纳米压印技术制作DFB半导体激光器
作者单位：华中科技大学武汉光电国家实验室 武汉邮电科学研究院光迅科技股份有限公司
会议名称：《第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会》
会议日期：2011年
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
关 键 词：纳米压印 衍射光栅 DFB激光器 C波段 瓦斯探测
摘 要：分布反馈(DFB)半导体激光器是现代光通信系统及红外探测中核心光源器件,光栅的设计和制作是决定器件性能的关键因素之一。传统光栅制作方法中,双光束干涉曝光虽然具有生产效率高、成本低的优点,但其制作的光栅大面积均匀性较差、重复性不高;电子束光刻虽然具有精度高的优点,但其成本高产能低,不被光电子器件产业所接受。纳米压印兼具有精度高、成本低、生产效率高的优点,且可在同一衬底上一次制作出不同光栅周期。本研究组利用纳米压印技术,优化制作工艺,制作出1520～1565nm覆盖完整光通信C波段的高质量光源,以及用于瓦斯探测的1650nm光源。