基于聚环碳硅烷的无孔低介电常数材料
作者单位：天津大学
会议名称：《中国化学会第30届学术年会》
会议日期：2016年
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 070305[理学-高分子化学与物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学]
摘 要：利用吡啶胺铪/有机硼烷催化乙烯基烯丙基二甲基硅烷（DMSHD）与1,5-己二烯（1,5-HD）环化共聚,调节共聚单体配比,可得到主链中含有不同含量环硅烷的共聚物。引入C-Si键提高了环烯烃聚合物的热性质、表面性质、力学性能及介电性能。共聚物的介电常数低于2.5,且随着C-Si键含量增加而降低,其中聚环碳硅烷Poly（DMSHD）的介电常数为1.85。研究表明,聚环碳硅烷薄膜中不含有纳米微孔,极低的介电常数取决于其独特的链结构。