温度梯度对核辐射探测器用PbI2晶体生长影响研究
作者单位：表面物理与化学重点实验室
会议名称：《第十八届全国核电子学与核探测技术学术年会》
会议日期：2016年
学科分类：082704[工学-辐射防护及环境保护] 081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070205[理学-凝聚态物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：以多晶碘化铅(PbI)为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及I-V特性。研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从生长态的6.8×10Ωcm提高至3.3×10Ωcm,可以有效提高晶体的探测效率。优化生长时的温度梯度有利于碘化铅单晶质量的提高,使其各项性能更加适用于室温核辐射探测器。