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  • 1 篇 热处理温度
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  • 1 篇 生产技术
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机构

  • 12 篇 北京真空电子技术...
  • 2 篇 大功率微波电真空...
  • 1 篇 国营第778厂
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  • 1 篇 北京真空技术研究...
  • 1 篇 郑州长城特种水泥...
  • 1 篇 国营第七七八厂
  • 1 篇 真空电子技术杂志...
  • 1 篇 济源市更新瓷料有...
  • 1 篇 山东晨鸿电气有限...
  • 1 篇 北京有色金属研究...
  • 1 篇 北京路星宏达电子...
  • 1 篇 中国电子材料行业...

作者

  • 3 篇 高陇桥
  • 2 篇 张巨先
  • 2 篇 黄亦工
  • 2 篇 梁迎春
  • 2 篇 刘慧卿
  • 2 篇 程建
  • 1 篇 彭雪
  • 1 篇 周立娟
  • 1 篇 李景勋
  • 1 篇 李冬凤
  • 1 篇 田志英
  • 1 篇 鲁燕萍
  • 1 篇 张桂荣
  • 1 篇 张本清
  • 1 篇 周碎明
  • 1 篇 李艳
  • 1 篇 石代恒
  • 1 篇 刘建红
  • 1 篇 李久安
  • 1 篇 吴春荣

语言

  • 27 篇 中文
检索条件"任意字段=真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会"
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会征文通知
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真空电子技术 2012年 第2期25卷 68-68页
研讨会拟定于2012年9～10间召开,具体时间、地点和会务另行通知。为了及时反映本行业材料和工艺的最新科研成果,研究状态、发展方向,交流生产技术和管理经验,敬请各单位、专家及相关科技人员大力支持,提供论文。现将有关具体事项通知如... 详细信息
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MgO-SiC系列复合微波衰减材料
MgO-SiC系列复合微波衰减材料
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 杨振涛 鲁燕萍 北京真空电子技术研究所
介绍了衰减材料的基本原理,国内外MgO-SiC系列复合材料研究和应用现状。
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影响热压铸成型工艺质量的因素分析
影响热压铸成型工艺质量的因素分析
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 梁迎春 北京真空电子技术研究所
主要介绍了热压铸成型工艺中的几种缺陷,结合工艺过程,分析了产生缺陷的原因,并提出了相应的改进措施。
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Mo粉与陶瓷金属化技术
Mo粉与陶瓷金属化技术
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 高陇桥 北京真空电子技术研究所
叙述了陶瓷金属化技术的沿革和Mo粉在金属化组分中的重要性。综述了目前Mo粉存在的主要问题和改进建议。最后,介绍了本行业Mo粉的几种测试方法及其相互比较。
来源： cnki会议 评论
螺旋线行波管的夹持技术研究
螺旋线行波管的夹持技术研究
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 张小平 汤寅 国营第778厂
主要介绍了螺旋线行波管螺旋线的两种夹持方法:金属管壳三角变形夹持法和绑扎金属管壳热膨胀夹持法,并对两种方法的优缺点做了比较。
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氧化铝陶瓷低温烧结技术的探讨
氧化铝陶瓷低温烧结技术的探讨
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 刘建红 郜剑英 彭雪 郑州长城特种水泥有限公司
通过对氧化铝陶瓷烧结机理、配方体系、原料加工、添加剂等影响烧结温度的素因分析,探讨氧化铝陶瓷低温烧结技术。
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氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构
氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 裴静 高陇桥 北京真空电子技术研究所
对氮化铝陶瓷Ti-Ag-Cu活性法焊接界面的微观结构进行了研究,对比了涂TiH2后用Ag-Cu焊接和直接用Ti-Ag-Cu合金箔焊接两种方法的焊接界面的微观结构。
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热处理温度对陶瓷/金属封接强度的影响
热处理温度对陶瓷/金属封接强度的影响
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 刘慧卿 程建 黄亦工 刘征 北京真空电子技术研究所
通过对陶瓷电镀件进行不同温度的热处理后,分别用Cu、Ag和AgCu28焊料与可伐和无氧铜封接。随着热处理温度的提高,发现某些封接件的封接强度及封接界面的显微结构发生了改变。综合各种因素后提出热处理温度不能超过850℃。
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一种应用于两级降压收集极的绝缘导热瓷件的结构设计
一种应用于两级降压收集极的绝缘导热瓷件的结构设计
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 骆岷 杨定义 周明干 北京真空电子技术研究所
介绍了一种绝缘导热瓷件的结构设计,从材料的选择、绝缘距离的考虑等方面进行了考虑,给出了设计结果及实际应用情况。
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耦合腔行波管腔长渐变对电子效率的影响
耦合腔行波管腔长渐变对电子效率的影响
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真空电子与专用金属材料、陶瓷—金属封接第十二届技术研讨会
作者： 寇建勇 闫铁昌 赵士录 北京真空电子技术研究所
为了进一步提高耦合腔行波管(CCTWT)的电子效率,需要可以计算CCTWT的大信号程序。本文叙述了利用程序CCTaper计算CCTWT腔长渐变对电子效率的影响情况。
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