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940nm半导体激光激发Yb:YAG晶体荧光特性研究

940nm半导体激光激发Yb:YAG晶体荧光特性研究

作     者:林晓东 

作者单位:深圳大学师范学院 

会议名称:《第十届全国光学测试学术讨论会》

会议日期:2004年

学科分类:080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

摘      要:近年来随着半导体激光泵浦源的发展,国外在以YAG(钇铝石榴石)为基质,掺镱的固体激光光谱和器件的研究有较大进展。这种固体激光器件体积小,输出功率大,可高重复频率运转,光束质量好,光/光转换效率高,仅直径4mm长50mm的介质可输出3000瓦以上的功率,这和光谱的特殊结构和性质有关。Y掺杂在YAG(钇铝石榴石)里,仅有一个激发主态,单一的4f电子层结构。它位于基态之上大约10000cm的能级位置,上能级晶场分裂为三个能级,下能级分裂为四个能级,

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