中国散裂中子源白光中子辐照诱发CIS单粒子瞬态响应和位移损伤的实验研究
作者单位：西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 湘潭大学材料科学与工程学院
会议名称：《中国核学会2019年学术年会》
会议日期：2020年
学科分类：08[工学] 0827[工学-核科学与技术]
基 金：国家自然科学基金(11875223,11805155,11690040) 中国科学院战略性先导科技专项(XDA15015000) 国家重点实验室基金(SKLIPR1803) 抗辐照应用技术创新基金(KFZC2018040201)
关 键 词：中国散裂中子源 CMOS图像传感器 中子辐照 位移损伤 单粒子瞬态响应
摘 要：开展了中国散裂中子源(CSNS)白光中子辐照CMOS图像传感器(CIS)的实验研究。白光中子的能量范围涵盖1 eV～200 MeV的宽广能谱。本次实验中,CIS的中子辐照注量率约为1.4×10n/(cm·s)。分析了白光中子辐照CIS诱发位移损伤的实验规律,获得了中子位移损伤诱发产生二阶和多阶随机电报噪声(RTS)的实验规律;揭示了位移损伤诱发CIS暗信号增大、暗信号不均匀性(DSNU)增大、暗信号尖峰和RTS产生的物理机制。通过实时采集中子在线辐照CIS时的暗场图像数据,分析了白光中子辐照CIS诱发的单粒子瞬态响应特征规律,揭示了单粒子瞬态诱发CIS暗信号尖峰和亮线产生的物理机制。