电子湮没寿命谱(PALS)技术进行比较.结果表明:随着PEI质量分数的增加,PEI/SBA-15介孔分子筛的周期性结构没有发生明显变化,通过弦长分布(CLD)函数得到的孔径尺寸也仅从8.3 nm降至7.6 nm.利用PALS获得了2种长寿命组分τ3和τ4,其中τ3反映了SBA-15基体内部的无规微孔结构,而τ4反映SBA-15六方孔道的尺寸,与SAXS结果相比,介孔孔径具有相同的变化趋势.通过结合SAXS和PALS技术,可以更加深入地揭示材料中微观结构的演变,从而为未来功能纳米复合材料的结构表征提供一种独特的方法.

关键词：小角 X 射线散射 SBA-15 分子筛正电子湮没寿命谱

从科研人员角度看研究所图书馆文献信息服务的改进

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从科研人员角度看研究所图书馆文献信息服务的改进

介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

中国图书馆学会专业图书馆分会2009年学术年会

作者：于润升中国科学院高能物理研究所文献信息部

本文试图从科研工作者的需求角度出发,探讨研究所图书馆文献信息服务的特点及服务的不足之处。探讨了在当前网络技术飞速发展时期,研究所图书馆应更新观念,适应一线科研人员的需求变化,应用自己掌握的先进信息分析工具,采用灵活多样的... 详细信息

本文试图从科研工作者的需求角度出发,探讨研究所图书馆文献信息服务的特点及服务的不足之处。探讨了在当前网络技术飞速发展时期,研究所图书馆应更新观念,适应一线科研人员的需求变化,应用自己掌握的先进信息分析工具,采用灵活多样的服务方式,努力提高文献信息服务的质量,服务好研究所科研活动。

关键词：研究所图书馆科研人员服务

来源： cnki会议评论

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物理学报 2009年第12期58卷 8478-8483页

作者：王巧占于润升秦秀波李玉晓王宝义贾全杰郑州大学物理工程学院郑州450001 中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室北京100049

通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小... 详细信息

通过蒸发诱导自组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱,探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.

关键词：同步辐射 X射线反射率 Doppler展宽正电子素飞行时间谱