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少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究

固体电子学研究与进展 2001年第1期21卷 87-91页

作者：丁扣宝张秀淼宋加涛浙江大学西溪校区信息与电子工程学系杭州310028 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 宁波高等专科学校 315000

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得... 详细信息

研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。

关键词：少子产生寿命计算机辅助测量半导体材料

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半导体器件TCAD设计与应用

产生区宽度W_g＝W－ξW_f中参数ξ的估计

作者：韩雁丁扣宝

来源：南通市图书馆图书评论

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半导体技术 1994年第2期10卷 49-50页

作者：丁扣宝张秀淼杭州大学电子工程系

产生参数（产生寿命、表面产生速度）的测量是半导体材料和器件工艺质量检验的重要内容，产生区宽度的Ｐｉｅｒｒｅｔ模型形式简单，但其含有一待定参数，本文主要就是研究这一参数的估计方法。

关键词：半导体材料检测参数ζ

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电子辐照CZ－Si单晶的深能级

半导体技术 1996年第5期12卷 52-53页

作者：丁扣宝胡莲君杭州大学电子工程系

常温下用剂量为４×１０（１５）电子／ｃｍ２的１．８ＭｅＶ电子束对ＣＺ－Ｓｉ单晶制成的ｐ＋ｎ二极管进行了辐照，采用深能级瞬态谱技术（ＤＬＴＳ）在该样品中观察到４个深能级，并对其形成原因进行了讨论。

关键词：电子辐照深能级半导体材料

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阶跃电压法测量产生寿命的简单方法

半导体技术 1998年第4期23卷 52-53,51页

作者：丁扣宝张秀淼杭州大学电子工程系

采用Ｚｅｒｂｓｔ产生区宽度模型，提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。

关键词：半导体阶跃电压法生产寿命测量

线性电压扫描法测量硅的体产生寿命和表面产生速度的研究

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杭州大学学报（自然科学版） 1995年第1期22卷 22-27页

作者：丁扣宝张秀淼杭州大学电子工程系浙江杭州

本文采用Rabbani的产生区宽度模型,导出了描述线性电压扫描作用下MOS电容器的电容—时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到了描述线性电压扫描作用的MOS电容器的电容—时间瞬态特性方程.依据这一方程,提出了一种确定体产生... 详细信息

本文采用Rabbani的产生区宽度模型,导出了描述线性电压扫描作用下MOS电容器的电容—时间瞬态特性的微分方程,通过积分这一微分方程,得到了描述线性电压扫描作用的MOS电容器的电容—时间瞬态特性方程.依据这一方程,提出了一种确定体产生寿命和表面产生速度的计算方法.

关键词：体产生寿命表面产生速度硅线性电压扫描

滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片设计

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固体电子学研究与进展 2009年第2期29卷 260-263页

作者：谢治中丁扣宝何杞鑫浙江大学微电子与光电子研究所杭州310027

设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的... 详细信息

设计了一款滞环电流控制的大功率LED恒流驱动芯片,其采用高边电流检测方案,通过内部电流检测电路对LED驱动电流进行滞环控制,从而获得恒定的平均电流。芯片采用9VBICMOS工艺流片,可输出350mA电流驱动1W的LED,也可输出750mA电流驱动3W的LED。在4.5～9V输入电压范围内,芯片输出驱动电流变化小于3.5%。在环境温度从25°C变化到100°C时,芯片输出驱动电流变化小于5%。由于滞环电流控制环路存在自稳定性,芯片无需补偿电路。

关键词：发光二极管恒流驱动滞环电流控制高边电流检测

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深能级中心的电场增强载流子产生效应

电子科学学刊 1994年第1期16卷 61-66页

作者：丁扣宝张秀淼杭州大学电子工程系杭州310028

本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本... 详细信息

本文研究了半导体表面空间电荷区中的深能级中心的电场增强载流子产生效应;指出应全面考虑库仑发射和非库仑发射对载流于产生率的影响;给出了相应的产生率计算公式。对计算机计算结果的分析表明,以往的只考虑库仑发射的模型过于简单,本文理论可以较满意地解释有关的实验结果。

关键词：半导体能级中心 MOS电容载流子

适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建

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半导体技术 2004年第9期29卷 57-59页

作者：霍明旭丁扣宝浙江大学信息与电子工程学系微电子所杭州310027

OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具。在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同。本文建立了适... 详细信息

OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具。在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同。本文建立了适用于特定工艺的用于图形化输入方式的四端口MOSFET模型。模拟结果表明所建模型具有正确的器件特性,而且在IC中模拟的结果也是正确的,适用在PC机上应用OrCAD PSPICE软件进行含四端口MOSFET的电路的图形化输入工作。

关键词： PSPICE 图形化输入四端口MOSFET模型电路模拟