一种基于0.15um GaAs工艺21-35 GHz宽带低噪声放大器
作者单位：中国空间技术研究院西安分院
会议名称：《2022年全国微波毫米波会议》
会议日期：2022年
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文报道了一款Ka频段的低噪声放大器芯片,采用0.15um栅长GaAs pHEMT工艺技术,其覆盖频段范围是21-35GHz。该低噪放芯片具有两级递推结构。整体电路采用单供电焊盘供电,第一级栅极和漏极偏置分别采用自偏置和电流复用技术实现。电流复用技术可保证低噪放输出功率的前提下大大降低漏极电流。最终测试结果显示,在21-35GHz频率范围同时5V驱动电压下,MMIC具有3.5±0.5dB的噪声系数,13dB的小信号增益以及大于5dBm的1dB增益压缩输出功率,动态电流仅为20mA。整版芯片面积为1.0x1.0mm。